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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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UDA1352TS NXP
auf Bestellung 14 Stücke:
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UDA1355H NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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UDA1355H/N2 NXP 08+ DIP14
auf Bestellung 350 Stücke:
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UDA1380TT NXP 09+
auf Bestellung 1200 Stücke:
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UDA3537L NXP
auf Bestellung 433 Stücke:
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UJA1069TW24 NXP
auf Bestellung 264 Stücke:
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UPA1334TS/N1 NXP TSOP8
auf Bestellung 2397 Stücke:
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V2009SB28 NXP QFP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
V2009SB2B NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
V21108AH13 NXP QFP
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VAV70,215 NXP
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VP21895 NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VP22565-HKPMM NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VP27204 NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VP27299A NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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VP40554-Y37976.Y1 NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VY22471 NXP TQFP
auf Bestellung 5200 Stücke:
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VY22471-D3690.1 NXP QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VY22522C2 NXP 0722+
auf Bestellung 63 Stücke:
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VY22545-SG4848.1 NXP 07+ BGA
auf Bestellung 4 Stücke:
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XC6202P282MR NXP 08+
auf Bestellung 1000 Stücke:
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XP151A11B0MR nxp sot-23 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8MMINID4-EVK 8MMINID4-EVK NXP 8MMINID4-EVK.pdf Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex M4
Processor: i.MX8 M
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8MMINILPD4-EVK 8MMINILPD4-EVK NXP 8MMINID4-EVK.pdf Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Processor: i.MX8 M
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8MNANOD4-EVK 8MNANOD4-EVK NXP 8MMINID4-EVK.pdf Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug
Kit contents: power supply USA plug; prototype board
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53
Processor: i.MX8 M
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT05MP075GNR1 NXP AFT05MP075N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT05MP075NR1 NXP www.nxp.com Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT05MS004NT1 NXP AFT05MS004NT1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 20.9dB
Output power: 4.9W
Power dissipation: 28W
Efficiency: 74.9%
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AFT05MS006NT1 NXP AFT05MS006NT1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT05MS031GNR1 NXP AFT05MS031N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 294W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 33W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.7dB
Efficiency: 71.4%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT09MP055GNR1 NXP AFT09MP055N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT09MP055NR1 NXP AFT09MP055N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT09MS031GNR1 NXP www.nxp.com Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT09MS031NR1 NXP AFT09MS031N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT20S015GNR1 NXP AFT20S015N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 16.2W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.6dB
Efficiency: 22%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT27S006NT1 NXP www.nxp.com Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT27S010NT1 NXP AFT27S010N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT27S012NT1 NXP AFT27S012N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 13W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 20.9dB
Efficiency: 22.6%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT31150NR5 NXP AFT31150N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Frequency: 3100MHz
Case: OM780-2
Output power: 150W
Open-loop gain: 17.2dB
Power dissipation: 741W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Efficiency: 49%
Kind of transistor: RF
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BAP50-02,115 BAP50-02,115 NXP BAP50-02.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Load current: 50mA
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Power dissipation: 715mW
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
220+0.33 EUR
290+ 0.24 EUR
385+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 220
BAP50-04,215 BAP50-04,215 NXP BAP50-04.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 50mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
360+0.2 EUR
525+ 0.14 EUR
590+ 0.12 EUR
715+ 0.1 EUR
760+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 360
BAP51-02,115 BAP51-02,115 NXP BAP51-02.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
325+0.22 EUR
425+ 0.17 EUR
475+ 0.15 EUR
560+ 0.13 EUR
590+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 325
BAP51-03,115 BAP51-03,115 NXP BAP51-03.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
350+0.21 EUR
390+ 0.18 EUR
440+ 0.16 EUR
480+ 0.15 EUR
510+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 350
BAP64-02,115 BAP64-02,115 NXP BAP64-02.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BAP64-03,115 BAP64-03,115 NXP BAP64-03.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
270+0.27 EUR
425+ 0.17 EUR
485+ 0.15 EUR
635+ 0.11 EUR
3000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BAP64-05,215 BAP64-05,215 NXP BAP64-05.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BAP64-06,215 BAP64-06,215 NXP BAP64-06.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
221+0.32 EUR
421+ 0.17 EUR
477+ 0.15 EUR
550+ 0.13 EUR
582+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 221
BAP65-02,115 BAP65-02,115 NXP BAP65-02.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
270+0.27 EUR
300+ 0.24 EUR
385+ 0.19 EUR
410+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BAP65-03,115 BAP65-03,115 NXP BAP65-03.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SOD323
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
270+0.27 EUR
315+ 0.23 EUR
360+ 0.2 EUR
495+ 0.15 EUR
525+ 0.14 EUR
3000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BAP70-02,115 BAP70-02,115 NXP BAP70-02.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 415mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
270+0.27 EUR
310+ 0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
495+ 0.15 EUR
525+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BB135.115 NXP BB135.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BB173X BB173X NXP BB173.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 32V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.36...42.35pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
190+0.38 EUR
215+ 0.34 EUR
290+ 0.25 EUR
310+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 190
BB208-02,115 BB208-02,115 NXP BB208-02_BB208-03.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 4.5...23.2pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BBY40,215 BBY40,215 NXP BBY40.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 4.3...32pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
163+0.44 EUR
179+ 0.4 EUR
260+ 0.28 EUR
275+ 0.26 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 163
BFT25,215 BFT25,215 NXP BFT25.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Collector current: 6.5mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Frequency: 2.3GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
327+ 0.22 EUR
410+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 228
BFU520AR BFU520AR NXP BFU520A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
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BFU520XAR BFU520XAR NXP BFU520X.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
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BFU530WX BFU530WX NXP BFU530W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
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BFU550AR BFU550AR NXP BFU550A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BFU580GX BFU580GX NXP BFU580G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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UDA1352TS
Hersteller: NXP
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UDA1355H
Hersteller: NXP
QFP
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UDA1355H/N2
Hersteller: NXP
08+ DIP14
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UDA1380TT
Hersteller: NXP
09+
auf Bestellung 1200 Stücke:
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UDA3537L
Hersteller: NXP
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UJA1069TW24
Hersteller: NXP
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UPA1334TS/N1
Hersteller: NXP
TSOP8
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V2009SB28
Hersteller: NXP
QFP
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V2009SB2B
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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V21108AH13
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 6000 Stücke:
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VAV70,215
Hersteller: NXP
auf Bestellung 96000 Stücke:
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VP21895
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VP22565-HKPMM
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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VP27204
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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VP27299A
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VP40554-Y37976.Y1
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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VY22471
Hersteller: NXP
TQFP
auf Bestellung 5200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VY22471-D3690.1
Hersteller: NXP
QFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VY22522C2
Hersteller: NXP
0722+
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
VY22545-SG4848.1
Hersteller: NXP
07+ BGA
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XC6202P282MR
Hersteller: NXP
08+
auf Bestellung 1000 Stücke:
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XP151A11B0MR
Hersteller: nxp
sot-23 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8MMINID4-EVK 8MMINID4-EVK.pdf
8MMINID4-EVK
Hersteller: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex M4
Processor: i.MX8 M
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8MMINILPD4-EVK 8MMINID4-EVK.pdf
8MMINILPD4-EVK
Hersteller: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Processor: i.MX8 M
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8MNANOD4-EVK 8MMINID4-EVK.pdf
8MNANOD4-EVK
Hersteller: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug
Kit contents: power supply USA plug; prototype board
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53
Processor: i.MX8 M
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AFT05MP075GNR1 AFT05MP075N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT05MP075NR1 www.nxp.com
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT05MS004NT1 AFT05MS004NT1.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 20.9dB
Output power: 4.9W
Power dissipation: 28W
Efficiency: 74.9%
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AFT05MS006NT1 AFT05MS006NT1.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 125W
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.3dB
Efficiency: 73%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT05MS031GNR1 AFT05MS031N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 294W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 33W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.7dB
Efficiency: 71.4%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT09MP055GNR1 AFT09MP055N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT09MP055NR1 AFT09MP055N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT09MS031GNR1 www.nxp.com
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT09MS031NR1 AFT09MS031N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT20S015GNR1 AFT20S015N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 16.2W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.6dB
Efficiency: 22%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT27S006NT1 www.nxp.com
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AFT27S010NT1 AFT27S010N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT27S012NT1 AFT27S012N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 13W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 20.9dB
Efficiency: 22.6%
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
AFT31150NR5 AFT31150N.pdf
Hersteller: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Frequency: 3100MHz
Case: OM780-2
Output power: 150W
Open-loop gain: 17.2dB
Power dissipation: 741W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Efficiency: 49%
Kind of transistor: RF
Electrical mounting: SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BAP50-02,115 BAP50-02.pdf
BAP50-02,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Load current: 50mA
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Power dissipation: 715mW
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
220+0.33 EUR
290+ 0.24 EUR
385+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 220
BAP50-04,215 BAP50-04.pdf
BAP50-04,215
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 0.95V
Load current: 50mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
360+0.2 EUR
525+ 0.14 EUR
590+ 0.12 EUR
715+ 0.1 EUR
760+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 360
BAP51-02,115 BAP51-02.pdf
BAP51-02,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
325+0.22 EUR
425+ 0.17 EUR
475+ 0.15 EUR
560+ 0.13 EUR
590+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 325
BAP51-03,115 BAP51-03.pdf
BAP51-03,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 4695 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
350+0.21 EUR
390+ 0.18 EUR
440+ 0.16 EUR
480+ 0.15 EUR
510+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 350
BAP64-02,115 BAP64-02.pdf
BAP64-02,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BAP64-03,115 BAP64-03.pdf
BAP64-03,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
270+0.27 EUR
425+ 0.17 EUR
485+ 0.15 EUR
635+ 0.11 EUR
3000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BAP64-05,215 BAP64-05.pdf
BAP64-05,215
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BAP64-06,215 BAP64-06.pdf
BAP64-06,215
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
221+0.32 EUR
421+ 0.17 EUR
477+ 0.15 EUR
550+ 0.13 EUR
582+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 221
BAP65-02,115 BAP65-02.pdf
BAP65-02,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
270+0.27 EUR
300+ 0.24 EUR
385+ 0.19 EUR
410+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BAP65-03,115 BAP65-03.pdf
BAP65-03,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SOD323
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
270+0.27 EUR
315+ 0.23 EUR
360+ 0.2 EUR
495+ 0.15 EUR
525+ 0.14 EUR
3000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BAP70-02,115 BAP70-02.pdf
BAP70-02,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 415mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
270+0.27 EUR
310+ 0.23 EUR
355+ 0.2 EUR
495+ 0.15 EUR
525+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 270
BB135.115 BB135.pdf
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BB173X BB173.pdf
BB173X
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 32V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.36...42.35pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
190+0.38 EUR
215+ 0.34 EUR
290+ 0.25 EUR
310+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 190
BB208-02,115 BB208-02_BB208-03.pdf
BB208-02,115
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 4.5...23.2pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BBY40,215 BBY40.pdf
BBY40,215
Hersteller: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 4.3...32pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
163+0.44 EUR
179+ 0.4 EUR
260+ 0.28 EUR
275+ 0.26 EUR
3000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 163
BFT25,215 BFT25.pdf
BFT25,215
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Collector current: 6.5mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 30mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Case: SOT23
Frequency: 2.3GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
228+0.31 EUR
327+ 0.22 EUR
410+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 228
BFU520AR BFU520A.pdf
BFU520AR
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 10GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...200
Collector current: 30mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5843 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
97+0.74 EUR
128+ 0.56 EUR
142+ 0.5 EUR
181+ 0.4 EUR
191+ 0.37 EUR
3000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 97
BFU520XAR BFU520X.pdf
BFU520XAR
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BFU530WX BFU530W.pdf
BFU530WX
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.45W
Frequency: 11GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Current gain: 60...200
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2956 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
155+ 0.46 EUR
184+ 0.39 EUR
195+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 71
BFU550AR BFU550A.pdf
BFU550AR
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Collector-emitter voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Current gain: 60...200
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
265+0.27 EUR
360+ 0.2 EUR
410+ 0.18 EUR
455+ 0.16 EUR
480+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 265
BFU580GX BFU580G.pdf
BFU580GX
Hersteller: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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