Produkte > ON SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers ON SEMICONDUCTOR (99430) > Seite 395 nach 1658
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| LM258DMR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, I = 40 мА, Iживл = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Uживл, В = 3...32V, ±1,5...16, Тексп, °C = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми КорAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM258DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1.5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми КорпуAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2902DR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2904DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми КорпAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 34 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM358DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:Anzahl je Verpackung: 98 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM358DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM358NG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM833DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний аудіопідсилювач, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 300, Шир. смуги проп., МГц = 15, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 98 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LMV358DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 160, Uживл, В = 2,7...5,5, Is = 210 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 1 700, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 1 нА,... Інтегральні мікросхемиAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC3303DG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 5...30, ±2,5...15, Is = 2,8 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33071DG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICNAnzahl je Verpackung: 98 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33072DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми КорAnzahl je Verpackung: 98 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33072DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми КорAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 16 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33072P | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, I = 30 мА, Iживл = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Uживл, В = 3...44, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33074DR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Рів. шумів, дБ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні міAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 564 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33078DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: Anzahl je Verpackung: 98 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33078DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18 V, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми КорпусAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 810 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33079P | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 8,4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 Од.Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33178DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 100, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Is = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33179DR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 100 мкА, Iживл = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33202DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 80, Uживл, В = 1,8...12, ±0,9...6,0, Is = 900 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 8 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 2,2, Iвх (bias) = 80 нА,... ІнтегральAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33274ADG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1Anzahl je Verpackung: 55 Stücke |
verfügbar 16 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33274ADR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 37 мА, Iживл = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 135 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33274APG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC34074DG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NE5532AD8G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вAnzahl je Verpackung: 98 Stücke |
verfügbar 331 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NE5532D8G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вAnzahl je Verpackung: 98 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NE5532DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. Anzahl je Verpackung: 75 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NE5534ADR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, I = 38 мА, Iживл = 4 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 500, Uживл, В = ±3...20, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 500 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CAT24C128WI-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CAT24C16WI-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Орг. пам. = 2К x 8, Тдост/Частота = 400 КГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C, Об. пам. = 16 Кбайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CAT24C256WI-G | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Очікується: 12000 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CAV24C02YE-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = I?C, tвстан = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CAV24C256WE-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32 х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Очікується: 22 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NCP1851AFCCT1G | ON Semiconductor |
Контролер заряду Li-іон батареї, Uживл, В = 4,5...7,3, Тексп, °C = -40...+85, Інтерфейс = I?C, USB,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFBGA-25 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NCP360SNT1G | ON Semiconductor |
Контролер захисту від перенапруги USB, Iживл = 24 мкА, Uживл, В = 1,2...20, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-5 Очікується: 100 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| NSV45025AZT1G | ON Semiconductor |
Регулятор струму, Uживл, В = 45 (макс.), Тексп, °C = -55...+150, Точність, % = 10, Iвих., мА = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-261AA Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| CS5171EDR8G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 280 кГц, I = 1,5 А, Uвих, В = 1,28...40, Uвх, В = 2,7...30, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2574N-5G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2575D2T-005 | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2575D2T-12R4G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижаючий стабілізатор, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 12, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 800 Stücke |
verfügbar 898 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2575D2T-5G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2575D2T-ADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний понижаючий СН, Uвх, В = макс. 45, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2575T-5G | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C), Pb-free.... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Очікується: 200 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 107 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2575TV-012G | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" , Vin,В 4.75 ~ 40 V, Vout,В 12V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 52kHz,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2575TV-5 | ON Semiconductor | Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" выводы выгн. 2 ряд(Imax=1.0A, Uout=5V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576D2T-005G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 52 кГц, I = 3 А, Uвх, В = 7...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576D2T-5 | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" (Imax=3.0A, Uout=1.27-37V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576D2T-ADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 193 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576D2T-ADJR4G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576T-5 | ON Semiconductor | ... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576T-5.0 | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576T-5.0G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 45, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2576T-ADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2594DADJR2G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 4,5...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 150, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2596DSADJ | ON Semiconductor |
регулятор напряжения, Vin,В 4.5-40, Vout,В adg, Fпр,кГц 150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2596TADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 150 кГц, I = 3 А, Uвих, В = 1,23...37, Uвх, В = 4,5...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
verfügbar 9 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| LM2596TVADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний СН, Fпр. = 150 кГц, I = 3 А, Uвих, В = 1,23....37, Uвх, В = 4,5...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40....+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 (F) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 50 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33025DW | ON Semiconductor |
Cхема упр.для двухтактных преобр.... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC- Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MC33063AD | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий/інвертуючий СН, Uвх, В = 3...40, Uвих, В = 1,25...40, Fпер, кГц = 33, Iвих = 1,5 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 90 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| LM258DMR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, I = 40 мА, Iживл = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Uживл, В = 3...32V, ±1,5...16, Тексп, °C = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, I = 40 мА, Iживл = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Uживл, В = 3...32V, ±1,5...16, Тексп, °C = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM258DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1.5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпу
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1.5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпу
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2902DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
| LM2904DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корп
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корп
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 34 Stücke:
| LM358DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM358DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM358NG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
| LM833DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний аудіопідсилювач, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 300, Шир. смуги проп., МГц = 15, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Подвоєний операційний аудіопідсилювач, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 300, Шир. смуги проп., МГц = 15, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LMV358DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 160, Uживл, В = 2,7...5,5, Is = 210 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 1 700, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 1 нА,... Інтегральні мікросхеми
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 160, Uживл, В = 2,7...5,5, Is = 210 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 1 700, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 1 нА,... Інтегральні мікросхеми
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC3303DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 5...30, ±2,5...15, Is = 2,8 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 5...30, ±2,5...15, Is = 2,8 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33071DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33072DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
| MC33072DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
| MC33072P |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, I = 30 мА, Iживл = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Uживл, В = 3...44, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, I = 30 мА, Iживл = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Uживл, В = 3...44, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
| MC33074DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Рів. шумів, дБ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мі
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Рів. шумів, дБ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мі
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 564 Stücke:
| MC33078DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33078DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18 V, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18 V, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 810 Stücke:
| MC33079P |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 8,4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 Од.
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 8,4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 Од.
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33178DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 100, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Is = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 100, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Is = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33179DR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 100 мкА, Iживл = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 100 мкА, Iживл = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33202DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 80, Uживл, В = 1,8...12, ±0,9...6,0, Is = 900 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 8 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 2,2, Iвх (bias) = 80 нА,... Інтеграль
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 80, Uживл, В = 1,8...12, ±0,9...6,0, Is = 900 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 8 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 2,2, Iвх (bias) = 80 нА,... Інтеграль
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33274ADG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
Anzahl je Verpackung: 55 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
Anzahl je Verpackung: 55 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
| MC33274ADR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 37 мА, Iживл = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 37 мА, Iживл = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 135 Stücke:
| MC33274APG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC34074DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5532AD8G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
verfügbar 331 Stücke:
| NE5532D8G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5532DG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од.
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од.
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NE5534ADR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, I = 38 мА, Iживл = 4 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 500, Uживл, В = ±3...20, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 500 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, I = 38 мА, Iживл = 4 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 500, Uживл, В = ±3...20, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 500 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT24C128WI-GT3 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT24C16WI-GT3 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Орг. пам. = 2К x 8, Тдост/Частота = 400 КГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C, Об. пам. = 16 Кбайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Орг. пам. = 2К x 8, Тдост/Частота = 400 КГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C, Об. пам. = 16 Кбайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAT24C256WI-G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Очікується: 12000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Очікується: 12000 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CAV24C02YE-GT3 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = I?C, tвстан = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = I?C, tвстан = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
| CAV24C256WE-GT3 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32 х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Очікується: 22 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32 х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Очікується: 22 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1851AFCCT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Контролер заряду Li-іон батареї, Uживл, В = 4,5...7,3, Тексп, °C = -40...+85, Інтерфейс = I?C, USB,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFBGA-25 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Контролер заряду Li-іон батареї, Uживл, В = 4,5...7,3, Тексп, °C = -40...+85, Інтерфейс = I?C, USB,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFBGA-25 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP360SNT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Контролер захисту від перенапруги USB, Iживл = 24 мкА, Uживл, В = 1,2...20, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-5 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Контролер захисту від перенапруги USB, Iживл = 24 мкА, Uживл, В = 1,2...20, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-5 Очікується: 100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NSV45025AZT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Регулятор струму, Uживл, В = 45 (макс.), Тексп, °C = -55...+150, Точність, % = 10, Iвих., мА = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-261AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Регулятор струму, Uживл, В = 45 (макс.), Тексп, °C = -55...+150, Точність, % = 10, Iвих., мА = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-261AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CS5171EDR8G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 280 кГц, I = 1,5 А, Uвих, В = 1,28...40, Uвх, В = 2,7...30, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 280 кГц, I = 1,5 А, Uвих, В = 1,28...40, Uвх, В = 2,7...30, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2574N-5G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2575D2T-005 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2575D2T-12R4G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний понижаючий стабілізатор, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 12, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Імпульсний понижаючий стабілізатор, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 12, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 898 Stücke:
| LM2575D2T-5G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
| LM2575D2T-ADJG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний понижаючий СН, Uвх, В = макс. 45, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний понижаючий СН, Uвх, В = макс. 45, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 5 Stücke:
| LM2575T-5G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C), Pb-free.... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Очікується: 200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C), Pb-free.... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Очікується: 200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 107 Stücke:
| LM2575TV-012G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" , Vin,В 4.75 ~ 40 V, Vout,В 12V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 52kHz,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" , Vin,В 4.75 ~ 40 V, Vout,В 12V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 52kHz,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2575TV-5 |
Hersteller: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" выводы выгн. 2 ряд(Imax=1.0A, Uout=5V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" выводы выгн. 2 ряд(Imax=1.0A, Uout=5V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2576D2T-005G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 52 кГц, I = 3 А, Uвх, В = 7...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 52 кГц, I = 3 А, Uвх, В = 7...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2576D2T-5 |
Hersteller: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" (Imax=3.0A, Uout=1.27-37V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" (Imax=3.0A, Uout=1.27-37V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2576D2T-ADJG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 193 Stücke:
| LM2576D2T-ADJR4G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2576T-5 |
Hersteller: ON Semiconductor
... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2576T-5.0 |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2576T-5.0G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 45, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 45, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2576T-ADJG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2594DADJR2G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 4,5...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 150, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 4,5...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 150, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2596DSADJ |
Hersteller: ON Semiconductor
регулятор напряжения, Vin,В 4.5-40, Vout,В adg, Fпр,кГц 150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
регулятор напряжения, Vin,В 4.5-40, Vout,В adg, Fпр,кГц 150,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LM2596TADJG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 150 кГц, I = 3 А, Uвих, В = 1,23...37, Uвх, В = 4,5...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 150 кГц, I = 3 А, Uвих, В = 1,23...37, Uвх, В = 4,5...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 9 Stücke:
| LM2596TVADJG |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний СН, Fпр. = 150 кГц, I = 3 А, Uвих, В = 1,23....37, Uвх, В = 4,5...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40....+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 (F) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Імпульсний СН, Fпр. = 150 кГц, I = 3 А, Uвих, В = 1,23....37, Uвх, В = 4,5...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40....+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 (F) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33025DW |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Cхема упр.для двухтактных преобр.... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC- Од. вим: шт
Cхема упр.для двухтактных преобр.... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC- Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33063AD |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий/інвертуючий СН, Uвх, В = 3...40, Uвих, В = 1,25...40, Fпер, кГц = 33, Iвих = 1,5 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий/інвертуючий СН, Uвх, В = 3...40, Uвих, В = 1,25...40, Fпер, кГц = 33, Iвих = 1,5 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


