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BC856BLT1 ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 120 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1750 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT3G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857ALT ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf description Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1 ON Semiconductor bcp53t1-d.pdf Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1G ON Semiconductor BCP53T1-D.PDF Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T1G ON Semiconductor BCP53T1_ONS.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T3G ON Semiconductor BCP53T1_ONS.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53T1G ON Semiconductor BCP53T1_ONS.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,5 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3000 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T1 ON Semiconductor BCP56T1_ONS.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T1G ON Semiconductor BCP56T1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T3G ON Semiconductor BCP56T1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 94 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1G ON Semiconductor BCP56T1_ONS.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 280 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP68T1 ON Semiconductor BCP68T1-D.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP69T1 ON Semiconductor BCP69T1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP69T1G ON Semiconductor BCP69T1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW32LT1 ON Semiconductor bcw32lt1-d.pdf Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW33LT1 ON Semiconductor BCW33LT1.pdf Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW33LT1G ON Semiconductor BCW33LT1-D.PDF description Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4000 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW33LT3G ON Semiconductor BCW33LT1.PDF Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 500, 10, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G ON Semiconductor BSS123LT1-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 0,2, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G ON Semiconductor BSS138LT1_ONS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В, Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В, Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Без свинцю,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 218 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G ON Semiconductor BSS63LT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84LT1G ON Semiconductor BSS84LT1-D.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 2440 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114EET1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf description Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86163P ON Semiconductor fdms86163p-d.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 66 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86181 ON Semiconductor FDMS86181-D.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 124 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4125, Qg, нКл = 59, Rds = 4,2 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPQFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8638 ON Semiconductor fds8638-d.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 18, Ciss, пФ @ Uds, В = 5680 @ 15, Qg, нКл = 86, Rds = 4,3 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N ON Semiconductor FDV303N.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806PBF ON Semiconductor IRFR3412.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 43, Rds = 15,8 мОм, Р, Вт = 71, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) ,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806TRPBF ON Semiconductor IRFR3412.pdf N-канальный ПТ (Vds=60V, Id=43A@T=25C, 15.8 mOhm @ 25A, 10V, P=71W, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) -55 to 175C),... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLM220ATF ON Semiconductor IRLM220A_ONS.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,13 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 800 мОм @ 570 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLTS2242TRPBF ON Semiconductor Infineon-IRLTS2242-DataSheet-v01_01-EN.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT2222ADW1T1G ON Semiconductor MBT2222ADW1T1.pdf description Транзистор NPN PB-Free, (Uce=40V, Ic=0.6A, P=150mW, B=100-300@I=150mA, f>300MHz, SOT-363,-55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT3906DW1T1G ON Semiconductor MBT3906DW1T1-D.pdf Подвоєний транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 85 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4G ON Semiconductor MJB41C-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 A, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG ON Semiconductor MJD31-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3А, 4В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 @ 375мА, 3А, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4G ON Semiconductor MJD31-D.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 A, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340G ON Semiconductor MJD340-D_ONS.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 10, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4G ON Semiconductor MJD340-D_ONS.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4G ON Semiconductor MJD340-D_ONS.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf description Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 85, hFE = 40@ 4А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G ON Semiconductor MJD44H11-D.pdf description Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G ON Semiconductor MMBFJ177LT1-D_ONS.PDF P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11 @ 10, Rds = 300 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 800 мВ @ 10 нА, Idss = 1,5 мА @ 15 В,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMBFJ310LT1G ON Semiconductor MMBFJ309LT1-D.pdf N-канальний ПТ з функцією J-FET, Udss, В = 25, Id = 60 мА, Тип монт. = smd, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G ON Semiconductor MMBT2222LT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT1G ON Semiconductor MMBT2222AWT1-D_ONS.pdf description Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
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verfügbar 8880 Stücke:
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MMBT2222LT1 ON Semiconductor mmbt2222lt1-d.pdf description Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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MMBT2907ALT1G ON Semiconductor MMBT2907ALT1-D.PDF Транзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 1740 Stücke:
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MMBT3904LT1G ON Semiconductor mmbt3904lt1-d.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 24 Stücke:
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MMBT3904T ON Semiconductor MMBT3904T.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мА, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-523F Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904T-7-F ON Semiconductor MMBT3904T.pdf Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100, Icutoff-max = 200 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G ON Semiconductor MMBT3906LT1-D.pdf Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 7095 Stücke:
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MMBT4401LT1G ON Semiconductor MMBT4401_ons.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMBT5401 ON Semiconductor mmbt5401.pdf DS_488_MMBT5401.pdf MMBT5401S20S2L.pdf?rlkey=tmhi6phe8dai5zn3yxmpnenb1&st=rscbzo89&dl=1 DS_4530_MMBT5401.pdf MMBT5401%20Rev-0.pdf 5399_MMBT5401%20SOT-23.pdf 5272_MMBT5401.pdf smallsignaltransistor_4.html Транзистор PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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MMBT5401LT1G ON Semiconductor MMBT5401LT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMBT5551LT1G ON Semiconductor MMBT5551LT1.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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MMBTA06LT1G ON Semiconductor MMBTA05LT1-D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1 bc856alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=220-475@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 120 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT1G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 65, Ic = 0,1, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.650 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1750 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC856BLT3G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857ALT BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BLT1G BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857CLT1G description BC856ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1 bcp53t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-10T1G BCP53T1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=-80V, Ic=1.5A, P=1.5W, hFE(63~160) -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T1G BCP53T1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16T3G BCP53T1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1,5, Тип монт. = smd, ft, МГц = 50, hFE = 100 @ 150 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53T1G BCP53T1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,5 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3000 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T1 BCP56T1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T1G BCP56T1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56-16T3G BCP56T1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 94 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP56T1G BCP56T1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 280 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP68T1 BCP68T1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP69T1 BCP69T1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP69T1G BCP69T1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 60, hFE = 85 @ 500 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW32LT1 bcw32lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW33LT1 BCW33LT1.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW33LT1G description BCW33LT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4000 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW33LT3G BCW33LT1.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 500, 10, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 0,2, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LT1G BSS138LT1_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В, Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В, Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Без свинцю,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 218 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1G BSS63LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84LT1G BSS84LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 2440 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTA114EET1G description dta114e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86163P fdms86163p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 66 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86181 FDMS86181-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 124 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4125, Qg, нКл = 59, Rds = 4,2 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPQFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS8638 fds8638-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 18, Ciss, пФ @ Uds, В = 5680 @ 15, Qg, нКл = 86, Rds = 4,3 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDV303N FDV303N.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 680 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Qg, нКл = 2,3 @ 4,5 В, Rds = 450 мОм @ 500 мA, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806PBF description IRFR3412.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 43, Rds = 15,8 мОм, Р, Вт = 71, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) ,... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR3806TRPBF IRFR3412.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=60V, Id=43A@T=25C, 15.8 mOhm @ 25A, 10V, P=71W, DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) -55 to 175C),... Транзистори Корпус: D-Pak Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLM220ATF IRLM220A_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 1,13 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 800 мОм @ 570 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLTS2242TRPBF Infineon-IRLTS2242-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT2222ADW1T1G description MBT2222ADW1T1.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN PB-Free, (Uce=40V, Ic=0.6A, P=150mW, B=100-300@I=150mA, f>300MHz, SOT-363,-55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Подвоєний транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SC70-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 85 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJB41CT4G MJB41C-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 6 А, ft, МГц = 3, hFE = 15 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 700 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 600 мA, 6 A, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3А, 4В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1.2 @ 375мА, 3А, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4G MJD31-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 3 А, ft, МГц = 3, hFE = 10 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,2 @ 375 мA, 3 A, Р, Вт = 1,56, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340G MJD340-D_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 10, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD340T4G MJD340-D_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD350T4G MJD340-D_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD44H11G description MJD44H11-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 85, hFE = 40@ 4А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD45H11G description MJD44H11-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,75, Uceo, В = 80, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 90, hFE = 40 @ 4 А, 1 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Ptot, Вт = 0,225, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 11 @ 10, Rds = 300 Ом, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 800 мВ @ 10 нА, Idss = 1,5 мА @ 15 В,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBFJ310LT1G MMBFJ309LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-канальний ПТ з функцією J-FET, Udss, В = 25, Id = 60 мА, Тип монт. = smd, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222ALT1G MMBT2222LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Icutoff-max = 10 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222AWT1G description MMBT2222AWT1-D_ONS.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 0,15 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 8880 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2222LT1 description mmbt2222lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT2907ALT1G MMBT2907ALT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 1740 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904LT1G mmbt3904lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мА, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.3 @ 5 мА, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 24 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904T MMBT3904T.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,25, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 5 мА, 50 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-523F Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3904T-7-F MMBT3904T.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 300, hFE = 100, Icutoff-max = 200 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3, Р, Вт = 0,15, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-523 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906LT1G MMBT3906LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 200 мА, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 10 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 7095 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT4401LT1G MMBT4401_ons.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 100 @ 150 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401 mmbt5401.pdf DS_488_MMBT5401.pdf MMBT5401S20S2L.pdf?rlkey=tmhi6phe8dai5zn3yxmpnenb1&st=rscbzo89&dl=1 DS_4530_MMBT5401.pdf MMBT5401%20Rev-0.pdf 5399_MMBT5401%20SOT-23.pdf 5272_MMBT5401.pdf smallsignaltransistor_4.html
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=150V, Ic=500mA, P=225mW, B=60-240@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5401LT1G MMBT5401LT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G MMBTA05LT1-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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