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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CL32A106KBJNNNE CL32A106KBJNNNE Samsung info-k10su%201050x5rk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF; 50V; X5R; 10%; SMD; case: 1210;  operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF K10SU 10/50x5rk
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 727 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32B106KBJNNNE CL32B106KBJNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF; 50V; X7R; 10%; SMD; case: 1210;  operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF K10SU 10/50xk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32B106KBJNNNE CL32B106KBJNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF; 50V; X7R; 10%; SMD; case: 1210;  operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF K10SU 10/50xk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A226KOJNNNE CL32A226KOJNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 16V; X5R; 10% ; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF   K10SU 22/16x5rk
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A226KOJNNNE CL32A226KOJNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 16V; X5R; 10% ; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF   K10SU 22/16x5rk
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32B226KOJNNNE CL32B226KOJNNNE Samsung K10SU_22_16xk_0001.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 16V; X7R; 10%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF  K10SU 22/16xk
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 8025 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A226KAJNNNE CL32A226KAJNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 25V; X5R; 10%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF  K10SU 22/25x5rk
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A226KAJNNNE CL32A226KAJNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 25V; X5R; 10%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF  K10SU 22/25x5rk
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A476MQJNNNE CL32A476MQJNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 47uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 47uF  K10SU 47/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A107MQVNNNE CL32A107MQVNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A107MQVNNNE CL32A107MQVNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A107MQVNNNE CL32A107MQVNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A107MQVNNNE CL32A107MQVNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CL32A107MQVNNNE CL32A107MQVNNNE Samsung info-k10su%20%201100xk.pdf Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM05U601NC CIM05U601NC Samsung info-d%20cim05u241nc.pdf Ferrite bead; impedance: 600R; (100MHz); +-25%; 0.3A; 0.6R; SMD0402; operating temperature: -55?125°C CIM05U601NC Samsung Ferite bead DK0402S0600.0/0.300A/0.600R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM10J400NC CIM10J400NC Samsung info-d%20cim10u601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 40R; (100MHz); +-25%; 0.6A; 0.12R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J400NC Samsung Ferite bead DK0603S0040.0/0.600A/0.120R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM10F600NC CIM10F600NC Samsung info-d%20cim10u601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 60R; (100MHz); +-25%; 0.55A; 0.25R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10F600NC Samsung Ferite bead DK0603S0060.0/0.550A/0.250R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIC10J600NC CIC10J600NC Samsung info-d%20cic10p601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 60R; (100MHz); +-25%; 2A; 0.05R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIC10J600NC Samsung Ferite bead DK0603S0060.0/2.000A/0.050R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM10J800NC CIM10J800NC Samsung info-d%20cim10u601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 80R; (100MHz); +-25%; 0.55A; 0.15R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J800NC Samsung Ferite bead DK0603S0080.0/0.550A/0.150R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM10J121NC CIM10J121NC Samsung info-d%20cim10u601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 120R; (100MHz); +-25%; 0.5A; 0.2R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J121NC Samsung Ferite bead DK0603S0120.0/0.500A/0.200R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM10N241NC CIM10N241NC Samsung info-d%20cim10u601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 240R; (100MHz); +-25%; 0.3A; 0.6R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10N241NC Samsung Ferite bead DK0603S0240.0/0.300A/0.600R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIC10P471NC CIC10P471NC Samsung info-d%20cic10p601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 470R; (100MHz); +-25%; 1.2A; 0.15R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIC10P471NC Samsung Ferite bead DK0603S0470.0/1.200A/0.150R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM10J601NC CIM10J601NC Samsung info-d%20cim10u601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 600R; (100MHz); +-25%; 0.3A; 0.45R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J601NC Samsung Ferite bead DK0603S0600.0/0.300A/0.450R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM10J102NC CIM10J102NC Samsung info-d%20cim10u601nc.pdf Ferrite bead; impedance: 1kR; (100MHz); +-25%; 0.25A; 0.6R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J102NC Samsung Ferite bead DK0603S1000.0/0.250A/0.600R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIM21J601NE Samsung info-dk0805s0600.00.200a0.500r.pdf Ferrite bead; impedance: 600R; (100MHz); +-25%; 0.2A; 0.5R; SMD0805; operating temperature: -55?125°C 742792042 Wurth Ferrite bead DK0805S0600.0/0.200A/0.500R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIC31P121NE CIC31P121NE Samsung info-dk1206s0120.02.000a0.025r.pdf Ferrite bead; impedance: 120R; (100MHz); +-25%; 2A; 0.025R; SMD1206; operating temperature: -55?125°C CIC31P121NE Samsung Ferite bead DK1206S0120.0/2.000A/0.025R
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3C4530A01-QER0 Samsung Микроконтроллер 16/32-bit RISC microcontroller, 3.3 V ± 5 %, 0 to + 70C, Up to 50 MHz, 208 pin QFP... Інтегральні мікросхеми Корпус: 208-QFP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H510838D-UCB3 Samsung SAMSS07064-1.PDF Динамічна пам'ять, Uживл, В = 2.5, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 0,7 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H561638H-ZCCC Samsung Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification... Інтегральні мікросхеми Корпус: 66 TSOP-II Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622D-TC80 Samsung Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622H-TC70 Samsung Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-50 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632E-TC75000 Samsung Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632J-UC75T Samsung Микросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632J-UI75 Samsung Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632N-LI75T00 Samsung K4S561632N-LI75T00_SAM.pdf Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 60 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S640832H-TC75 Samsung K4S640832H-TC75.PDF Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 247 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S641632H-UC75T Samsung SAMSS06213-1.PDF Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4T1G164QG-BCF7000 Samsung Samsung_Consumer.pdf Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7M161835B-QC65 Samsung 512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 720 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H511638F-LCCC Samsung k4h511638d.pdf Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6E0808C1E-JC10000 Samsung Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6F1616U6C-FF55 Samsung K6F1616U6C-FF55.PDF Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 64 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R1008V1D-UI10 Samsung Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10 Samsung Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10T Samsung Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-KI10 Samsung Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Очікується: 360 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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K6R4016V1D-TI10 Samsung Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
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K6R4016V1D-UI10 Samsung K6R4016V1D_rev4.pdf Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
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K6T0808C1D-DB55 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
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K6T0808C1D-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
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K6T0808C1D-GB55 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
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K6T0808C1D-GB70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
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K6T0808C1D-GF70 Samsung Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
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K6T1008C2E-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
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K6T1008C2E-GB70 Samsung description Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
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K6T1008C2E-GF55 Samsung Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
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K6T4008C1B-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
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K6T4008C1B-DB70 Samsung Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
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K6T4008C1C-DB55 Samsung Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
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CL32A106KBJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF; 50V; X5R; 10%; SMD; case: 1210;  operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF K10SU 10/50x5rk
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CL32B106KBJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF; 50V; X7R; 10%; SMD; case: 1210;  operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF K10SU 10/50xk
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CL32B106KBJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF; 50V; X7R; 10%; SMD; case: 1210;  operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 10uF K10SU 10/50xk
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CL32A226KOJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 16V; X5R; 10% ; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF   K10SU 22/16x5rk
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CL32A226KOJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 16V; X5R; 10% ; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF   K10SU 22/16x5rk
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CL32B226KOJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 16V; X7R; 10%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 125°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF  K10SU 22/16xk
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CL32A226KAJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 25V; X5R; 10%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF  K10SU 22/25x5rk
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CL32A226KAJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF; 25V; X5R; 10%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 22uF  K10SU 22/25x5rk
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CL32A476MQJNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 47uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 47uF  K10SU 47/06x5rm
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CL32A107MQVNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
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CL32A107MQVNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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CL32A107MQVNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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CL32A107MQVNNNE info-k10su%20%201100xk.pdf
CL32A107MQVNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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CL32A107MQVNNNE info-k10su%20%201100xk.pdf
CL32A107MQVNNNE
Hersteller: Samsung
Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF; 6.3V; X5R; 20%; SMD; case: 1210; operating temperature; -55°C ~ 85°C Multilayer ceramic chip capacitor; 100uF  K10SU100/06x5rm
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 16000 Stücke:
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CIM05U601NC info-d%20cim05u241nc.pdf
CIM05U601NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 600R; (100MHz); +-25%; 0.3A; 0.6R; SMD0402; operating temperature: -55?125°C CIM05U601NC Samsung Ferite bead DK0402S0600.0/0.300A/0.600R
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3000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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CIM10J400NC info-d%20cim10u601nc.pdf
CIM10J400NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 40R; (100MHz); +-25%; 0.6A; 0.12R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J400NC Samsung Ferite bead DK0603S0040.0/0.600A/0.120R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
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1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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CIM10F600NC info-d%20cim10u601nc.pdf
CIM10F600NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 60R; (100MHz); +-25%; 0.55A; 0.25R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10F600NC Samsung Ferite bead DK0603S0060.0/0.550A/0.250R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
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1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 620 Stücke
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CIC10J600NC info-d%20cic10p601nc.pdf
CIC10J600NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 60R; (100MHz); +-25%; 2A; 0.05R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIC10J600NC Samsung Ferite bead DK0603S0060.0/2.000A/0.050R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 270 Stücke:
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1000+0.033 EUR
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CIM10J800NC info-d%20cim10u601nc.pdf
CIM10J800NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 80R; (100MHz); +-25%; 0.55A; 0.15R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J800NC Samsung Ferite bead DK0603S0080.0/0.550A/0.150R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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CIM10J121NC info-d%20cim10u601nc.pdf
CIM10J121NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 120R; (100MHz); +-25%; 0.5A; 0.2R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J121NC Samsung Ferite bead DK0603S0120.0/0.500A/0.200R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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CIM10N241NC info-d%20cim10u601nc.pdf
CIM10N241NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 240R; (100MHz); +-25%; 0.3A; 0.6R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10N241NC Samsung Ferite bead DK0603S0240.0/0.300A/0.600R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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CIC10P471NC info-d%20cic10p601nc.pdf
CIC10P471NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 470R; (100MHz); +-25%; 1.2A; 0.15R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIC10P471NC Samsung Ferite bead DK0603S0470.0/1.200A/0.150R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3540 Stücke:
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3000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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CIM10J601NC info-d%20cim10u601nc.pdf
CIM10J601NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 600R; (100MHz); +-25%; 0.3A; 0.45R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J601NC Samsung Ferite bead DK0603S0600.0/0.300A/0.450R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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2000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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CIM10J102NC info-d%20cim10u601nc.pdf
CIM10J102NC
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 1kR; (100MHz); +-25%; 0.25A; 0.6R; SMD0603; operating temperature: -55?125°C CIM10J102NC Samsung Ferite bead DK0603S1000.0/0.250A/0.600R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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CIM21J601NE info-dk0805s0600.00.200a0.500r.pdf
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 600R; (100MHz); +-25%; 0.2A; 0.5R; SMD0805; operating temperature: -55?125°C 742792042 Wurth Ferrite bead DK0805S0600.0/0.200A/0.500R
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CIC31P121NE info-dk1206s0120.02.000a0.025r.pdf
CIC31P121NE
Hersteller: Samsung
Ferrite bead; impedance: 120R; (100MHz); +-25%; 2A; 0.025R; SMD1206; operating temperature: -55?125°C CIC31P121NE Samsung Ferite bead DK1206S0120.0/2.000A/0.025R
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S3C4530A01-QER0
Hersteller: Samsung
Микроконтроллер 16/32-bit RISC microcontroller, 3.3 V ± 5 %, 0 to + 70C, Up to 50 MHz, 208 pin QFP... Інтегральні мікросхеми Корпус: 208-QFP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H510838D-UCB3 SAMSS07064-1.PDF
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 2.5, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 0,7 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H561638H-ZCCC
Hersteller: Samsung
Память динамическая 256Mb F-die DDR SDRAM Specification... Інтегральні мікросхеми Корпус: 66 TSOP-II Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622D-TC80
Hersteller: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 80ns (125MHz), Vs=3.3V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II)50 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S161622H-TC70
Hersteller: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (512K x 16 bit x 2 banks, 70ns (143MHz), Vdd=3.0-3.6V, Icc1=105mA, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-50 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632E-TC75000
Hersteller: Samsung
Синхронная динамическая память (SDRAM) (16M x 4 bit x 4 banks, 75ns , Vdd=3.3V, , -55 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 480 Stücke
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K4S561632J-UC75T
Hersteller: Samsung
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ) SAMSUNG REEL 2000 SDRAM 256Mb 16Mx16 7,5NS 133MHz RoHSconf... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632J-UI75
Hersteller: Samsung
Микросхема памяти динамическая (ОЗУ)... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S561632N-LI75T00 K4S561632N-LI75T00_SAM.pdf
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 256 Мбіт, Тдост/Частота = 7,5 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
verfügbar 60 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S640832H-TC75 K4S640832H-TC75.PDF
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 1, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 247 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4S641632H-UC75T SAMSS06213-1.PDF
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять, Uживл, В = 3.3, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP(II) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4T1G164QG-BCF7000 Samsung_Consumer.pdf
Hersteller: Samsung
Динамічна пам'ять DDR2 SDRAM, Uживл, В = 1,8, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 64M x 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: FBGA-84 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K7M161835B-QC65
Hersteller: Samsung
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM... Інтегральні мікросхеми Корпус: TQFP-100 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 720 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K4H511638F-LCCC k4h511638d.pdf
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять DDR SDRAM, Uживл, В = 2,3...2,7, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-66 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6E0808C1E-JC10000
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (32K x 8, 10ns, Vcc=+5V, 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-28 Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6F1616U6C-FF55 K6F1616U6C-FF55.PDF
Hersteller: Samsung
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 16, Тдост/Частота = 55 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 64 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R1008V1D-UI10
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (64K x 18, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-32 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-JI10T
Hersteller: Samsung
Быстрая статическая память (512K x 8, 10ns, Vdd=+3.0..3.6V, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4008V1D-KI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 512K x 8, Vcc=3.3V (-40... +85 C) Pb-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOJ-36 Очікується: 360 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-TI10
Hersteller: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C)... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6R4016V1D-UI10 K6R4016V1D_rev4.pdf
Hersteller: Samsung
Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP2-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T0808C1D-GF70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (32k x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-28 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GB70 description
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T1008C2E-GF55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 55ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-DB70
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512k x 8 bit, 70ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1B-GB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55ns, Vs=4.5-5.5V, Vdr=2V(min), 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
K6T4008C1C-DB55
Hersteller: Samsung
Статическая память (SRAM) (512K x 8 bit, 55 ns, Isb... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-32 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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