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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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FAIR hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+3.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 90 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60T IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 19 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
50 Stück - erwartet 04.10.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3 SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 173 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5 SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 Infineon 09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 HARRIS 09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5 SIEMENS 2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.12 EUR
2000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.6 EUR
10+4.22 EUR
25+3.88 EUR
100+3.5 EUR
250+3.32 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+3.92 EUR
100+3.36 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKP20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b0927c97 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 23130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
169+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIKW20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+7.34 EUR
100+5.93 EUR
480+4.54 EUR
1200+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T BIDW20N60T Bourns Bourns_7-25-2022_BIDW20N60T_datasheet.pdf IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.56 EUR
10+4.49 EUR
100+4 EUR
600+3.82 EUR
1200+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 FCA20N60 onsemi / Fairchild FCA20N60-D.PDF MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.89 EUR
10+5.74 EUR
100+5.1 EUR
450+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 FCA20N60 onsemi fca20n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
30+5.68 EUR
120+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi / Fairchild FCA20N60-D.PDF MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+5.7 EUR
100+5.26 EUR
450+4.95 EUR
900+4.91 EUR
2700+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi fca20n60_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.21 EUR
30+5.54 EUR
120+5.23 EUR
510+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F onsemi / Fairchild FCA20N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.4 EUR
10+5.68 EUR
120+5.51 EUR
510+5.37 EUR
1020+5.05 EUR
2520+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F onsemi fca20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.45 EUR
30+5.66 EUR
120+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI fcb20n60f-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi / Fairchild FCB20N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.94 EUR
10+6.28 EUR
100+4.89 EUR
500+4.84 EUR
800+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi fcb20n60f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.99 EUR
10+6.3 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi fcb20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 56817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
10+6.44 EUR
100+4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi fcb20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 56800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi / Fairchild FCB20N60-D.PDF MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 7859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.4 EUR
10+6.48 EUR
100+4.8 EUR
800+4.4 EUR
4800+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi / Fairchild FCD620N60ZF-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.76 EUR
10+1.42 EUR
100+1.37 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi fcd620n60zf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.08 EUR
12+1.5 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.4 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.4 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.43 EUR
50+4.54 EUR
100+4.33 EUR
500+4.03 EUR
1000+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 FCP20N60 onsemi / Fairchild 3B10EF980FCEF77A9F6DE91565C6C400E1F61CD71A63844A2451F8C432B505F0.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.08 EUR
10+4.59 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.32 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.32 EUR
18+4.09 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi / Fairchild FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.99 EUR
10+4.95 EUR
100+4.51 EUR
500+3.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.06 EUR
50+4.78 EUR
100+4.53 EUR
500+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.36 EUR
10+4.87 EUR
100+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi / Fairchild FGB20N60S_F085-D.PDF IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.93 EUR
100+3.5 EUR
500+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3R HGT1S20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
163+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3R HGTG20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
130+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 Fairchild HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.59 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 IGP20N60H3 Infineon Technologies Infineon-IGP20N60H3-DS-v02_02-en.pdf IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 Infineon Technologies IGP20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8ae89001ee1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.17 EUR
50+1.53 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
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HGTG30N60A4.pdf
HGTG20N60A4
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.36 EUR
10+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600
Vce: 1,8
Ic 25: 70
Ic 100: 40
Pd 25: 290
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
verfügbar: 6 Stück
5 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+3.99 EUR
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HGTG20N60A4D
Produktcode: 206983
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hgtg20n60a4d-d.pdf
HGTG20N60A4D
Hersteller: Alfa@Omega
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: PG-TO247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60B3D
Produktcode: 28558
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hgtg20n60b3d-d.pdf
HGTG20N60B3D
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 25/220
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4
Produktcode: 61820
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description hgtp20n60a4-1010384.pdf
HGTP20N60A4
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 15/73
auf Bestellung 90 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IKP20N60T
Produktcode: 84958
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ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
IKP20N60T
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 166 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 18/199
auf Bestellung 19 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 Stück:
50 Stück - erwartet 04.10.2025
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60C3
Produktcode: 25463
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INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP20N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 650
Idd,A: 20.07.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.2400
JHGF: THT
auf Bestellung 173 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP20N60S5
Produktcode: 32013
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description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
SPP20N60S5
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/79
JHGF: THT
auf Bestellung 16 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60A4D
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: Infineon
09+
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: INFINION
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60C3
Hersteller: FAIRCHILD
TO-3P
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: HARRIS
09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20N60S5
Hersteller: SIEMENS
2004 TO220
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+3.12 EUR
2000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.6 EUR
10+4.22 EUR
25+3.88 EUR
100+3.5 EUR
250+3.32 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKB20N60CTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.65 EUR
10+3.92 EUR
100+3.36 EUR
500+3.24 EUR
1000+2.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.29 EUR
16+4.68 EUR
18+4.06 EUR
19+3.83 EUR
250+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKP20N60CTAKSA1 Infineon-AIKP20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b0927c97
AIKP20N60CTAKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 23130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
169+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon-AIKW20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
AIKW20N60CTXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.57 EUR
10+7.34 EUR
100+5.93 EUR
480+4.54 EUR
1200+4.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 TO220F.pdf
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+4.54 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AOTF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A3F356328B548A50&compId=AOTF20N60-DTE.pdf?ci_sign=8885091d68ddf11d3fe1f09411116d8834763a57
AOTF20N60
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
28+2.62 EUR
32+2.27 EUR
34+2.14 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BIDW20N60T Bourns_7-25-2022_BIDW20N60T_datasheet.pdf
BIDW20N60T
Hersteller: Bourns
IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
auf Bestellung 7006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.56 EUR
10+4.49 EUR
100+4 EUR
600+3.82 EUR
1200+3.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 FCA20N60-D.PDF
FCA20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.89 EUR
10+5.74 EUR
100+5.1 EUR
450+4.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.72 EUR
30+5.68 EUR
120+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
FCA20N60-F109
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH MOSFET
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.17 EUR
10+5.7 EUR
100+5.26 EUR
450+4.95 EUR
900+4.91 EUR
2700+4.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60-F109 fca20n60_f109-d.pdf
FCA20N60-F109
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.21 EUR
30+5.54 EUR
120+5.23 EUR
510+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
FCA20N60F
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CH FRFET
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.4 EUR
10+5.68 EUR
120+5.51 EUR
510+5.37 EUR
1020+5.05 EUR
2520+5.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA20N60F fca20n60f-d.pdf
FCA20N60F
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.45 EUR
30+5.66 EUR
120+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.62 EUR
12+6.11 EUR
20+3.68 EUR
21+3.47 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V NCH FRFET
auf Bestellung 10561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.94 EUR
10+6.28 EUR
100+4.89 EUR
500+4.84 EUR
800+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60FTM fcb20n60f-d.pdf
FCB20N60FTM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.99 EUR
10+6.3 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 56817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.32 EUR
10+6.44 EUR
100+4.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM fcb20n60-d.pdf
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 56800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
FCB20N60TM
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
auf Bestellung 7859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.4 EUR
10+6.48 EUR
100+4.8 EUR
800+4.4 EUR
4800+4.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.2 EUR
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
10+1.42 EUR
100+1.37 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD620N60ZF fcd620n60zf-d.pdf
FCD620N60ZF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.08 EUR
12+1.5 EUR
100+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.4 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCP20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.35 EUR
15+5.02 EUR
16+4.65 EUR
17+4.4 EUR
50+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 fcp20n60-d.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.43 EUR
50+4.54 EUR
100+4.33 EUR
500+4.03 EUR
1000+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP20N60 3B10EF980FCEF77A9F6DE91565C6C400E1F61CD71A63844A2451F8C432B505F0.pdf
FCP20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.08 EUR
10+4.59 EUR
100+4.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.32 EUR
18+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f
FCPF20N60
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.15 EUR
17+4.32 EUR
18+4.09 EUR
50+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 FCP20N60-D.pdf
FCPF20N60
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.99 EUR
10+4.95 EUR
100+4.51 EUR
500+3.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCPF20N60 fcp20n60-d.pdf
FCPF20N60
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+9.06 EUR
50+4.78 EUR
100+4.53 EUR
500+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Hersteller: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.36 EUR
10+4.87 EUR
100+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60S_F085-D.PDF
FGB20N60SFD-F085
Hersteller: onsemi / Fairchild
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
auf Bestellung 1574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.41 EUR
10+4.93 EUR
100+3.5 EUR
500+2.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH20N60SFDTU fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf
Hersteller: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+9.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S20N60C3R
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
163+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG20N60C3R
Hersteller: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
130+3.48 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTP20N60A4 description HGTG_HGTP20N60A4_Rev_Apr_2013.pdf
Hersteller: Fairchild
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.59 EUR
34+2.13 EUR
38+1.89 EUR
53+1.36 EUR
56+1.29 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3 Infineon-IGP20N60H3-DS-v02_02-en.pdf
IGP20N60H3
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+1.54 EUR
100+1.37 EUR
500+1.1 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.93 EUR
29+2.5 EUR
44+1.64 EUR
47+1.54 EUR
50+1.5 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126b8ae89001ee1
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.17 EUR
50+1.53 EUR
100+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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