Suchergebnisse für "20N60" : > 60

Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HGTG20N60A4 HGTG20N60A4
Produktcode: 32885
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FAIR HGTG30N60A4.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+4 EUR
10+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
Produktcode: 29312
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Fairchild hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
verfügbar: 5 St.
    1+4.75 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
    Produktcode: 206983
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Alfa@Omega hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-247-3
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 Вт
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
    auf Bestellung 2 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60A4D HGTG20N60A4D
    Produktcode: 221454
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Vbsemi hgtg20n60a4d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-247-3
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 Вт
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
    Produkt ist nicht verfügbar
    erwartet: 20 St.
    • 20 St. - erwartet 25.07.2026
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60B3D HGTG20N60B3D
    Produktcode: 28558
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Fairchild hgtg20n60b3d-d.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-247
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 А
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 А
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 165 Вт
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/220
    auf Bestellung 21 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTP20N60A4 HGTP20N60A4
    Produktcode: 61820
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Fairchild hgtp20n60a4-1010384.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-220
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 Вт
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
    auf Bestellung 21 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKP20N60T IKP20N60T
    Produktcode: 84958
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-220
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 В
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 А
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 А
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 166 Вт
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/199
    auf Bestellung 61 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SPP20N60C3 SPP20N60C3
    Produktcode: 25463
    5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Infineon INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
    Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
    Montage: THT
    auf Bestellung 85 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SPP20N60S5 SPP20N60S5
    Produktcode: 32013
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		Infineon SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b description Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
    Drain-Strom Idd, A: 20 А
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ом
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/79
    Montage: THT
    auf Bestellung 18 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    20N60A4D
    auf Bestellung 150 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    20N60C3 FAIRCHILD TO-3P
    auf Bestellung 5000 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    20N60S5 HARRIS 09+
    auf Bestellung 6018 Stücke:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
    auf Bestellung 910 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+8.59 EUR
    10+5.81 EUR
    100+5.05 EUR
    500+4.86 EUR
    1000+4.44 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
    Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
    Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
    Gate Charge: 120 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
    Power - Max: 156 W
    Grade: Automotive
    Qualification: AEC-Q101
    auf Bestellung 2000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1000+4.81 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
    Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
    Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
    Gate Charge: 120 nC
    Grade: Automotive
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
    Power - Max: 156 W
    Qualification: AEC-Q101
    auf Bestellung 3971 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+7.77 EUR
    10+5.88 EUR
    25+5.41 EUR
    100+4.89 EUR
    250+4.81 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKP20N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
    Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
    Type of transistor: IGBT
    Technology: TRENCHSTOP™
    Power dissipation: 156W
    Case: TO220-3
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Gate charge: 0.12µC
    Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    Pulsed collector current: 60A
    Turn-on time: 32ns
    Turn-off time: 241ns
    Gate-emitter voltage: ±20V
    Collector current: 20A
    Collector-emitter voltage: 600V
    auf Bestellung 291 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    15+5.95 EUR
    17+5.27 EUR
    18+4.74 EUR
    50+4.4 EUR
    250+4.39 EUR
    Mindestbestellmenge: 15 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
    auf Bestellung 126 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+13.14 EUR
    10+8.79 EUR
    100+7.06 EUR
    480+6.62 EUR
    1200+5.78 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF20N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
    Type of transistor: N-MOSFET
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 12A
    Case: TO220F
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 370mΩ
    Mounting: THT
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 61nC
    auf Bestellung 333 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    26+3.28 EUR
    30+2.89 EUR
    33+2.58 EUR
    100+2.45 EUR
    Mindestbestellmenge: 26 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    AOTF20N60 AOTF20N60 ALPHA&OMEGA info-taotf20n60.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
    Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
    auf Bestellung 50 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    10+6.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-D.PDF MOSFETs 600V N-CH MOSFET
    auf Bestellung 377 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+13.51 EUR
    10+7.79 EUR
    120+6.53 EUR
    510+6.5 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCA20N60-F109 FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-3PN
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
    auf Bestellung 432 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+13.76 EUR
    30+7.95 EUR
    120+6.68 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCA20N60F FCA20N60F onsemi FCA20N60F-D.PDF MOSFETs 600V N-CH FRFET
    auf Bestellung 343 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+13.36 EUR
    10+7.72 EUR
    120+6.47 EUR
    510+6.39 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCA20N60F FCA20N60F onsemi FCA20N60F-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-3PN
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
    auf Bestellung 2722 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+13.61 EUR
    30+7.85 EUR
    120+6.59 EUR
    510+5.7 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCB20N60FTM FCB20N60FTM ONSEMI FCB20N60F-D.pdf Category: SMD N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: SuperFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 12.5A
    Power dissipation: 208W
    Case: D2PAK
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.19Ω
    Mounting: SMD
    Kind of package: reel; tape
    Kind of channel: enhancement
    auf Bestellung 695 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    12+7.28 EUR
    14+6.46 EUR
    16+5.41 EUR
    25+4.68 EUR
    50+4.24 EUR
    100+3.96 EUR
    Mindestbestellmenge: 12 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf MOSFETs 600V NCH FRFET
    auf Bestellung 9210 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+12.65 EUR
    10+8.51 EUR
    100+6.18 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1600 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    800+4.83 EUR
    Mindestbestellmenge: 800 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCB20N60FTM FCB20N60FTM onsemi FCB20N60F-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1685 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+12.88 EUR
    10+8.66 EUR
    100+6.28 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
    auf Bestellung 482 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+13.01 EUR
    10+8.77 EUR
    100+6.35 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCB20N60TM FCB20N60TM onsemi FCB20N60-D.PDF MOSFETs HIGH POWER
    auf Bestellung 4833 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+12.78 EUR
    10+8.6 EUR
    100+6.24 EUR
    500+5.49 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF-D.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
    auf Bestellung 5001 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+5.34 EUR
    10+3.47 EUR
    100+2.39 EUR
    500+1.93 EUR
    1000+1.82 EUR
    2500+1.7 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
    Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
    auf Bestellung 12500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2500+1.54 EUR
    5000+1.51 EUR
    Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCD620N60ZF FCD620N60ZF onsemi FCD620N60ZF-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
    Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±20V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
    auf Bestellung 12500 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.45 EUR
    10+3.52 EUR
    100+2.43 EUR
    500+1.95 EUR
    1000+1.86 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCH20N60 FCH20N60 Fairchild Semiconductor FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-247-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-247
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
    auf Bestellung 838 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    92+5.99 EUR
    Mindestbestellmenge: 92 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCP20N60 FCP20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: SuperFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 20A
    Power dissipation: 208W
    Case: TO220AB
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.19Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Gate charge: 98nC
    auf Bestellung 90 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    11+7.95 EUR
    13+6.82 EUR
    17+5.31 EUR
    50+5.02 EUR
    Mindestbestellmenge: 11 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCP20N60 FCP20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-220-3
    Part Status: Not For New Designs
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    Vgs (Max): ±30V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
    auf Bestellung 1666 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+11.83 EUR
    50+6.3 EUR
    100+5.76 EUR
    500+4.83 EUR
    1000+4.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCP20N60 FCP20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
    auf Bestellung 1114 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+11.6 EUR
    10+6.2 EUR
    100+5.65 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCPF20N60 FCPF20N60 ONSEMI FCP20N60.pdf Category: THT N channel transistors
    Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
    Type of transistor: N-MOSFET
    Technology: SuperFET®
    Polarisation: unipolar
    Drain-source voltage: 600V
    Drain current: 12.5A
    Power dissipation: 39W
    Case: TO220FP
    Gate-source voltage: ±30V
    On-state resistance: 0.19Ω
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Kind of channel: enhancement
    Pulsed drain current: 60A
    Gate charge: 98nC
    auf Bestellung 16 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    12+7.25 EUR
    13+6.76 EUR
    16+5.58 EUR
    Mindestbestellmenge: 12 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FCPF20N60 FCPF20N60 onsemi FCP20N60-D.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
    auf Bestellung 892 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+11.65 EUR
    10+6.2 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
    IGBT Type: Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
    Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
    Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
    Gate Charge: 63 nC
    Grade: Automotive
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
    Power - Max: 208 W
    Qualification: AEC-Q101
    auf Bestellung 656 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+9.53 EUR
    10+6.32 EUR
    100+4.5 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
    auf Bestellung 1420 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+9.34 EUR
    10+6.22 EUR
    100+4.41 EUR
    500+3.71 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU ON-Semiconductor info-tfgh20n60sfdtu.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
    Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
    auf Bestellung 28 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    4+12.19 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGT1S20N60B3S HGT1S20N60B3S Harris Corporation HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-263AB
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Input Type: Standard
    Supplier Device Package: TO-263AB
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    auf Bestellung 635 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    88+6.3 EUR
    Mindestbestellmenge: 88 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGT1S20N60C3R HGT1S20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-262
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
    Gate Charge: 116 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
    Power - Max: 164 W
    auf Bestellung 505 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    136+4.06 EUR
    Mindestbestellmenge: 136 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60B3 HGTG20N60B3 Harris Corporation ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-247-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: TO-247
    Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
    Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
    Gate Charge: 80 nC
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
    Power - Max: 165 W
    auf Bestellung 2057 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    77+7.13 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60B3-FS HGTG20N60B3-FS Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-247-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: TO-247
    Gate Charge: 135 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
    Power - Max: 165 W
    auf Bestellung 42154 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    77+7.13 EUR
    Mindestbestellmenge: 77 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60C3R HGTG20N60C3R Harris Corporation HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 40A TO-247
    Packaging: Bulk
    Package / Case: TO-247-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: TO-247
    Gate Charge: 116 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
    Power - Max: 164 W
    auf Bestellung 3695 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    108+5.12 EUR
    Mindestbestellmenge: 108 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTP20N60A4 HGTP20N60A4 Fairchild info-thgtp20n60a4.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
    Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
    auf Bestellung 47 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    5+9.19 EUR
    Mindestbestellmenge: 5 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
    Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
    Type of transistor: IGBT
    Power dissipation: 170W
    Case: TO220-3
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Gate-emitter voltage: ±20V
    Collector current: 20A
    Collector-emitter voltage: 600V
    auf Bestellung 2 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    2+42.54 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
    auf Bestellung 287 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+7.71 EUR
    100+5.51 EUR
    500+4.27 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: PG-TO263-3
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
    Switching Energy: 690µJ
    Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
    Gate Charge: 120 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
    Power - Max: 170 W
    auf Bestellung 616 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    3+10.09 EUR
    10+6.71 EUR
    100+4.8 EUR
    500+4.32 EUR
    Mindestbestellmenge: 3 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
    auf Bestellung 1435 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+11 EUR
    10+7.2 EUR
    100+5.32 EUR
    500+4.71 EUR
    1000+4.19 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
    Packaging: Tape & Reel (TR)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
    Switching Energy: 770µJ
    Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
    Gate Charge: 120 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
    Power - Max: 166 W
    auf Bestellung 3000 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1000+3.89 EUR
    2000+3.72 EUR
    Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
    Switching Energy: 770µJ
    Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
    Gate Charge: 120 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
    Power - Max: 166 W
    auf Bestellung 4283 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    2+10.5 EUR
    10+7 EUR
    100+5.01 EUR
    500+4.56 EUR
    Mindestbestellmenge: 2 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKP20N60T IKP20N60T Infineon info-tikp20n60t.pdf Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
    Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
    auf Bestellung 80 Stücke:
    Lieferzeit 7-14 Tag (e)
    10+6.25 EUR
    Mindestbestellmenge: 10 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
    Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
    Type of transistor: IGBT
    Technology: TRENCHSTOP™
    Power dissipation: 166W
    Case: TO220-3
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Gate charge: 0.12µC
    Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    Pulsed collector current: 60A
    Turn-on time: 36ns
    Turn-off time: 299ns
    Gate-emitter voltage: ±20V
    Collector current: 20A
    Collector-emitter voltage: 600V
    auf Bestellung 175 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    26+3.33 EUR
    31+2.76 EUR
    Mindestbestellmenge: 26 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies IKP_W20N60T+Rev2_5G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bd1fce7135bd Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-220-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
    Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
    Switching Energy: 770µJ
    Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
    Gate Charge: 120 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
    Power - Max: 166 W
    auf Bestellung 1661 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    4+5.28 EUR
    50+2.61 EUR
    100+2.34 EUR
    500+1.89 EUR
    1000+1.74 EUR
    Mindestbestellmenge: 4 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
    auf Bestellung 827 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+24.38 EUR
    10+18.18 EUR
    100+15.14 EUR
    480+13.48 EUR
    1200+12.78 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d230bd094df7 Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
    Packaging: Tube
    Package / Case: TO-247-3
    Mounting Type: Through Hole
    Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
    Input Type: Standard
    Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
    Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
    IGBT Type: Trench Field Stop
    Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
    Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
    Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
    Gate Charge: 703 nC
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
    Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
    Power - Max: 833 W
    auf Bestellung 1208 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+24.19 EUR
    30+14.59 EUR
    120+12.48 EUR
    510+11.23 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
    Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
    Type of transistor: IGBT
    Technology: TRENCHSTOP™
    Power dissipation: 85W
    Case: TO247-3
    Mounting: THT
    Kind of package: tube
    Gate charge: 0.12µC
    Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
    Pulsed collector current: 80A
    Turn-on time: 28ns
    Turn-off time: 205ns
    Gate-emitter voltage: ±20V
    Collector current: 20A
    Collector-emitter voltage: 600V
    auf Bestellung 49 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    23+3.75 EUR
    26+3.3 EUR
    30+2.86 EUR
    36+2.38 EUR
    Mindestbestellmenge: 23 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
    auf Bestellung 379 Stücke:
    Lieferzeit 10-14 Tag (e)
    1+12.21 EUR
    10+8 EUR
    100+5.89 EUR
    480+5.21 EUR
    1200+4.65 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60A4
    Produktcode: 32885
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		HGTG30N60A4.pdf
    HGTG20N60A4
    Hersteller: FAIR
    Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-247
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
    auf Bestellung 1 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+4 EUR
    10+3.33 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    HGTG20N60A4D
    Produktcode: 29312
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		hgtg20n60a4d-d.pdf
    HGTG20N60A4D
    Hersteller: Fairchild
    Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
    Gehäuse: TO-247
    Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
    Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 V
    Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
    Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
    Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 W
    Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
    verfügbar: 5 St.
      AnzahlPrivatkunde
      1+4.75 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTG20N60A4D
      Produktcode: 206983
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		hgtg20n60a4d-d.pdf
      HGTG20N60A4D
      Hersteller: Alfa@Omega
      Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-247-3
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
      auf Bestellung 2 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTG20N60A4D
      Produktcode: 221454
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		hgtg20n60a4d-d.pdf
      HGTG20N60A4D
      Hersteller: Vbsemi
      Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-247-3
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
      Produkt ist nicht verfügbar
      erwartet: 20 St.
      • 20 St. - erwartet 25.07.2026
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTG20N60B3D
      Produktcode: 28558
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		hgtg20n60b3d-d.pdf
      HGTG20N60B3D
      Hersteller: Fairchild
      Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-247
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 165 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/220
      auf Bestellung 21 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTP20N60A4
      Produktcode: 61820
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		description hgtp20n60a4-1010384.pdf
      HGTP20N60A4
      Hersteller: Fairchild
      Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-220
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,8 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 290 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 15/73
      auf Bestellung 21 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKP20N60T
      Produktcode: 84958
      zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		ikp20n60t_ikb20n60t_ikw20n60t.pdf
      IKP20N60T
      Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
      Gehäuse: TO-220
      Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
      Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 В
      Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 А
      Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 А
      Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 166 Вт
      Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 18/199
      auf Bestellung 61 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      SPP20N60C3
      Produktcode: 25463
      5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		INFN-S-A0004583378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      SPP20N60C3
      Hersteller: Infineon
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 650 V
      Drain-Strom Idd, A: 20,7 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2400/11
      Montage: THT
      auf Bestellung 85 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      SPP20N60S5
      Produktcode: 32013
      1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
      		description SPP20N60S5_Rev.2.8.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01237f9a14552fd9&folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b
      SPP20N60S5
      Hersteller: Infineon
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
      Drain-Strom Idd, A: 20 А
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ом
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/79
      Montage: THT
      auf Bestellung 18 St.:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      20N60A4D
      auf Bestellung 150 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      20N60C3
      Hersteller: FAIRCHILD
      TO-3P
      auf Bestellung 5000 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      20N60S5
      Hersteller: HARRIS
      09+
      auf Bestellung 6018 Stücke:
      Lieferzeit 21-28 Tag (e)
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf
      AIKB20N60CTATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs DISCRETES
      auf Bestellung 910 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+8.59 EUR
      10+5.81 EUR
      100+5.05 EUR
      500+4.86 EUR
      1000+4.44 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
      AIKB20N60CTATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
      Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
      Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
      Gate Charge: 120 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
      Power - Max: 156 W
      Grade: Automotive
      Qualification: AEC-Q101
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1000+4.81 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AIKB20N60CTATMA1 Infineon-AIKB20N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382a94c7c95
      AIKB20N60CTATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
      Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
      Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
      Gate Charge: 120 nC
      Grade: Automotive
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
      Power - Max: 156 W
      Qualification: AEC-Q101
      auf Bestellung 3971 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3+7.77 EUR
      10+5.88 EUR
      25+5.41 EUR
      100+4.89 EUR
      250+4.81 EUR
      Mindestbestellmenge: 3 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CT.pdf
      AIKP20N60CTAKSA1
      Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
      Category: THT IGBT transistors
      Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
      Type of transistor: IGBT
      Technology: TRENCHSTOP™
      Power dissipation: 156W
      Case: TO220-3
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Gate charge: 0.12µC
      Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
      Pulsed collector current: 60A
      Turn-on time: 32ns
      Turn-off time: 241ns
      Gate-emitter voltage: ±20V
      Collector current: 20A
      Collector-emitter voltage: 600V
      auf Bestellung 291 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      15+5.95 EUR
      17+5.27 EUR
      18+4.74 EUR
      50+4.4 EUR
      250+4.39 EUR
      Mindestbestellmenge: 15 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AIKW20N60CTXKSA1 Infineon_AIKW20N60CT_DS_v02_01_EN.pdf
      AIKW20N60CTXKSA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs DISCRETES
      auf Bestellung 126 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+13.14 EUR
      10+8.79 EUR
      100+7.06 EUR
      480+6.62 EUR
      1200+5.78 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOTF20N60 AOTF20N60-DTE.pdf
      AOTF20N60
      Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; TO220F
      Type of transistor: N-MOSFET
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 12A
      Case: TO220F
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 370mΩ
      Mounting: THT
      Kind of channel: enhancement
      Gate charge: 61nC
      auf Bestellung 333 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      26+3.28 EUR
      30+2.89 EUR
      33+2.58 EUR
      100+2.45 EUR
      Mindestbestellmenge: 26 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      AOTF20N60 info-taotf20n60.pdf
      AOTF20N60
      Hersteller: ALPHA&OMEGA
      Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF20N60 TAOTF20n60
      Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
      auf Bestellung 50 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      10+6.32 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
      FCA20N60-F109
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs 600V N-CH MOSFET
      auf Bestellung 377 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+13.51 EUR
      10+7.79 EUR
      120+6.53 EUR
      510+6.5 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCA20N60-F109 FCA20N60-D.PDF
      FCA20N60-F109
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
      Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-3PN
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
      auf Bestellung 432 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+13.76 EUR
      30+7.95 EUR
      120+6.68 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
      FCA20N60F
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs 600V N-CH FRFET
      auf Bestellung 343 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+13.36 EUR
      10+7.72 EUR
      120+6.47 EUR
      510+6.39 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCA20N60F FCA20N60F-D.PDF
      FCA20N60F
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
      Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-3PN
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
      auf Bestellung 2722 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+13.61 EUR
      30+7.85 EUR
      120+6.59 EUR
      510+5.7 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
      FCB20N60FTM
      Hersteller: ONSEMI
      Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; 208W; D2PAK
      Type of transistor: N-MOSFET
      Technology: SuperFET®
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 12.5A
      Power dissipation: 208W
      Case: D2PAK
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 0.19Ω
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel; tape
      Kind of channel: enhancement
      auf Bestellung 695 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      12+7.28 EUR
      14+6.46 EUR
      16+5.41 EUR
      25+4.68 EUR
      50+4.24 EUR
      100+3.96 EUR
      Mindestbestellmenge: 12 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
      FCB20N60FTM
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs 600V NCH FRFET
      auf Bestellung 9210 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+12.65 EUR
      10+8.51 EUR
      100+6.18 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
      FCB20N60FTM
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
      Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
      auf Bestellung 1600 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      800+4.83 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCB20N60FTM FCB20N60F-D.pdf
      FCB20N60FTM
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
      Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
      auf Bestellung 1685 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+12.88 EUR
      10+8.66 EUR
      100+6.28 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
      FCB20N60TM
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
      Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
      auf Bestellung 482 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+13.01 EUR
      10+8.77 EUR
      100+6.35 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCB20N60TM FCB20N60-D.PDF
      FCB20N60TM
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs HIGH POWER
      auf Bestellung 4833 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+12.78 EUR
      10+8.6 EUR
      100+6.24 EUR
      500+5.49 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
      FCD620N60ZF
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620mO
      auf Bestellung 5001 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+5.34 EUR
      10+3.47 EUR
      100+2.39 EUR
      500+1.93 EUR
      1000+1.82 EUR
      2500+1.7 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
      FCD620N60ZF
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
      Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-252AA
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
      auf Bestellung 12500 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2500+1.54 EUR
      5000+1.51 EUR
      Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCD620N60ZF FCD620N60ZF-D.pdf
      FCD620N60ZF
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.6A, 10V
      Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-252AA
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 25 V
      auf Bestellung 12500 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4+5.45 EUR
      10+3.52 EUR
      100+2.43 EUR
      500+1.95 EUR
      1000+1.86 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCH20N60 FAIRS27745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      FCH20N60
      Hersteller: Fairchild Semiconductor
      Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-247-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
      Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-247
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
      auf Bestellung 838 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      92+5.99 EUR
      Mindestbestellmenge: 92 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCP20N60 FCP20N60.pdf
      FCP20N60
      Hersteller: ONSEMI
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
      Type of transistor: N-MOSFET
      Technology: SuperFET®
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 20A
      Power dissipation: 208W
      Case: TO220AB
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 0.19Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Gate charge: 98nC
      auf Bestellung 90 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      11+7.95 EUR
      13+6.82 EUR
      17+5.31 EUR
      50+5.02 EUR
      Mindestbestellmenge: 11 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCP20N60 FCP20N60-D.pdf
      FCP20N60
      Hersteller: onsemi
      Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
      Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220-3
      Part Status: Not For New Designs
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
      Vgs (Max): ±30V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
      auf Bestellung 1666 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+11.83 EUR
      50+6.3 EUR
      100+5.76 EUR
      500+4.83 EUR
      1000+4.72 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCP20N60 FCP20N60-D.pdf
      FCP20N60
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
      auf Bestellung 1114 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+11.6 EUR
      10+6.2 EUR
      100+5.65 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCPF20N60 FCP20N60.pdf
      FCPF20N60
      Hersteller: ONSEMI
      Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
      Type of transistor: N-MOSFET
      Technology: SuperFET®
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 600V
      Drain current: 12.5A
      Power dissipation: 39W
      Case: TO220FP
      Gate-source voltage: ±30V
      On-state resistance: 0.19Ω
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Pulsed drain current: 60A
      Gate charge: 98nC
      auf Bestellung 16 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      12+7.25 EUR
      13+6.76 EUR
      16+5.58 EUR
      Mindestbestellmenge: 12 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FCPF20N60 FCP20N60-D.pdf
      FCPF20N60
      Hersteller: onsemi
      MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
      auf Bestellung 892 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+11.65 EUR
      10+6.2 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
      FGB20N60SFD-F085
      Hersteller: onsemi
      Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
      IGBT Type: Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
      Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
      Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
      Gate Charge: 63 nC
      Grade: Automotive
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
      Power - Max: 208 W
      Qualification: AEC-Q101
      auf Bestellung 656 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3+9.53 EUR
      10+6.32 EUR
      100+4.5 EUR
      Mindestbestellmenge: 3 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
      FGB20N60SFD-F085
      Hersteller: onsemi
      IGBTs 600V 20A FSP IGBT
      auf Bestellung 1420 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+9.34 EUR
      10+6.22 EUR
      100+4.41 EUR
      500+3.71 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      FGH20N60SFDTU info-tfgh20n60sfdtu.pdf
      FGH20N60SFDTU
      Hersteller: ON-Semiconductor
      Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
      Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
      auf Bestellung 28 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4+12.19 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGT1S20N60B3S HRISC016-5.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      HGT1S20N60B3S
      Hersteller: Harris Corporation
      Description: IGBT 600V 40A TO-263AB
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Input Type: Standard
      Supplier Device Package: TO-263AB
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      auf Bestellung 635 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      88+6.3 EUR
      Mindestbestellmenge: 88 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGT1S20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      HGT1S20N60C3R
      Hersteller: Harris Corporation
      Description: IGBT 600V 40A TO-262
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
      Gate Charge: 116 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
      Power - Max: 164 W
      auf Bestellung 505 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      136+4.06 EUR
      Mindestbestellmenge: 136 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTG20N60B3 ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      HGTG20N60B3
      Hersteller: Harris Corporation
      Description: IGBT 600V 40A TO-247
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-247-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: TO-247
      Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
      Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
      Gate Charge: 80 nC
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
      Power - Max: 165 W
      auf Bestellung 2057 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      77+7.13 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTG20N60B3-FS ONSM-S-A0003590691-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      HGTG20N60B3-FS
      Hersteller: Fairchild Semiconductor
      Description: IGBT 600V 40A TO-247
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-247-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: TO-247
      Gate Charge: 135 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
      Power - Max: 165 W
      auf Bestellung 42154 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      77+7.13 EUR
      Mindestbestellmenge: 77 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTG20N60C3R HRISS475-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
      HGTG20N60C3R
      Hersteller: Harris Corporation
      Description: IGBT 600V 40A TO-247
      Packaging: Bulk
      Package / Case: TO-247-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: TO-247
      Gate Charge: 116 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
      Power - Max: 164 W
      auf Bestellung 3695 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      108+5.12 EUR
      Mindestbestellmenge: 108 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      HGTP20N60A4 description info-thgtp20n60a4.pdf
      HGTP20N60A4
      Hersteller: Fairchild
      Transistor IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;   HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
      Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
      auf Bestellung 47 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      5+9.19 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
      IGP20N60H3XKSA1
      Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
      Category: THT IGBT transistors
      Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
      Type of transistor: IGBT
      Power dissipation: 170W
      Case: TO220-3
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Gate-emitter voltage: ±20V
      Collector current: 20A
      Collector-emitter voltage: 600V
      auf Bestellung 2 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+42.54 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en.pdf
      IKB20N60H3
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
      auf Bestellung 287 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+7.71 EUR
      100+5.51 EUR
      500+4.27 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0
      IKB20N60H3ATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: PG-TO263-3
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
      Switching Energy: 690µJ
      Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
      Gate Charge: 120 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
      Power - Max: 170 W
      auf Bestellung 616 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      3+10.09 EUR
      10+6.71 EUR
      100+4.8 EUR
      500+4.32 EUR
      Mindestbestellmenge: 3 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN.pdf
      IKB20N60T
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
      auf Bestellung 1435 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+11 EUR
      10+7.2 EUR
      100+5.32 EUR
      500+4.71 EUR
      1000+4.19 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKB20N60TATMA1 IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12
      IKB20N60TATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
      Switching Energy: 770µJ
      Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
      Gate Charge: 120 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
      Power - Max: 166 W
      auf Bestellung 3000 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1000+3.89 EUR
      2000+3.72 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKB20N60TATMA1 IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12
      IKB20N60TATMA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
      Switching Energy: 770µJ
      Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
      Gate Charge: 120 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
      Power - Max: 166 W
      auf Bestellung 4283 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      2+10.5 EUR
      10+7 EUR
      100+5.01 EUR
      500+4.56 EUR
      Mindestbestellmenge: 2 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKP20N60T info-tikp20n60t.pdf
      IKP20N60T
      Hersteller: Infineon
      Transistor IGBT ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
      Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
      auf Bestellung 80 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      10+6.25 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
      IKP20N60TXKSA1
      Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
      Category: THT IGBT transistors
      Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
      Type of transistor: IGBT
      Technology: TRENCHSTOP™
      Power dissipation: 166W
      Case: TO220-3
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Gate charge: 0.12µC
      Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
      Pulsed collector current: 60A
      Turn-on time: 36ns
      Turn-off time: 299ns
      Gate-emitter voltage: ±20V
      Collector current: 20A
      Collector-emitter voltage: 600V
      auf Bestellung 175 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      26+3.33 EUR
      31+2.76 EUR
      Mindestbestellmenge: 26 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKP20N60TXKSA1 IKP_W20N60T+Rev2_5G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bd1fce7135bd
      IKP20N60TXKSA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO220-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
      Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
      Switching Energy: 770µJ
      Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
      Gate Charge: 120 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
      Power - Max: 166 W
      auf Bestellung 1661 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      4+5.28 EUR
      50+2.61 EUR
      100+2.34 EUR
      500+1.89 EUR
      1000+1.74 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN.pdf
      IKQ120N60TXKSA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs IGBT PRODUCTS
      auf Bestellung 827 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+24.38 EUR
      10+18.18 EUR
      100+15.14 EUR
      480+13.48 EUR
      1200+12.78 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKQ120N60TXKSA1 Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d230bd094df7
      IKQ120N60TXKSA1
      Hersteller: Infineon Technologies
      Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-247-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
      Input Type: Standard
      Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
      Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
      IGBT Type: Trench Field Stop
      Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
      Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
      Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
      Gate Charge: 703 nC
      Part Status: Active
      Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
      Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
      Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
      Power - Max: 833 W
      auf Bestellung 1208 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+24.19 EUR
      30+14.59 EUR
      120+12.48 EUR
      510+11.23 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
      IKW20N60H3FKSA1
      Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
      Category: THT IGBT transistors
      Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
      Type of transistor: IGBT
      Technology: TRENCHSTOP™
      Power dissipation: 85W
      Case: TO247-3
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Gate charge: 0.12µC
      Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
      Pulsed collector current: 80A
      Turn-on time: 28ns
      Turn-off time: 205ns
      Gate-emitter voltage: ±20V
      Collector current: 20A
      Collector-emitter voltage: 600V
      auf Bestellung 49 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      23+3.75 EUR
      26+3.3 EUR
      30+2.86 EUR
      36+2.38 EUR
      Mindestbestellmenge: 23 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN.pdf
      IKW20N60T
      Hersteller: Infineon Technologies
      IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
      auf Bestellung 379 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      AnzahlPrivatkunde
      1+12.21 EUR
      10+8 EUR
      100+5.89 EUR
      480+5.21 EUR
      1200+4.65 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      Wählen Sie Seite:   1 2  [ Nächste Seite >> ]