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2SC3320 (Bipolartransistor NPN) 2SC3320 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 13498
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Fujitsu 2sc3320.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247 (TO-3P)
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 15
h21: 10
ZCODE: THT
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331 (Transistor) 2SC3331 (Transistor)
Produktcode: 62502
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Sanyo datasheet_2sa33331.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92FL-3
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
verfügbar: 25 Stück
1+0.2 EUR
10+0.18 EUR
100+0.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 (Bipolartransistor NPN) 2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27278
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NEC 2SC3356.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 2092 Stück
120 Stück - stock Köln
1972 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3357 (Bipolartransistor NPN) 2SC3357 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1873
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NEC 2SC3357.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 6.5 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 337 Stück
15 Stück - stock Köln
322 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.45 EUR
10+0.42 EUR
100+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303 Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.9 EUR
10+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba 13962sc3303_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.12 EUR
101+1.39 EUR
200+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
auf Bestellung 8422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B18E5F4F0536EA15&compId=2SC3325.pdf?ci_sign=aa9871d3ea7ccdba40425a1c45c4365fb635ff6a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 5480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
650+0.11 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 22938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
12+0.25 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.078 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.066 EUR
15000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 19116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
74+0.24 EUR
119+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(B Toshiba 2SC3325-Y,LF(B
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T Toshiba 127docget.jsppid2sc3325langentypedatasheet.jsppid2sc3325langentypeda.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1352+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1352
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 2SC3325-Y,LXGF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 2SC3325-Y,LXGF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A(TE85L,F) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B32C0853B820&compId=2SC3326.pdf?ci_sign=d384a5b922bd773de88807b051d18585de10d337 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.28 EUR
459+0.16 EUR
516+0.14 EUR
556+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A(TE85L,F) TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B32C0853B820&compId=2SC3326.pdf?ci_sign=d384a5b922bd773de88807b051d18585de10d337 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.28 EUR
459+0.16 EUR
516+0.14 EUR
556+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 17274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.52 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 39313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.091 EUR
15000+0.085 EUR
21000+0.081 EUR
30000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(B 2SC3326-A,LF(B Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1204+0.12 EUR
1244+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1204
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2SC3326-A,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2SC3326-A,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2SC3326-A,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B(TE85L,F) 2SC3326-B(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 198110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.094 EUR
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9000+0.08 EUR
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2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED0CC4FD046143&compId=2sc3326.pdf?ci_sign=b52ef5855d7a59d13e3a46becaa3cc826602c920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
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380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
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3000+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED0CC4FD046143&compId=2sc3326.pdf?ci_sign=b52ef5855d7a59d13e3a46becaa3cc826602c920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
750+0.096 EUR
785+0.092 EUR
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2911 Stücke:
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863+0.17 EUR
1145+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 863
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8479 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326A(TE85L,F) 2SC3326A(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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12000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
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2SC3326A(TE85L,F) 2SC3326A(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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12000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3330T-AC 2SC3330T-AC onsemi SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 128374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5453+0.091 EUR
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2SC3330T-AC ON Semiconductor SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC3330T-AC
auf Bestellung 128374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6834+0.079 EUR
10000+0.068 EUR
100000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 6834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3330U ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SPA
auf Bestellung 66500 Stücke:
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6834+0.079 EUR
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 6834
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331T-AA 2SC3331T-AA onsemi SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 713100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9458+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 9458
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2SC3331T-AA ON Semiconductor SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC3331T-AA
auf Bestellung 79500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331T-AA ON Semiconductor SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC3331T-AA
auf Bestellung 626100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.041 EUR
100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332S 2SC3332S onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 24642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332S-AA 2SC3332S-AA onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 146178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1366+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1366
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332S-AA 2SC3332S-AA ON Semiconductor 251en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 128914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1711+0.32 EUR
10000+0.27 EUR
100000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332S-AA 2SC3332S-AA ON Semiconductor 251en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1711+0.32 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T 2SC3332T onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1820+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1825+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1825
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 2SC3356 EVVO 2SC3356.pdf?rlkey=2ji02spis6knb8ta7p9y1qa79&st=btwh1ga6&dl=0 Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 HT Jinyu Semiconductor 2SC3356.pdf?rlkey=2ji02spis6knb8ta7p9y1qa79&st=btwh1ga6&dl=0 NPN Transistor
auf Bestellung 2826000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
60000+0.036 EUR
300000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25 SLKOR Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25 SLKOR Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356-S YFW NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3320 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 13498
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2sc3320.pdf
2SC3320 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fujitsu
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247 (TO-3P)
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 15
h21: 10
ZCODE: THT
auf Bestellung 52 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331 (Transistor)
Produktcode: 62502
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datasheet_2sa33331.pdf
2SC3331 (Transistor)
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92FL-3
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
verfügbar: 25 Stück
Anzahl Preis
1+0.2 EUR
10+0.18 EUR
100+0.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27278
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2SC3356.pdf
2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 2092 Stück
120 Stück - stock Köln
1972 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3357 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1873
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2SC3357.pdf
2SC3357 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 6.5 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 337 Stück
15 Stück - stock Köln
322 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.45 EUR
10+0.42 EUR
100+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3303-Y(T6L1,NQ) docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303
2SC3303-Y(T6L1,NQ)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.9 EUR
10+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 13962sc3303_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SC3303-Y(T6L1,NQ)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+2.12 EUR
101+1.39 EUR
200+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-O(TE85L,F) 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf
2SC3325-O(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
auf Bestellung 8422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.57 EUR
10+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B18E5F4F0536EA15&compId=2SC3325.pdf?ci_sign=aa9871d3ea7ccdba40425a1c45c4365fb635ff6a
2SC3325-Y,LF
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 5480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
400+0.18 EUR
650+0.11 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325_datasheet_en_20140301-1609082.pdf
2SC3325-Y,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 22938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.41 EUR
12+0.25 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.078 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.066 EUR
15000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 19116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+0.39 EUR
74+0.24 EUR
119+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(B
Hersteller: Toshiba
2SC3325-Y,LF(B
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 127docget.jsppid2sc3325langentypedatasheet.jsppid2sc3325langentypeda.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1352+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1352
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LXGF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LXGF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B32C0853B820&compId=2SC3326.pdf?ci_sign=d384a5b922bd773de88807b051d18585de10d337
2SC3326-A(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
260+0.28 EUR
459+0.16 EUR
516+0.14 EUR
556+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B32C0853B820&compId=2SC3326.pdf?ci_sign=d384a5b922bd773de88807b051d18585de10d337
2SC3326-A(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2288 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
260+0.28 EUR
459+0.16 EUR
516+0.14 EUR
556+0.13 EUR
582+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 260
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf
2SC3326-A,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 17274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.52 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 39313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.091 EUR
15000+0.085 EUR
21000+0.081 EUR
30000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(B 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1204+0.12 EUR
1244+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1204
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-A,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-A,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 198110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.094 EUR
6000+0.084 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.075 EUR
21000+0.071 EUR
30000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2SC3326_datasheet_en_20210625-1916336.pdf
2SC3326-B,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
auf Bestellung 25678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.48 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.095 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED0CC4FD046143&compId=2sc3326.pdf?ci_sign=b52ef5855d7a59d13e3a46becaa3cc826602c920
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 15890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
750+0.096 EUR
785+0.092 EUR
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A0ED0CC4FD046143&compId=2sc3326.pdf?ci_sign=b52ef5855d7a59d13e3a46becaa3cc826602c920
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15890 Stücke:
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Anzahl Preis
380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
750+0.096 EUR
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2SC3326-B,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8479 Stücke:
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2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2911 Stücke:
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863+0.17 EUR
1145+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 863
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2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
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2SC3326-B,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8479 Stücke:
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2SC3326A(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326A(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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12000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
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2SC3326A(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326A(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
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2SC3330T-AC SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3330T-AC
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 128374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5453+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 5453
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2SC3330T-AC SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3330T-AC
auf Bestellung 128374 Stücke:
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Anzahl Preis
6834+0.079 EUR
10000+0.068 EUR
100000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 6834
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2SC3330U
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SPA
auf Bestellung 66500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6834+0.079 EUR
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 6834
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2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3331T-AA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 713100 Stücke:
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Anzahl Preis
9458+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 9458
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2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3331T-AA
auf Bestellung 79500 Stücke:
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Anzahl Preis
13275+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
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2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3331T-AA
auf Bestellung 626100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13275+0.041 EUR
100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 13275
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2SC3332S 2SC3332.pdf
2SC3332S
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 24642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
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2SC3332S-AA 2SC3332.pdf
2SC3332S-AA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 146178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1366+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1366
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2SC3332S-AA 251en1334-d.pdf
2SC3332S-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 128914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1711+0.32 EUR
10000+0.27 EUR
100000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
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2SC3332S-AA 251en1334-d.pdf
2SC3332S-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1711+0.32 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1711
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T 2SC3332.pdf
2SC3332T
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1820+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1825+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1825
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 2SC3356.pdf?rlkey=2ji02spis6knb8ta7p9y1qa79&st=btwh1ga6&dl=0
2SC3356
Hersteller: EVVO
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 2SC3356.pdf?rlkey=2ji02spis6knb8ta7p9y1qa79&st=btwh1ga6&dl=0
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
auf Bestellung 2826000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.043 EUR
60000+0.036 EUR
300000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25
Hersteller: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25
Hersteller: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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2SC3356-S
Hersteller: YFW
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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