Suchergebnisse für "IRF14" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 115
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 259
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 259
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 259
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 119
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 259
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 223
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 219
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 180
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 336
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 350
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF1404PBF Produktcode: 31360
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 Idd,A: 162 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160 JHGF: THT |
auf Bestellung 82 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 803 Stück: 800 Stück - erwartet 19.07.2025 |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 40 Idd,A: 75 Rds(on), Ohm: 0.0037 JHGF: THT |
auf Bestellung 141 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1405PBF Produktcode: 27155
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Idd,A: 169 Rds(on), Ohm: 0.0053 JHGF: THT |
auf Bestellung 169 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1405ZPBF Produktcode: 35347
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 55 Idd,A: 169 Rds(on), Ohm: 0.0053 Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170 JHGF: THT |
auf Bestellung 5 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1407PBF Produktcode: 24062
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() ![]() ![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 75 Idd,A: 130 Rds(on), Ohm: 0.0078 Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160 JHGF: THT |
verfügbar: 151 Stück
2 Stück - stock Köln
149 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
||||||||||||||||||
IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404LPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404LPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 160nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 284494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 91072 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 11896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 284494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 8372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404STR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel |
auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
IRF1404STRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
![]() |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRLPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
IRF1404Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 0.1µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1846 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 19248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 10791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 19250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
IRF1404ZS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZSPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF1404ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 3214 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
IRF1404PBF Produktcode: 31360
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 82 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 803 Stück:
800 Stück - erwartet 19.07.2025Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT
auf Bestellung 141 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.28 EUR |
10+ | 1.2 EUR |
IRF1405PBF Produktcode: 27155
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
auf Bestellung 169 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.68 EUR |
10+ | 1.54 EUR |
IRF1405ZPBF Produktcode: 35347
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
auf Bestellung 5 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.36 EUR |
10+ | 1.2 EUR |
IRF1407PBF Produktcode: 24062
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
![]() ![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 151 Stück
2 Stück - stock Köln
149 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
149 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.16 EUR |
10+ | 1.04 EUR |
IRF1404 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.04 EUR |
IRF1404 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.04 EUR |
IRF1404-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
20+ | 2.22 EUR |
IRF1404LPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.23 EUR |
23+ | 3.19 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
IRF1404LPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
17+ | 4.23 EUR |
23+ | 3.19 EUR |
48+ | 1.52 EUR |
50+ | 1.43 EUR |
IRF1404LPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 1.67 EUR |
IRF1404LPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
115+ | 1.68 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.34 EUR |
10+ | 3.24 EUR |
25+ | 1.78 EUR |
100+ | 1.62 EUR |
1000+ | 1.49 EUR |
2000+ | 1.43 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.29 EUR |
50+ | 1.77 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 284494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.83 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
259+ | 2.07 EUR |
500+ | 1.79 EUR |
1000+ | 1.6 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 91072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
259+ | 2.07 EUR |
500+ | 1.79 EUR |
1000+ | 1.6 EUR |
10000+ | 1.37 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
259+ | 2.07 EUR |
500+ | 1.79 EUR |
1000+ | 1.6 EUR |
10000+ | 1.37 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 284494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
173+ | 0.83 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
119+ | 1.2 EUR |
130+ | 1.06 EUR |
134+ | 0.99 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
130+ | 1.1 EUR |
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1404PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
259+ | 2.07 EUR |
500+ | 1.79 EUR |
1000+ | 1.6 EUR |
IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.01 EUR |
IRF1404STR |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.01 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
22+ | 3.26 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
auf Bestellung 2549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.73 EUR |
10+ | 2.71 EUR |
100+ | 2.13 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
800+ | 1.64 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 3.56 EUR |
10+ | 2.57 EUR |
100+ | 2.02 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
97+ | 1.49 EUR |
100+ | 1.38 EUR |
101+ | 1.32 EUR |
500+ | 1.19 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
223+ | 2.41 EUR |
500+ | 2.1 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 1.75 EUR |
92+ | 1.51 EUR |
93+ | 1.44 EUR |
102+ | 1.26 EUR |
250+ | 1.04 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
223+ | 2.41 EUR |
500+ | 2.1 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.15 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
82+ | 1.75 EUR |
92+ | 1.51 EUR |
93+ | 1.44 EUR |
102+ | 1.26 EUR |
250+ | 1.04 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
223+ | 2.41 EUR |
500+ | 2.1 EUR |
1000+ | 1.86 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 1.16 EUR |
IRF1404STRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1404STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
219+ | 2.45 EUR |
500+ | 2.12 EUR |
1000+ | 1.89 EUR |
IRF1404STRRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
219+ | 2.45 EUR |
500+ | 2.12 EUR |
IRF1404Z |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 3.22 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 5496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.59 EUR |
10+ | 1.78 EUR |
100+ | 1.27 EUR |
500+ | 1.2 EUR |
1000+ | 1.11 EUR |
2000+ | 1.09 EUR |
5000+ | 1.08 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 2.43 EUR |
11+ | 1.68 EUR |
100+ | 1.19 EUR |
500+ | 1.15 EUR |
1000+ | 1.06 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
347+ | 1.55 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
1000+ | 1.19 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
92+ | 1.56 EUR |
93+ | 1.49 EUR |
129+ | 1.03 EUR |
250+ | 0.95 EUR |
500+ | 0.89 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
2000+ | 0.7 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
180+ | 0.8 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
347+ | 1.55 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
175+ | 0.79 EUR |
1000+ | 0.64 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
347+ | 1.55 EUR |
500+ | 1.34 EUR |
1000+ | 1.19 EUR |
10000+ | 1.02 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 2.23 EUR |
92+ | 1.5 EUR |
93+ | 1.43 EUR |
130+ | 0.99 EUR |
250+ | 0.91 EUR |
500+ | 0.85 EUR |
1000+ | 0.71 EUR |
2000+ | 0.7 EUR |
5000+ | 0.69 EUR |
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF1404ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
150+ | 0.96 EUR |
161+ | 0.82 EUR |
176+ | 0.73 EUR |
250+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.65 EUR |
1000+ | 0.61 EUR |
IRF1404ZS |
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 5.94 EUR |
IRF1404ZSPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
336+ | 1.35 EUR |
IRF1404ZSPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
350+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.33 EUR |
1000+ | 1.18 EUR |
IRF1404ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
28+ | 2.62 EUR |
38+ | 1.92 EUR |
52+ | 1.39 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
250+ | 1.26 EUR |
IRF1404ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.29 EUR |
10+ | 2.38 EUR |
100+ | 1.73 EUR |
IRF1404ZSTRLPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 3214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.45 EUR |
10+ | 2.5 EUR |
100+ | 1.83 EUR |
500+ | 1.26 EUR |
800+ | 1.24 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]