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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRF2807PBF Produktcode: 88517
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 82 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160 Montage: THT |
verfügbar: 6 St.
auf Bestellung: 69 St.
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IRF2807 | International Rectifier |
 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 13mΩ Gate charge: 106.7nC Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
auf Bestellung 2075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 13739 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 128625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 128634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2807STRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2807STRRPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRF2807STRRPBF |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2807Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 223000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 937 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 27200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF2807 | IR |
09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF2807PBF |
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 1056 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF2807S-111 |
auf Bestellung 8250 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| IRF2807STRPBF | IR | 09+ |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF2807ZS | IR |
07+ TO-263 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRF2807ZSTRLPBF | Infineon |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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AUIRF2807 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 6902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807 Produktcode: 23680
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 82 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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IRF2807SPBF Produktcode: 3880
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В Drain-Strom Idd, A: 82 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2807STRLPBF Produktcode: 203787
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF2807Z Produktcode: 46772
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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IRF2807ZPBF Produktcode: 58174
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
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IRF2807ZS Produktcode: 186277
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Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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AUIRF2807 Produktcode: 46389
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF2807L | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807S | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807SPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807STRL | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF2807PBF Produktcode: 88517
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|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 69 St.
- 69 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.76 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.46 EUR |
| IRF2807 |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.7 EUR |
| IRF2807 |
|
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.7 EUR |
| IRF2807 |
|
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.7 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 106.7nC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 13mΩ
Gate charge: 106.7nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 2.94 EUR |
| 47+ | 1.82 EUR |
| 54+ | 1.58 EUR |
| 60+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 1.82 EUR |
| 100+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.3 EUR |
| 5000+ | 1.04 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 3438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.81 EUR |
| 50+ | 1.83 EUR |
| 100+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
| 2000+ | 1.11 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 1.99 EUR |
| 104+ | 1.63 EUR |
| 115+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.08 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 437+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| 1000+ | 1.21 EUR |
| 10000+ | 1.06 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2 EUR |
| 104+ | 1.68 EUR |
| 114+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 128625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 1.9 EUR |
| 108+ | 1.61 EUR |
| 119+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 2000+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.84 EUR |
| 10000+ | 0.8 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 437+ | 1.51 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.4 EUR |
| 71+ | 3.3 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 2000+ | 1.01 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.14 EUR |
| 2000+ | 1.04 EUR |
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 128634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 93+ | 1.89 EUR |
| 109+ | 1.57 EUR |
| 119+ | 1.38 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 2000+ | 0.84 EUR |
| 5000+ | 0.75 EUR |
| 10000+ | 0.7 EUR |
| IRF2807STRL |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.7 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 3.39 EUR |
| 27+ | 3.15 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.71 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 800+ | 1.68 EUR |
| 2400+ | 1.65 EUR |
| 4800+ | 1.57 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.73 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 6721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.82 EUR |
| 10+ | 3.09 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.52 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 3.05 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 292+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.81 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.65 EUR |
| 59+ | 3.96 EUR |
| 61+ | 3.53 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| IRF2807STRRPBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF2807STRRPBF
IRF2807STRRPBF
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 281+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| IRF2807Z |
|
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 5.3 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
MOSFETs MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.01 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.69 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 271+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 271+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 271+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 3.86 EUR |
| 65+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 1.84 EUR |
| 500+ | 1.48 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 9400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 42+ | 5.97 EUR |
| 63+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 271+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 223000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 271+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| 10000+ | 1.7 EUR |
| 100000+ | 1.4 EUR |
| IRF2807ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 3.88 EUR |
| 64+ | 2.73 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.57 EUR |
| IRF2807ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 224+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 1000+ | 2.36 EUR |
| 10000+ | 2.06 EUR |
| IRF2807 | |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF2807PBF |
|
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
| IRF2807S-111 |
auf Bestellung 8250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF2807STRPBF |
Hersteller: IR
09+
09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF2807ZS |
|
Hersteller: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRF2807ZSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| AUIRF2807 |
|
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 186+ | 2.95 EUR |
| IRF2807 Produktcode: 23680
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807SPBF Produktcode: 3880
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Lieblingsprodukt
|
|
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 82 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 82 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 13 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3820/160
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.94 EUR |
| 10+ | 2.67 EUR |
| IRF2807STRLPBF Produktcode: 203787
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Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807Z Produktcode: 46772
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Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807ZPBF Produktcode: 58174
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807ZS Produktcode: 186277
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| AUIRF2807 Produktcode: 46389
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Lieblingsprodukt
|
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807L |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807S |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2807SPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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| IRF2807STRL |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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