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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MJD31C LGE Tranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G; MJD31C CDIL TMJD31c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C YZPST Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
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75+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C JSMicro Semiconductor Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 7691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.79 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 14780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
254+0.92 EUR
390+0.55 EUR
511+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.26 EUR
12500+0.24 EUR
17500+0.21 EUR
25000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 MJD31C-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.61 EUR
254+0.92 EUR
390+0.55 EUR
511+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1G MJD31C1G ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1206+0.54 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU MJD31CEITU Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
649+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU FAIRCHILD ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf MJD31CEITU
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU FAIRCHILD ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU FAIRCHILD ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.71 EUR
72+1.2 EUR
133+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 8892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.13 EUR
75+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 19400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
75+1.14 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
182+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
182+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.14 EUR
525+0.74 EUR
1050+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
203+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ONSEMI ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+2.8 EUR
93+2.51 EUR
222+0.96 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31CG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 MJD31CH-13 Diodes Zetex mjd31ch.pdf NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 MJD31CH-13 Diodes Zetex mjd31ch.pdf NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ Nexperia USA Inc. Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ MJD31CH-QJ Nexperia mjd31ch-q.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
860+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 860 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ-13 Diodes Incorporated MJD31CHQ.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU MJD31CITU Fairchild Semiconductor FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRCHILD FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf MJD31CITU
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRCHILD FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf MJD31CITU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRCHILD FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf MJD31CITU
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ NXP MJD31C.pdf Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia USA Inc. MJD31C.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2008 Stücke:
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20+1.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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404+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ Nexperia mjd31c.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
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528+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
197+1.18 EUR
250+0.86 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31CJ NEXPERIA 3228228.pdf Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
197+1.18 EUR
250+0.86 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated MJD31CQ.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
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2+2.24 EUR
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2500+0.49 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 Diodes Incorporated MJD31CQ.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2071 Stücke:
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10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
161+1.44 EUR
244+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
161+1.44 EUR
244+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+0.73 EUR
3600+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
13+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG onsemi mjd31-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.73 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2 EUR
135+1.24 EUR
189+0.86 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
130+1.78 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ONSEMI 2236997.pdf Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
130+1.78 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2 EUR
135+1.27 EUR
189+0.89 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG MJD31CRLG ON Semiconductor mjd31d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
751+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31ct4-a.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
63+1.37 EUR
73+1.18 EUR
120+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 ON-Semiconductor mjd31c.html Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 4344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 MJD31CT4 STMicroelectronics mjd31c.html Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 6311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C
Hersteller: LGE
Tranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G; MJD31C CDIL TMJD31c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C
Hersteller: YZPST
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C YZPST TMJD31c YZP
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP; MJD31C JSMICRO TMJD31c JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
auf Bestellung 7691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.43 EUR
10+0.79 EUR
100+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 14780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.61 EUR
254+0.92 EUR
390+0.55 EUR
511+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.26 EUR
12500+0.24 EUR
17500+0.21 EUR
25000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 450100156535137ds31625.pdf
MJD31C-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C-13 DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31C-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.61 EUR
254+0.92 EUR
390+0.55 EUR
511+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31C1G mjd31d.pdf
MJD31C1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 11325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1206+0.54 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CEITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Power - Max: 1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
649+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 649 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CEITU
auf Bestellung 2857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CEITU ONSM-S-A0003671567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C-D.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CEITU
auf Bestellung 5040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
902+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG MJD31_MJD32.pdf
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.71 EUR
72+1.2 EUR
133+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 8892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.95 EUR
10+1.13 EUR
75+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31-d.pdf
MJD31CG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 19400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+1.14 EUR
150+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.04 EUR
182+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.04 EUR
182+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.14 EUR
525+0.74 EUR
1050+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.55 EUR
203+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG ONSM-S-A0013299202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2552 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+2.8 EUR
93+2.51 EUR
222+0.96 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CG mjd31d.pdf
MJD31CG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
auf Bestellung 7056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 mjd31ch.pdf
MJD31CH-13
Hersteller: Diodes Zetex
NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-13 mjd31ch.pdf
MJD31CH-13
Hersteller: Diodes Zetex
NPN Medium Power Transistor
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 6V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.57 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CH-QJ mjd31ch-q.pdf
MJD31CH-QJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 45100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
860+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 860 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 500µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.45 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CHQ-13 MJD31CHQ.pdf
MJD31CHQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.93 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MJD31CITU
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 3A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 30954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CITU
auf Bestellung 19620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CITU
auf Bestellung 4760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CITU FAIRS45879-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MJD31C.pdf
Hersteller: FAIRCHILD
MJD31CITU
auf Bestellung 5050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
Hersteller: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK MJD31CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD31CJ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ MJD31C.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.71 EUR
20+1.05 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
404+0.43 EUR
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ mjd31c.pdf
MJD31CJ
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
528+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 528 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
197+1.18 EUR
250+0.86 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CJ 3228228.pdf
MJD31CJ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD31CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
197+1.18 EUR
250+0.86 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
auf Bestellung 2932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.24 EUR
10+1.23 EUR
100+0.87 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 MJD31CQ.pdf
MJD31CQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A TO-252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+2.7 EUR
161+1.44 EUR
244+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CQ-13 DIOD-S-A0013316059-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MJD31CQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MJD31CQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
161+1.44 EUR
244+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+0.73 EUR
3600+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
auf Bestellung 7489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.76 EUR
13+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31-d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W NPN
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.73 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2 EUR
135+1.24 EUR
189+0.86 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
751+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
130+1.78 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG 2236997.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD31CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.73 EUR
130+1.78 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2 EUR
135+1.27 EUR
189+0.89 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CRLG mjd31d.pdf
MJD31CRLG
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
751+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 751 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 mjd31ct4-a.pdf
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+1.75 EUR
63+1.37 EUR
73+1.18 EUR
120+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 mjd31c.html
Hersteller: ON-Semiconductor
Darl. NPN 3A 100V 15W MJD31CT4 STM TMJD31c STM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 mjd31c.html
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
auf Bestellung 4344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.57 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MJD31CT4 mjd31c.html
MJD31CT4
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
auf Bestellung 6311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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