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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1387 Stücke:
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12443 Stücke:
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984+0.54 EUR
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1387 Stücke:
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BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 G Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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2+2.04 EUR
10+1.42 EUR
100+1.11 EUR
500+0.94 EUR
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2500+0.72 EUR
5000+0.7 EUR
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.39 EUR
85+0.84 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
2000+0.4 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
85+0.84 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8186 Stücke:
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2+2.06 EUR
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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140+1.02 EUR
141+0.98 EUR
190+0.7 EUR
250+0.65 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 140
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 76960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.8 EUR
140+0.99 EUR
141+0.94 EUR
190+0.67 EUR
250+0.63 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.51 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.76 EUR
121+1.15 EUR
200+1.1 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
5000+0.59 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 76960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSF G BSC100N10NSF G Infineon Technologies Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en-3360078.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 13729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.82 EUR
10+2.06 EUR
100+1.56 EUR
250+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.77 EUR
90+1.54 EUR
108+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.45 EUR
105+1.31 EUR
106+1.26 EUR
118+1.09 EUR
250+1.02 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC105N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398000.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.94 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.58 EUR
5000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 INFINEON 4159876.pdf Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 INFINEON 4159876.pdf Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.67 EUR
104+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 86
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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303+0.46 EUR
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307+0.42 EUR
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BSC110N15NS5 BSC110N15NS5 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC110N15NS5_DataSheet_v02_06_EN-3360627.pdf MOSFETs MV POWER MOS
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10+3.03 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
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250+2.14 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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56+2.48 EUR
100+2.3 EUR
250+2.15 EUR
500+2.01 EUR
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2500+1.75 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
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Anzahl Preis
984+0.54 EUR
1067+0.48 EUR
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BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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Mindestbestellmenge: 346
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BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
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BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12443 Stücke:
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Anzahl Preis
984+0.54 EUR
1067+0.48 EUR
10000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 984
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BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N06LS3 G Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf
BSC100N06LS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.04 EUR
10+1.42 EUR
100+1.11 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.72 EUR
5000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
85+0.84 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
2000+0.4 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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BSC100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4122 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.39 EUR
85+0.84 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
2000+0.4 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.06 EUR
10+1.38 EUR
100+0.99 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
140+1.02 EUR
141+0.98 EUR
190+0.7 EUR
250+0.65 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 76960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.55 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.55 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+1.8 EUR
140+0.99 EUR
141+0.94 EUR
190+0.67 EUR
250+0.63 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.51 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
82+1.76 EUR
121+1.15 EUR
200+1.1 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.7 EUR
5000+0.59 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 82
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 76960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSF G Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en-3360078.pdf
BSC100N10NSF G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 13729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.82 EUR
10+2.06 EUR
100+1.56 EUR
250+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+1.77 EUR
90+1.54 EUR
108+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+1.45 EUR
105+1.31 EUR
106+1.26 EUR
118+1.09 EUR
250+1.02 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 Infineon_BSC105N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398000.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.94 EUR
10+2.94 EUR
100+2.32 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.58 EUR
5000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 4159876.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 4159876.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
86+1.67 EUR
104+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 86
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3 G Infineon_BSC109N10NS3_DS_v02_00_en-3360637.pdf
BSC109N10NS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.73 EUR
10+1.94 EUR
100+1.44 EUR
250+1.41 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
5000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
108+1.33 EUR
155+0.89 EUR
200+0.82 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC110N06NS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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Anzahl Preis
2+1.71 EUR
10+1.16 EUR
100+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC110N06NS3GATMA1 Infineon_BSC110N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360638.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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Anzahl Preis
5+0.63 EUR
10+0.61 EUR
100+0.57 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+0.48 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
293+0.49 EUR
300+0.46 EUR
303+0.44 EUR
500+0.42 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
303+0.47 EUR
305+0.45 EUR
307+0.43 EUR
309+0.41 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 303
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BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
299+0.48 EUR
303+0.46 EUR
305+0.44 EUR
307+0.42 EUR
309+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 299
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BSC110N15NS5 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 800000 Stücke:
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Anzahl Preis
5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
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1+3.7 EUR
10+3.03 EUR
25+2.89 EUR
100+2.45 EUR
500+2.31 EUR
5000+1.97 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 24440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+2.14 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
250+2.14 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.67 EUR
56+2.48 EUR
100+2.3 EUR
250+2.15 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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