Name: IRF740PBF
Brand: IR
SKU: 24032
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

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ohne MwSt

IRF740PBF
Produktcode: 162988

Siliconix

Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT

auf Bestellung 553 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IRF740PBF
Produktcode: 24032

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT

verfügbar: 6 Stück

1+	0.5 EUR

IRF740SPBF
Produktcode: 154285

Siliconix

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD

auf Bestellung 80 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IRF740SPBF
Produktcode: 32580

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
JHGF: SMD

auf Bestellung 9 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1 EUR

IRF740

HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IRF740

Siliconix

N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IRF740

Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	4.06 EUR
10+	3.59 EUR

IRF7401TR

International Rectifier

N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IRF7401TR

UMW

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

50+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IRF7401TR-VB

VBsemi

N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IRF7403TR

Infineon

irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c

N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

30+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IRF7403TRPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 8054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
13+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.78 EUR
2000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IRF7403TRPBF

Infineon Technologies

Infineon_IRF7403_DataSheet_v01_01_EN-3362845.pdf

MOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC

auf Bestellung 3150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.7 EUR
10+	1.4 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF7403TRPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.73 EUR
8000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

IRF7403TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF7404PBF

International Rectifier/Infineon

Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	0.69 EUR
11+	0.6 EUR
100+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IRF7404TR

International Rectifier

P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IRF7404TR

International Rectifier

P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

40+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IRF7404TRPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4000+	0.59 EUR
8000+	0.56 EUR
12000+	0.52 EUR
28000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

IRF7404TRPBF

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 32057 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.55 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IRF7404TRPBF

Infineon Technologies

Infineon_IRF7404_DataSheet_v01_01_EN-3363058.pdf

MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC

auf Bestellung 13039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.06 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.6 EUR
2000+	0.56 EUR
4000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IRF7404TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF7404TRPBF

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF7406PBF

International Rectifier/Infineon

P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,8 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	0.84 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IRF7406TR

JGSEMI

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100

IRF7406TR

UMW

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 100

IRF7406TRPBF

International Rectifier/Infineon

P-канальний ПТ; Id = 5.8 А; Ptot, Вт = 2.5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOIC-8

auf Bestellung 83 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	1.75 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IRF740ALPBF

VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	2.14 EUR
38+	1.93 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IRF740ALPBF

VISHAY

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

34+	2.14 EUR
38+	1.93 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IRF740ALPBF

Vishay Semiconductors

MOSFET 400V N-CH HEXFET TO-26

auf Bestellung 1636 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.41 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.27 EUR
500+	2.13 EUR

IRF740ALPBF

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.45 EUR
50+	2.77 EUR
100+	2.28 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IRF740AP

Siliconix

N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IRF740APBF

VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	1.69 EUR
48+	1.52 EUR
54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
63+	1.14 EUR
250+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IRF740APBF

VISHAY

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

43+	1.69 EUR
48+	1.52 EUR
54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
63+	1.14 EUR
250+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IRF740APBF

Vishay Semiconductors

MOSFET 400V N-CH HEXFET

auf Bestellung 2530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.88 EUR
250+	1.85 EUR
500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF740APBF

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.42 EUR
50+	3.55 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IRF740APBF

Vishay

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740APBF

Vishay/IR

N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	6.46 EUR
10+	2.39 EUR
100+	2.11 EUR

IRF740APBF-BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 400V N-CH MOSFET

auf Bestellung 5233 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.75 EUR
250+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF740APBF-BE3

Vishay Siliconix

auf Bestellung 1623 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.1 EUR
50+	2.49 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IRF740ASPBF

VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	1.84 EUR
43+	1.69 EUR
49+	1.49 EUR
57+	1.27 EUR
60+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IRF740ASPBF

VISHAY

auf Bestellung 1551 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

39+	1.84 EUR
43+	1.69 EUR
49+	1.49 EUR
57+	1.27 EUR
60+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IRF740ASPBF

Vishay Semiconductors

MOSFET N-Chan 400V 10 Amp

auf Bestellung 35472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.73 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.25 EUR
250+	2.2 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.94 EUR

IRF740ASPBF

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 3122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.12 EUR
50+	3.31 EUR
100+	2.72 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.95 EUR
2000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IRF740ASPBF

Vishay

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740ASTRLPBF

VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	3.15 EUR
27+	2.72 EUR
60+	1.2 EUR
64+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IRF740ASTRLPBF

VISHAY

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

23+	3.15 EUR
27+	2.72 EUR
60+	1.2 EUR
64+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IRF740ASTRLPBF

Vishay Semiconductors

MOSFET N-Chan 400V 10 Amp

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	2.48 EUR
100+	2.11 EUR
250+	2.04 EUR
800+	2.02 EUR
9600+	1.99 EUR

IRF740ASTRLPBF

Vishay

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740BPBF

VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	1.42 EUR
57+	1.27 EUR
69+	1.04 EUR
73+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 51

IRF740BPBF

VISHAY

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

51+	1.42 EUR
57+	1.27 EUR
69+	1.04 EUR
73+	0.99 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 51

IRF740BPBF

Vishay Semiconductors

MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS

auf Bestellung 819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.03 EUR
2500+	0.97 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF740BPBF

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.36 EUR
50+	1.9 EUR
100+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IRF740LCPBF

VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
68+	1.06 EUR
77+	0.93 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IRF740LCPBF

VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1307 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
68+	1.06 EUR
77+	0.93 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IRF740LCPBF

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.38 EUR
50+	2.68 EUR
100+	2.29 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IRF740LCPBF

Vishay Semiconductors

MOSFET 400V N-CH HEXFET

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.36 EUR
25+	2.68 EUR
100+	2.31 EUR

IRF740LCPBF

Vishay

Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740LCPBF-BE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.79 EUR
50+	3.81 EUR
100+	3.26 EUR
500+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IRF740LCPBF-BE3

Vishay / Siliconix

MOSFET 400V N-CH HEXFET

auf Bestellung 1678 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.77 EUR
10+	4.01 EUR
25+	3.34 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.89 EUR
500+	2.69 EUR
1000+	2.31 EUR

IRF740PBF
Produktcode: 162988

Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT

auf Bestellung 553 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IRF740PBF
Produktcode: 24032

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.55
JHGF: THT

verfügbar: 6 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.5 EUR

IRF740SPBF
Produktcode: 154285

Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: SMD

auf Bestellung 80 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IRF740SPBF
Produktcode: 32580

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 400
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.48
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
JHGF: SMD

auf Bestellung 9 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	1 EUR

IRF740

Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
25+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IRF740

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
20+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IRF740

Hersteller: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	4.06 EUR
10+	3.59 EUR

IRF7401TR

Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
30+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IRF7401TR

Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
50+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IRF7401TR-VB

Hersteller: VBsemi
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
30+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IRF7403TR

Hersteller: Infineon
N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
30+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IRF7403TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 8054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	1.76 EUR
13+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.78 EUR
2000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IRF7403TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC

auf Bestellung 3150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
2+	1.7 EUR
10+	1.4 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.76 EUR
2000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF7403TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
4000+	0.73 EUR
8000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

IRF7403TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF7404PBF

Hersteller: International Rectifier/Infineon
Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
10+	0.69 EUR
11+	0.6 EUR
100+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IRF7404TR

Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
20+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IRF7404TR

Hersteller: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
40+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 40

IRF7404TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 28000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
4000+	0.59 EUR
8000+	0.56 EUR
12000+	0.52 EUR
28000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

IRF7404TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

auf Bestellung 32057 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
12+	1.55 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR
2000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IRF7404TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC

auf Bestellung 13039 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
3+	1.06 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.6 EUR
2000+	0.56 EUR
4000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IRF7404TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 3242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF7404TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF7406PBF

Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,8 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
8+	0.84 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IRF7406TR

Hersteller: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
100+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100

IRF7406TR

Hersteller: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
100+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 100

IRF7406TRPBF

Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Id = 5.8 А; Ptot, Вт = 2.5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOIC-8

auf Bestellung 83 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
4+	1.75 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IRF740ALPBF

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
34+	2.14 EUR
38+	1.93 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IRF740ALPBF

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
34+	2.14 EUR
38+	1.93 EUR
46+	1.57 EUR
49+	1.49 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IRF740ALPBF

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET TO-26

auf Bestellung 1636 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	3.41 EUR
10+	2.76 EUR
100+	2.27 EUR
500+	2.13 EUR

IRF740ALPBF

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 865 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
6+	3.45 EUR
50+	2.77 EUR
100+	2.28 EUR
500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IRF740AP

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
20+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IRF740APBF

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
43+	1.69 EUR
48+	1.52 EUR
54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
63+	1.14 EUR
250+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IRF740APBF

auf Bestellung 886 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
43+	1.69 EUR
48+	1.52 EUR
54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
63+	1.14 EUR
250+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 43

IRF740APBF

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET

auf Bestellung 2530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
2+	2.62 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.88 EUR
250+	1.85 EUR
500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF740APBF

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
4+	4.42 EUR
50+	3.55 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IRF740APBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740APBF

Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	6.46 EUR
10+	2.39 EUR
100+	2.11 EUR

IRF740APBF-BE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH MOSFET

auf Bestellung 5233 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
2+	2.62 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.75 EUR
250+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF740APBF-BE3

auf Bestellung 1623 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
6+	3.1 EUR
50+	2.49 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IRF740ASPBF

Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
39+	1.84 EUR
43+	1.69 EUR
49+	1.49 EUR
57+	1.27 EUR
60+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IRF740ASPBF

auf Bestellung 1551 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
39+	1.84 EUR
43+	1.69 EUR
49+	1.49 EUR
57+	1.27 EUR
60+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IRF740ASPBF

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp

auf Bestellung 35472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	3.73 EUR
10+	2.64 EUR
100+	2.25 EUR
250+	2.2 EUR
500+	2.04 EUR
1000+	1.94 EUR

IRF740ASPBF

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V

auf Bestellung 3122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
5+	4.12 EUR
50+	3.31 EUR
100+	2.72 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.95 EUR
2000+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IRF740ASPBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740ASTRLPBF

Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
23+	3.15 EUR
27+	2.72 EUR
60+	1.2 EUR
64+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IRF740ASTRLPBF

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
23+	3.15 EUR
27+	2.72 EUR
60+	1.2 EUR
64+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IRF740ASTRLPBF

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp

auf Bestellung 702 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	2.87 EUR
10+	2.48 EUR
100+	2.11 EUR
250+	2.04 EUR
800+	2.02 EUR
9600+	1.99 EUR

IRF740ASTRLPBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 11200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740BPBF

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
51+	1.42 EUR
57+	1.27 EUR
69+	1.04 EUR
73+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 51

IRF740BPBF

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
51+	1.42 EUR
57+	1.27 EUR
69+	1.04 EUR
73+	0.99 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 51

IRF740BPBF

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS

auf Bestellung 819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
2+	2.16 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.03 EUR
2500+	0.97 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IRF740BPBF

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
8+	2.36 EUR
50+	1.9 EUR
100+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IRF740LCPBF

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1307 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
68+	1.06 EUR
77+	0.93 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IRF740LCPBF

Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1307 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
68+	1.06 EUR
77+	0.93 EUR
82+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 54

IRF740LCPBF

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
6+	3.38 EUR
50+	2.68 EUR
100+	2.29 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IRF740LCPBF

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	3.36 EUR
25+	2.68 EUR
100+	2.31 EUR

IRF740LCPBF

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

auf Bestellung 950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IRF740LCPBF-BE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

auf Bestellung 987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
4+	4.79 EUR
50+	3.81 EUR
100+	3.26 EUR
500+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IRF740LCPBF-BE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET

auf Bestellung 1678 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	4.77 EUR
10+	4.01 EUR
25+	3.34 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.89 EUR
500+	2.69 EUR
1000+	2.31 EUR

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