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ohne MwSt
STP30NF10 STP30NF10
Produktcode: 73219 		en.CD00002440.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/40
JHGF: THT
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3NK90ZFP STP3NK90ZFP
Produktcode: 114735 		ST 919-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 4,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 590/22,7
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 311 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP30200100 STP30200100 STATICTEC PRT-STP30.pdf Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 100m; W: 200mm; Thk: 78um; <100GΩ
Features of antistatic elements: bonded; open; possibility sealing bags of any length
Surface resistance: <100GΩ
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; shielding
Length: 100m
Closing system: for welding
Material: metallized film bag
Width: 200mm
Thickness: 78µm
Type of antistatic accessories: protection bag
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+141.97 EUR
STP30200100 STP30200100 STATICTEC PRT-STP30.pdf Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 100m; W: 200mm; Thk: 78um; <100GΩ
Features of antistatic elements: bonded; open; possibility sealing bags of any length
Surface resistance: <100GΩ
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; shielding
Length: 100m
Closing system: for welding
Material: metallized film bag
Width: 200mm
Thickness: 78µm
Type of antistatic accessories: protection bag
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+141.97 EUR
10+ 138.32 EUR
STP30N10F7 STP30N10F7 STMicroelectronics en.DM00257208.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
50+ 2.15 EUR
100+ 1.77 EUR
500+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP30N10F7 STP30N10F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002027243-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30N65M5 STP30N65M5 STMicroelectronics stb30n65m5-1850253.pdf MOSFET N-channel 650 V MDMesh
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+ 9.26 EUR
25+ 7.25 EUR
100+ 6.76 EUR
250+ 6.72 EUR
500+ 6.27 EUR
1000+ 5.95 EUR
STP30N65M5 STP30N65M5 STMicroelectronics en.CD00223067.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.56 EUR
50+ 8.43 EUR
100+ 7.54 EUR
500+ 6.65 EUR
1000+ 5.99 EUR
2000+ 5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP30N65M5 STP30N65M5 STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics STP30NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
84+ 0.86 EUR
92+ 0.79 EUR
99+ 0.73 EUR
102+ 0.7 EUR
104+ 0.69 EUR
250+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 49
STP30NF10 ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP30NF10 ST en.CD00002440.pdf N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics STP30NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
84+ 0.86 EUR
92+ 0.79 EUR
99+ 0.73 EUR
102+ 0.7 EUR
104+ 0.69 EUR
250+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 49
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics en.CD00002440.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.34 EUR
50+ 2.69 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics stb30nf10-1850079.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP30NF10 STP30NF10 STMICROELECTRONICS SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.29 EUR
125+ 1.19 EUR
132+ 1.09 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.29 EUR
125+ 1.19 EUR
132+ 1.09 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.55 EUR
112+ 1.34 EUR
125+ 1.15 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF10 STP30NF10 STMicroelectronics cd00002440.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.4 EUR
125+ 1.2 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 111
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics STP30NF20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics STP30NF20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
19+ 3.76 EUR
250+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics en.CD00150588.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+3.78 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics stp30nf20-1851655.pdf MOSFET Low charge STripFET
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.48 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.76 EUR
2000+ 1.69 EUR
5000+ 1.64 EUR
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics 79cd00150588.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.99 EUR
102+ 1.48 EUR
105+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics 79cd00150588.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF20 STP30NF20 STMicroelectronics 79cd00150588.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+2.99 EUR
102+ 1.47 EUR
105+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP30NM50N STP30NM50N STMicroelectronics 14311.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STP30NM50N STP30NM50N STMicroelectronics 14311.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics STP310N10F7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.45 EUR
11+ 6.69 EUR
14+ 5.13 EUR
15+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP310N10F7 ST en.DM00039392.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+13.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics STP310N10F7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.45 EUR
11+ 6.69 EUR
14+ 5.13 EUR
15+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics en.DM00039392.pdf Description: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.24 EUR
50+ 7.32 EUR
100+ 6.27 EUR
500+ 5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics stp310n10f7-1851334.pdf MOSFET N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
auf Bestellung 7731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.78 EUR
10+ 8.4 EUR
25+ 5.9 EUR
100+ 5.35 EUR
250+ 5.32 EUR
500+ 4.88 EUR
1000+ 4.47 EUR
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics 813169283634031dm00039392.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.74 EUR
21+ 7.12 EUR
29+ 5.02 EUR
50+ 4.78 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP310N10F7 STP310N10F7 STMICROELECTRONICS SGSTS49373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics 813169283634031dm00039392.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.74 EUR
21+ 7.12 EUR
29+ 5.02 EUR
50+ 4.78 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics 813169283634031dm00039392.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics 813169283634031dm00039392.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.27 EUR
100+ 4.69 EUR
250+ 4.47 EUR
500+ 3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STP310N10F7 STP310N10F7 STMicroelectronics 813169283634031dm00039392.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.28 EUR
100+ 4.7 EUR
250+ 4.48 EUR
500+ 3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STP315N10F7 STP315N10F7 STMicroelectronics en.DM00096835.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.08 EUR
50+ 7.2 EUR
100+ 6.17 EUR
500+ 5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP31N65M5 STP31N65M5 STMicroelectronics en.DM00049148.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.17 EUR
50+ 3.31 EUR
100+ 2.84 EUR
500+ 2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP31N65M5 STP31N65M5 STMicroelectronics stb31n65m5-1850310.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.14 EUR
25+ 3.13 EUR
100+ 2.83 EUR
STP31N65M5 STP31N65M5 STMicroelectronics stw31n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.41 EUR
30+ 5.03 EUR
50+ 3.84 EUR
200+ 3.57 EUR
500+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 29
STP32N65M5 STP32N65M5 STMicroelectronics en.CD00222634.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.89 EUR
50+ 8.07 EUR
100+ 7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP32N65M5 STP32N65M5 STMicroelectronics 708040533809015cd00222634.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STP32N65M5 STP32N65M5 STMicroelectronics 708040533809015cd00222634.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STP32NM50N STP32NM50N STMicroelectronics en.DM00060101.pdf Description: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP33N60DM2 STP33N60DM2 STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.18 EUR
50+ 5.7 EUR
100+ 4.88 EUR
500+ 4.34 EUR
1000+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP33N60DM2 STP33N60DM2 STMicroelectronics stb33n60dm2-1850172.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.13 EUR
25+ 5.67 EUR
100+ 4.86 EUR
250+ 4.84 EUR
500+ 4.33 EUR
1000+ 3.68 EUR
2000+ 3.48 EUR
STP33N60DM2 STP33N60DM2 STMICROELECTRONICS 2309339.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP33N60DM6 STP33N60DM6 STMicroelectronics stp33n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.79 EUR
10+ 4.85 EUR
100+ 3.93 EUR
500+ 3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP33N60M2 STP33N60M2 STMicroelectronics stf33n60m2-1850852.pdf MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+ 6.41 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.47 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.4 EUR
2000+ 3.2 EUR
STP33N60M2 STP33N60M2 STMicroelectronics en.DM00078147.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.6 EUR
50+ 5.24 EUR
100+ 4.49 EUR
500+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP33N60M2 STP33N60M2 STMICROELECTRONICS 2371888.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP33N60M6 STP33N60M6 STMicroelectronics stp33n60m6-1851622.pdf MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.51 EUR
10+ 4.35 EUR
25+ 4.21 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.89 EUR
500+ 3.84 EUR
1000+ 3.63 EUR
STP33N60M6 STP33N60M6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005578558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP33N65M2 STP33N65M2 STMicroelectronics en.DM00151754.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.55 EUR
50+ 5.18 EUR
100+ 4.44 EUR
500+ 3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP33N65M2 STP33N65M2 STMicroelectronics stb33n65m2-1850080.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+ 4.95 EUR
25+ 4.33 EUR
100+ 3.89 EUR
250+ 3.85 EUR
500+ 3.63 EUR
1000+ 3.15 EUR
STP30NF10
Produktcode: 73219		 en.CD00002440.pdf
STP30NF10
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 100 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1180/40
JHGF: THT
auf Bestellung 9 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP3NK90ZFP
Produktcode: 114735		 919-datasheet.pdf
STP3NK90ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 4,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 590/22,7
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
auf Bestellung 311 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
STP30200100 PRT-STP30.pdf
STP30200100
Hersteller: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 100m; W: 200mm; Thk: 78um; <100GΩ
Features of antistatic elements: bonded; open; possibility sealing bags of any length
Surface resistance: <100GΩ
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; shielding
Length: 100m
Closing system: for welding
Material: metallized film bag
Width: 200mm
Thickness: 78µm
Type of antistatic accessories: protection bag
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+141.97 EUR
STP30200100 PRT-STP30.pdf
STP30200100
Hersteller: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 100m; W: 200mm; Thk: 78um; <100GΩ
Features of antistatic elements: bonded; open; possibility sealing bags of any length
Surface resistance: <100GΩ
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; shielding
Length: 100m
Closing system: for welding
Material: metallized film bag
Width: 200mm
Thickness: 78µm
Type of antistatic accessories: protection bag
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+141.97 EUR
10+ 138.32 EUR
STP30N10F7 en.DM00257208.pdf
STP30N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.68 EUR
50+ 2.15 EUR
100+ 1.77 EUR
500+ 1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7
STP30N10F7 SGST-S-A0002027243-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP30N10F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP30N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.02 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30N65M5 stb30n65m5-1850253.pdf
STP30N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V MDMesh
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+10.47 EUR
10+ 9.26 EUR
25+ 7.25 EUR
100+ 6.76 EUR
250+ 6.72 EUR
500+ 6.27 EUR
1000+ 5.95 EUR
STP30N65M5 en.CD00223067.pdf
STP30N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.56 EUR
50+ 8.43 EUR
100+ 7.54 EUR
500+ 6.65 EUR
1000+ 5.99 EUR
2000+ 5.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP30N65M5 1684757472877372cd0022.pdf
STP30N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF10 STP30NF10.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.47 EUR
84+ 0.86 EUR
92+ 0.79 EUR
99+ 0.73 EUR
102+ 0.7 EUR
104+ 0.69 EUR
250+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 49
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 35A 100V 115W 0.038Ω Replacement: IRF540 STP30NF10 TSTP30NF10
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP30NF10 STP30NF10.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 25A; 115W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 323 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
49+1.47 EUR
84+ 0.86 EUR
92+ 0.79 EUR
99+ 0.73 EUR
102+ 0.7 EUR
104+ 0.69 EUR
250+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 49
STP30NF10 en.CD00002440.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.34 EUR
50+ 2.69 EUR
100+ 2.22 EUR
500+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 6
STP30NF10 stb30nf10-1850079.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 35 Amp
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.75 EUR
10+ 2.29 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP30NF10 SGSTS34645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP30NF10
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP30NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.045 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF10 cd00002440.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
120+1.29 EUR
125+ 1.19 EUR
132+ 1.09 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120
STP30NF10 cd00002440.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 32636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
120+1.29 EUR
125+ 1.19 EUR
132+ 1.09 EUR
500+ 1.01 EUR
1000+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120
STP30NF10 cd00002440.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
100+1.55 EUR
112+ 1.34 EUR
125+ 1.15 EUR
500+ 1.02 EUR
1000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100
STP30NF10 cd00002440.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF10 cd00002440.pdf
STP30NF10
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
111+1.4 EUR
125+ 1.2 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 111
STP30NF20 STP30NF20.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STP30NF20 STP30NF20.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 19A; 125W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+5.51 EUR
19+ 3.76 EUR
250+ 2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
STP30NF20 en.CD00150588.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1597 pF @ 25 V
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+3.78 EUR
50+ 3.04 EUR
100+ 2.5 EUR
500+ 2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP30NF20 stp30nf20-1851655.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Low charge STripFET
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.77 EUR
10+ 3.03 EUR
100+ 2.48 EUR
500+ 2.11 EUR
1000+ 1.76 EUR
2000+ 1.69 EUR
5000+ 1.64 EUR
STP30NF20 79cd00150588.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+2.99 EUR
102+ 1.48 EUR
105+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP30NF20 79cd00150588.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP30NF20 79cd00150588.pdf
STP30NF20
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
52+2.99 EUR
102+ 1.47 EUR
105+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 52
STP30NM50N 14311.pdf
STP30NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STP30NM50N 14311.pdf
STP30NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
22+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 22
STP310N10F7 STP310N10F7.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.45 EUR
11+ 6.69 EUR
14+ 5.13 EUR
15+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP310N10F7 en.DM00039392.pdf
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 100V 180A STP310N10F7 STM TSTP310N10F7
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+13.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP310N10F7 STP310N10F7.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DeepGATE™; STripFET™ VII
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 315W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+7.45 EUR
11+ 6.69 EUR
14+ 5.13 EUR
15+ 4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10
STP310N10F7 en.DM00039392.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+9.24 EUR
50+ 7.32 EUR
100+ 6.27 EUR
500+ 5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP310N10F7 stp310n10f7-1851334.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100V 2.7 mOhm 180A STripFET VII
auf Bestellung 7731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+8.78 EUR
10+ 8.4 EUR
25+ 5.9 EUR
100+ 5.35 EUR
250+ 5.32 EUR
500+ 4.88 EUR
1000+ 4.47 EUR
STP310N10F7 813169283634031dm00039392.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.74 EUR
21+ 7.12 EUR
29+ 5.02 EUR
50+ 4.78 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP310N10F7 SGSTS49373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP310N10F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP310N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP310N10F7 813169283634031dm00039392.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.74 EUR
21+ 7.12 EUR
29+ 5.02 EUR
50+ 4.78 EUR
100+ 4.24 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20
STP310N10F7 813169283634031dm00039392.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP310N10F7 813169283634031dm00039392.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+5.27 EUR
100+ 4.69 EUR
250+ 4.47 EUR
500+ 3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STP310N10F7 813169283634031dm00039392.pdf
STP310N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+5.28 EUR
100+ 4.7 EUR
250+ 4.48 EUR
500+ 3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50
STP315N10F7 en.DM00096835.pdf
STP315N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+9.08 EUR
50+ 7.2 EUR
100+ 6.17 EUR
500+ 5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP31N65M5 en.DM00049148.pdf
STP31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 148mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 100 V
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+4.17 EUR
50+ 3.31 EUR
100+ 2.84 EUR
500+ 2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STP31N65M5 stb31n65m5-1850310.pdf
STP31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.14 EUR
25+ 3.13 EUR
100+ 2.83 EUR
STP31N65M5 stw31n65m5.pdf
STP31N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+5.41 EUR
30+ 5.03 EUR
50+ 3.84 EUR
200+ 3.57 EUR
500+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 29
STP32N65M5 en.CD00222634.pdf
STP32N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 100 V
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.89 EUR
50+ 8.07 EUR
100+ 7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP32N65M5 708040533809015cd00222634.pdf
STP32N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STP32N65M5 708040533809015cd00222634.pdf
STP32N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 24
STP32NM50N en.DM00060101.pdf
STP32NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 500V 22A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+12.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
STP33N60DM2 ST%28B%2CP%2CW%2933N60DM2.pdf
STP33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+7.18 EUR
50+ 5.7 EUR
100+ 4.88 EUR
500+ 4.34 EUR
1000+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP33N60DM2 stb33n60dm2-1850172.pdf
STP33N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.13 EUR
25+ 5.67 EUR
100+ 4.86 EUR
250+ 4.84 EUR
500+ 4.33 EUR
1000+ 3.68 EUR
2000+ 3.48 EUR
STP33N60DM2 2309339.pdf
STP33N60DM2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP33N60DM6 stp33n60dm6.pdf
STP33N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+5.79 EUR
10+ 4.85 EUR
100+ 3.93 EUR
500+ 3.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
STP33N60M2 stf33n60m2-1850852.pdf
STP33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.56 EUR
10+ 6.41 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.47 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.4 EUR
2000+ 3.2 EUR
STP33N60M2 en.DM00078147.pdf
STP33N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 100 V
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.6 EUR
50+ 5.24 EUR
100+ 4.49 EUR
500+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP33N60M2 2371888.pdf
STP33N60M2
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP33N60M6 stp33n60m6-1851622.pdf
STP33N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.51 EUR
10+ 4.35 EUR
25+ 4.21 EUR
100+ 3.98 EUR
250+ 3.89 EUR
500+ 3.84 EUR
1000+ 3.63 EUR
STP33N60M6 SGST-S-A0005578558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP33N60M6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP33N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STP33N65M2 en.DM00151754.pdf
STP33N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+6.55 EUR
50+ 5.18 EUR
100+ 4.44 EUR
500+ 3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3
STP33N65M2 stb33n65m2-1850080.pdf
STP33N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+5.07 EUR
10+ 4.95 EUR
25+ 4.33 EUR
100+ 3.89 EUR
250+ 3.85 EUR
500+ 3.63 EUR
1000+ 3.15 EUR
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