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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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2N7002-7-F Produktcode: 186256
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CJ |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm JHGF: SMD |
auf Bestellung 1747 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N7002-TP (2N7002-7-F) Produktcode: 39940
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MCC |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 Idd,A: 01.05.2000 Rds(on), Ohm: 07.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD |
verfügbar: 139 St.
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2N7002BKVL Produktcode: 215733
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Nexperia |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,35 A Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 33/0,5 Bem.: 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET JHGF: SMD |
auf Bestellung 48 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N7002LT1 Produktcode: 9916
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ON |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 Idd,A: 01.05.2000 Rds(on), Ohm: 07.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD |
verfügbar: 145 St.
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2N7002LT1G Produktcode: 127379
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Lieblingsprodukt
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ON |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD |
auf Bestellung 4620 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 316982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 43016 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 11313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | JUXING |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | MIC |
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 11982 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 8460 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | MLCCBASE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | MIC |
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 5475 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | GALAXY |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | onsemi |
MOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA |
auf Bestellung 536041 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 117978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 117978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 249000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002 | PANJIT |
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
auf Bestellung 378000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N7002 | HT Jinyu Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
auf Bestellung 1755000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 21685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 146500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N7002 | LGE |
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
auf Bestellung 398028 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 317207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 249000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
auf Bestellung 398028 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 213000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 237000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 150926 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): 40V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002 TR TIN/LEAD | Central Semiconductor |
MOSFETs N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW |
auf Bestellung 20697 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002 TR13 PBFREE | Central Semiconductor |
MOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs |
auf Bestellung 35626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES/ZETEX |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 8130 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 200mW |
auf Bestellung 151073 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002-7-F | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 159646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002-7-F | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 MSL: - productTraceability: No rohsCompliant: NO Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
auf Bestellung 159646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002-7-F-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 27581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F. | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL tariffCode: 85412900 MSL: - productTraceability: No rohsCompliant: NO Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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2N7002-F2-0000HF | YY |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-F2-0000HF 2N7002 | Yangzhou Yangjie Electronic |
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 285653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002-G | onsemi |
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM |
auf Bestellung 149421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N7002-7-F Produktcode: 186256
1
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 1747 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2N7002-TP (2N7002-7-F) Produktcode: 39940
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: MCC
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar: 139 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.036 EUR |
| 10+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.023 EUR |
| 1000+ | 0.02 EUR |
| 2N7002BKVL Produktcode: 215733
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: Nexperia
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,35 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 33/0,5
Bem.: 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,35 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 33/0,5
Bem.: 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD
auf Bestellung 48 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2N7002LT1 Produktcode: 9916
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar: 145 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.022 EUR |
| 100+ | 0.02 EUR |
| 2N7002LT1G Produktcode: 127379
2
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 4620 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| 2N7002 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 316982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 685+ | 0.1 EUR |
| 1220+ | 0.059 EUR |
| 1866+ | 0.038 EUR |
| 2174+ | 0.033 EUR |
| 3000+ | 0.026 EUR |
| 9000+ | 0.021 EUR |
| 24000+ | 0.018 EUR |
| 2N7002 |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 43016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 295+ | 0.24 EUR |
| 428+ | 0.17 EUR |
| 618+ | 0.12 EUR |
| 711+ | 0.1 EUR |
| 755+ | 0.095 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 11313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1042+ | 0.069 EUR |
| 1645+ | 0.043 EUR |
| 2101+ | 0.034 EUR |
| 2500+ | 0.029 EUR |
| 2794+ | 0.026 EUR |
| 3013+ | 0.024 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: JUXING
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.042 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: MIC
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.036 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 11982 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.053 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 8460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.043 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.037 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: MLCCBASE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.041 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.053 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.032 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.053 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: MIC
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: GALAXY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.05 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA
MOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA
auf Bestellung 536041 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 0.98 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 117978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.048 EUR |
| 6000+ | 0.043 EUR |
| 9000+ | 0.04 EUR |
| 15000+ | 0.037 EUR |
| 21000+ | 0.035 EUR |
| 30000+ | 0.033 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 117978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 0.25 EUR |
| 117+ | 0.15 EUR |
| 190+ | 0.093 EUR |
| 500+ | 0.067 EUR |
| 1000+ | 0.059 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4546+ | 0.032 EUR |
| 6000+ | 0.027 EUR |
| 9000+ | 0.023 EUR |
| 27000+ | 0.02 EUR |
| 51000+ | 0.019 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: PANJIT
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.71 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 378000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002 |
|
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 1755000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8621+ | 0.017 EUR |
| 60000+ | 0.014 EUR |
| 300000+ | 0.012 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 21685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 146500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 528+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: LGE
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 32+ | 0.16 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 398028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002 |
|
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 317207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2625+ | 0.055 EUR |
| 3379+ | 0.042 EUR |
| 9000+ | 0.033 EUR |
| 24000+ | 0.027 EUR |
| 30000+ | 0.026 EUR |
| 45000+ | 0.024 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 398028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 213000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.16 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| 2N7002 |
|
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 237000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002 TR PBFREE |
|
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 150926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 22+ | 0.81 EUR |
| 36+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 2N7002 TR PBFREE |
|
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.16 EUR |
| 9000+ | 0.15 EUR |
| 21000+ | 0.14 EUR |
| 30000+ | 0.13 EUR |
| 2N7002 TR TIN/LEAD |
|
Hersteller: Central Semiconductor
MOSFETs N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
MOSFETs N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
auf Bestellung 20697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 0.61 EUR |
| 10+ | 0.41 EUR |
| 100+ | 0.26 EUR |
| 500+ | 0.16 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| 2N7002 TR13 PBFREE |
|
Hersteller: Central Semiconductor
MOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
MOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
auf Bestellung 35626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 2500+ | 0.23 EUR |
| 5000+ | 0.2 EUR |
| 10000+ | 0.14 EUR |
| 2N7002-13-F |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 556+ | 0.13 EUR |
| 878+ | 0.082 EUR |
| 1480+ | 0.048 EUR |
| 1780+ | 0.04 EUR |
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 529+ | 0.14 EUR |
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.057 EUR |
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 200mW
MOSFETs 60V 200mW
auf Bestellung 151073 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 0.33 EUR |
| 17+ | 0.17 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.09 EUR |
| 1000+ | 0.079 EUR |
| 3000+ | 0.051 EUR |
| 6000+ | 0.048 EUR |
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 159646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: No
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 159646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002-7-F-W |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.065 EUR |
| 6000+ | 0.058 EUR |
| 9000+ | 0.054 EUR |
| 15000+ | 0.05 EUR |
| 21000+ | 0.048 EUR |
| 2N7002-7-F-W |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 27581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 56+ | 0.32 EUR |
| 90+ | 0.2 EUR |
| 145+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.089 EUR |
| 1000+ | 0.078 EUR |
| 2N7002-7-F. |
|
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2N7002-F2-0000HF |
|
Hersteller: YY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.032 EUR |
| 2N7002-F2-0000HF 2N7002 |
|
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 285653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 122+ | 0.041 EUR |
| 2N7002-G |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM
auf Bestellung 149421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
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