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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N7002-7-F Produktcode: 186256
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Lieblingsprodukt
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CJ |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm JHGF: SMD |
auf Bestellung 884 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002-TP (2N7002-7-F) Produktcode: 39940
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Lieblingsprodukt
|
MCC |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 Idd,A: 01.05.2000 Rds(on), Ohm: 07.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD |
verfügbar: 139 Stück
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2N7002BKVL Produktcode: 215733
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Nexperia |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,35 A Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 33/0,5 Bem.: 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
50 Stück
50 Stück - erwartet
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002LT1 Produktcode: 9916
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Lieblingsprodukt
|
ON |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 Idd,A: 01.05.2000 Rds(on), Ohm: 07.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD |
verfügbar: 145 Stück
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2N7002LT1G Produktcode: 127379
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Lieblingsprodukt
|
ON |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,115 A Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD |
auf Bestellung 1738 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N7002 | MLCCBASE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLCAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTECAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 7945 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHKAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 On-state resistance: 3.75Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3610 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSMAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | MIC |
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 cAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 11475 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | GALAXY |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GALAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | SLKOR |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLKAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 8460 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 68971 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSMAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 106123 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | JUXING |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUXAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | MIC |
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 cAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXYAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002,215 | NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215; 2N7002,215 T2N7002 NXPAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-13-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 7290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-7-F | DIODES/ZETEX |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10161 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-7-F | DIODES/ZETEX |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 32338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-F2-0000HF | YY |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YYAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
2N7002-G SMD N channel transistors |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VISAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 80mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 1.08W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 40298 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TPAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-TP | Micro Commercial Components Corp. |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TPAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44641 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002A-7 | DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 DiodesAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002A-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1735 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002AQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7479 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002AQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002BK | JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK JGSEMI T2N7002bk JGS Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002BK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002BKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5675 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKS,115 | NXP |
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bksAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002BKV,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.525W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002BKVL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.245A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 669 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002BKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1329 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002BKW,115 | NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkwAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1690 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002DW | ONSEMI |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2028 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002DW K72.. | DIODES/ZETEX |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002DW-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Power dissipation: 0.12W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2128 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002DW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.215A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1864 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2065 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002DWH6327XTSA1 | Infineon |
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DWH6327 T2N7002dwh6327Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002DWQ-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.14A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.31W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002E-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.22W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.3A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2731 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002ET1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002ET1G | ON-Semiconductor |
N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1gAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002ET7G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002EW | AnBon |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002H-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9115 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002-7-F Produktcode: 186256
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 884 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002-TP (2N7002-7-F) Produktcode: 39940
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: MCC
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar: 139 Stück
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.036 EUR |
| 10+ | 0.024 EUR |
| 100+ | 0.023 EUR |
| 1000+ | 0.02 EUR |
| 2N7002BKVL Produktcode: 215733
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Nexperia
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,35 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 33/0,5
Bem.: 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,35 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 33/0,5
Bem.: 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
50 Stück
50 Stück - erwartet
| 2N7002LT1 Produktcode: 9916
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar: 145 Stück
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.022 EUR |
| 100+ | 0.02 EUR |
| 2N7002LT1G Produktcode: 127379
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ON
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 1738 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: MLCCBASE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.04 EUR |
| 2N7002 |
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Hersteller: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 7945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.052 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SHIKUES T2N7002 SHK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.036 EUR |
| 2N7002 |
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Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.14 EUR |
| 1042+ | 0.069 EUR |
| 1651+ | 0.043 EUR |
| 2110+ | 0.034 EUR |
| 2513+ | 0.028 EUR |
| 2794+ | 0.026 EUR |
| 3013+ | 0.024 EUR |
| 2N7002 |
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Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: MIC
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 11475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
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Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1850+ | 0.039 EUR |
| 2700+ | 0.027 EUR |
| 3000+ | 0.024 EUR |
| 12000+ | 0.012 EUR |
| 2N7002 |
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Hersteller: GALAXY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.049 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 8460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.042 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 68971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 152+ | 0.47 EUR |
| 214+ | 0.33 EUR |
| 253+ | 0.28 EUR |
| 355+ | 0.2 EUR |
| 400+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 106123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 556+ | 0.13 EUR |
| 725+ | 0.099 EUR |
| 1299+ | 0.055 EUR |
| 2075+ | 0.034 EUR |
| 2476+ | 0.029 EUR |
| 3185+ | 0.022 EUR |
| 9000+ | 0.018 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: JUXING
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.041 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: MIC
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? ODPOWIEDNIK: AT2N7002ESA; 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.036 EUR |
| 2N7002,215 |
![]() |
Hersteller: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215; 2N7002,215 T2N7002 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 5Ohm; 300mA; 830mW; -65°C~150°C; 2N7002.215; 2N7002,215 T2N7002 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.083 EUR |
| 2N7002-13-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 7290 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 0.048 EUR |
| 2160+ | 0.033 EUR |
| 2440+ | 0.029 EUR |
| 2720+ | 0.026 EUR |
| 10000+ | 0.025 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.055 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 695+ | 0.1 EUR |
| 848+ | 0.084 EUR |
| 1421+ | 0.05 EUR |
| 1713+ | 0.042 EUR |
| 2326+ | 0.031 EUR |
| 2526+ | 0.028 EUR |
| 2N7002-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES; 2N7002-7-F T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 32338 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.055 EUR |
| 2N7002-F2-0000HF |
![]() |
Hersteller: YY
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.031 EUR |
| 2N7002-G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
2N7002-G SMD N channel transistors
2N7002-G SMD N channel transistors
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 35+ | 2.04 EUR |
| 79+ | 0.9 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 2N7002-T1-E3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.15 EUR |
| 2N7002-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.29 EUR |
| 440+ | 0.16 EUR |
| 485+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
| 2N7002-TP |
![]() |
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40298 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1588+ | 0.045 EUR |
| 1924+ | 0.037 EUR |
| 2067+ | 0.035 EUR |
| 2165+ | 0.033 EUR |
| 2203+ | 0.032 EUR |
| 2N7002-TP |
![]() |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 2N7002-TP |
![]() |
Hersteller: Micro Commercial Components Corp.
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 2N7002A |
![]() |
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 600+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.024 EUR |
| 15000+ | 0.012 EUR |
| 2N7002A |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.14 EUR |
| 736+ | 0.097 EUR |
| 834+ | 0.086 EUR |
| 1169+ | 0.061 EUR |
| 1363+ | 0.052 EUR |
| 1985+ | 0.036 EUR |
| 2359+ | 0.03 EUR |
| 2N7002A-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.12 EUR |
| 2N7002A-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1735 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 0.17 EUR |
| 511+ | 0.14 EUR |
| 596+ | 0.12 EUR |
| 875+ | 0.082 EUR |
| 1025+ | 0.07 EUR |
| 1409+ | 0.051 EUR |
| 1578+ | 0.045 EUR |
| 2N7002AQ-13 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 417+ | 0.17 EUR |
| 496+ | 0.14 EUR |
| 1019+ | 0.07 EUR |
| 1507+ | 0.047 EUR |
| 1684+ | 0.042 EUR |
| 2000+ | 0.041 EUR |
| 2N7002AQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 295+ | 0.24 EUR |
| 374+ | 0.19 EUR |
| 432+ | 0.17 EUR |
| 622+ | 0.11 EUR |
| 735+ | 0.097 EUR |
| 1078+ | 0.066 EUR |
| 1270+ | 0.056 EUR |
| 2N7002BK |
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK JGSEMI T2N7002bk JGS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK JGSEMI T2N7002bk JGS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.06 EUR |
| 2N7002BK,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 71.5 EUR |
| 10+ | 7.15 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 2N7002BKS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 575+ | 0.12 EUR |
| 662+ | 0.11 EUR |
| 903+ | 0.079 EUR |
| 997+ | 0.072 EUR |
| 1073+ | 0.067 EUR |
| 1137+ | 0.063 EUR |
| 2N7002BKS,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.2 EUR |
| 2N7002BKV,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2933 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 239+ | 0.3 EUR |
| 334+ | 0.21 EUR |
| 439+ | 0.16 EUR |
| 521+ | 0.14 EUR |
| 582+ | 0.12 EUR |
| 625+ | 0.11 EUR |
| 2N7002BKVL |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 385+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 589+ | 0.12 EUR |
| 669+ | 0.11 EUR |
| 2N7002BKW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1329 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 506+ | 0.14 EUR |
| 763+ | 0.094 EUR |
| 915+ | 0.078 EUR |
| 1263+ | 0.057 EUR |
| 1323+ | 0.054 EUR |
| 2N7002BKW,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.15 EUR |
| 2N7002DW |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 193+ | 0.37 EUR |
| 278+ | 0.26 EUR |
| 368+ | 0.19 EUR |
| 414+ | 0.17 EUR |
| 538+ | 0.13 EUR |
| 2N7002DW K72.. |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.24 EUR |
| 2N7002DW-7-F | ![]() |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.31 EUR |
| 334+ | 0.21 EUR |
| 563+ | 0.13 EUR |
| 799+ | 0.09 EUR |
| 1000+ | 0.078 EUR |
| 1500+ | 0.072 EUR |
| 3000+ | 0.064 EUR |
| 2N7002DW-TP |
![]() |
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1864 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.36 EUR |
| 264+ | 0.27 EUR |
| 304+ | 0.24 EUR |
| 376+ | 0.19 EUR |
| 527+ | 0.14 EUR |
| 610+ | 0.12 EUR |
| 2N7002DWH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.31 EUR |
| 325+ | 0.22 EUR |
| 376+ | 0.19 EUR |
| 531+ | 0.13 EUR |
| 615+ | 0.12 EUR |
| 855+ | 0.084 EUR |
| 1000+ | 0.073 EUR |
| 2N7002DWH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DWH6327 T2N7002dwh6327
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: 2N7002DW-7-F; 2N7002DWH6327XTSA1; 2N7002DWH6327 T2N7002dwh6327
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 2N7002DWQ-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 582+ | 0.12 EUR |
| 649+ | 0.11 EUR |
| 693+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.089 EUR |
| 3000+ | 0.083 EUR |
| 2N7002E-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 0.17 EUR |
| 589+ | 0.12 EUR |
| 837+ | 0.086 EUR |
| 975+ | 0.073 EUR |
| 1359+ | 0.053 EUR |
| 1553+ | 0.046 EUR |
| 1673+ | 0.043 EUR |
| 2N7002E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2731 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 162+ | 0.44 EUR |
| 190+ | 0.38 EUR |
| 266+ | 0.27 EUR |
| 355+ | 0.2 EUR |
| 400+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.16 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 2N7002ET1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 625+ | 0.11 EUR |
| 1042+ | 0.069 EUR |
| 1624+ | 0.044 EUR |
| 1924+ | 0.037 EUR |
| 2689+ | 0.027 EUR |
| 3031+ | 0.024 EUR |
| 3206+ | 0.022 EUR |
| 2N7002ET1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 300+ | 0.13 EUR |
| 2N7002ET7G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.14 EUR |
| 676+ | 0.11 EUR |
| 827+ | 0.086 EUR |
| 1000+ | 0.072 EUR |
| 3500+ | 0.027 EUR |
| 7000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002EW |
Hersteller: AnBon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.14 EUR |
| 2N7002H-7 |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.14 EUR |
| 569+ | 0.13 EUR |
| 625+ | 0.11 EUR |
| 939+ | 0.076 EUR |
| 1250+ | 0.057 EUR |
| 1397+ | 0.051 EUR |
| 3000+ | 0.043 EUR |
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