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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2N7002H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5757 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002H6327XTSA2 | Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002hAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002H6327XTSA2 | Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002hAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002H6327XTSA2 | Infineon |
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002hAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002K | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONSAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002K | FUXINSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUXAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.27A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4433 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002K | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONSAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002K | EASTRONIC |
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? 2N7002 T2N7002 cAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002K | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSMAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002K | MDD(Microdiode Electronics) |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDDAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002K-7 | DIODES/ZETEX |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002KAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1881 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K-AU_R1_000A2 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 2A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002K-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.8A Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002K-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.19A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.14W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4931 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002KDW-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3088 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002KDW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1853 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002KQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1479 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002KT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2979 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002KT1G | ON-Semicoductor |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002KT7G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.38A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5375 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002KW | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kwAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002KW | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kwAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002KW-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.25A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3549 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002KW-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 200mW; SOT323; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002KWQ | YY |
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002K_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9055 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002LT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7676 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002LT1G | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONSAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002NXAKR | NXP |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKRAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002NXAKR | NXP |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKRAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002NXAKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5657 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002NXBKR | NXP |
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKRAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002NXBKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: Trench Pulsed drain current: 0.9A Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002P,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002PS | NXP |
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125; 2N7002PS,115; 2N7002PS NXP T2N7002PS Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002PS M8.. | NXP |
2N-MOSFET 60V 320mA 420mW 2N7002PS SOT363=TSSOP6 T2N7002 tssop6 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002PS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002PW | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.26W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.31A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.26W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002PW,115 | NXP |
N-MOSFET 60V 0.31A 1.6mΩ 260mW 2N7002PW NXP T2N7002pwAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002PW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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![]() +1 |
2N7002T | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.073A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT523F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2N7002T-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.15W; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1639 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002T-7-F | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 115mA 60V 150mW Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R 2N7002T-7-F SOT-523 DIODES T2N7002t sot523Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 99165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002W | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGEAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 5100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Power dissipation: 0.2W Drain current: 0.115A On-state resistance: 1.6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1470 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002W | YY |
Mosfet, SOT-323, 60V, 0.115A, 150°C; 2N7002W-YAN; 2N7002W SOT323 YANGJIE TECHNOLOGY T2N7002W YYAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.115A Power dissipation: 0.225W Case: SOT323 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 12969 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.073A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.073A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2269 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002WT1G | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1gAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7002WT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.34A Power dissipation: 0.33W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 10880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002WT1G | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1gAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| 2N7002 | Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd. |
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N7002 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 |
auf Bestellung 98986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| 2N7002 | PanJit International |
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23 |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2N7002H6327XTSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5757 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.14 EUR |
| 610+ | 0.12 EUR |
| 676+ | 0.11 EUR |
| 916+ | 0.078 EUR |
| 1053+ | 0.068 EUR |
| 1421+ | 0.05 EUR |
| 1467+ | 0.049 EUR |
| 2N7002H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-MOSFET 60V 0.3A 2N7002H6327XTSA2 Infineon T2N7002h
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.27 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: FUXINSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K SOT23 FUXINSEMI T2N7002k FUX
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.036 EUR |
| 2N7002K |
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.27A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4433 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 228+ | 0.31 EUR |
| 379+ | 0.19 EUR |
| 583+ | 0.12 EUR |
| 694+ | 0.1 EUR |
| 997+ | 0.072 EUR |
| 1127+ | 0.063 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 2N7002K SOT23 ONS T2N7002k ONS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 967 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.15 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: EASTRONIC
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000m? 2N7002 T2N7002 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.026 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP; 2N7002K JSMICRO T2N7002k JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.058 EUR |
| 2N7002K |
![]() |
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C; 2N7002K SOT23 MDD T2N7002k MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.051 EUR |
| 2N7002K-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002K
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 380mA; 370mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002K; 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-7-99; 2N7002K-7-F-82; 2N7002K-13; 2N7002K-TP; 2N7002K-7 T2N7002K
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.06 EUR |
| 2N7002K-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 820+ | 0.087 EUR |
| 1454+ | 0.049 EUR |
| 1881+ | 0.039 EUR |
| 2N7002K-AU_R1_000A2 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 2A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N7002K-T1-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N7002K-T1-GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4931 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 295+ | 0.24 EUR |
| 385+ | 0.19 EUR |
| 435+ | 0.16 EUR |
| 564+ | 0.13 EUR |
| 625+ | 0.11 EUR |
| 789+ | 0.091 EUR |
| 3000+ | 0.07 EUR |
| 2N7002K-TP |
![]() |
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 350mW; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 295+ | 0.24 EUR |
| 447+ | 0.16 EUR |
| 653+ | 0.11 EUR |
| 772+ | 0.093 EUR |
| 978+ | 0.073 EUR |
| 1000+ | 0.072 EUR |
| 3000+ | 0.044 EUR |
| 2N7002KDW-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3088 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 264+ | 0.27 EUR |
| 407+ | 0.18 EUR |
| 653+ | 0.11 EUR |
| 799+ | 0.09 EUR |
| 937+ | 0.076 EUR |
| 1104+ | 0.065 EUR |
| 3000+ | 0.05 EUR |
| 2N7002KDW-TP |
![]() |
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.34A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1853 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 179+ | 0.4 EUR |
| 230+ | 0.31 EUR |
| 391+ | 0.18 EUR |
| 562+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 3000+ | 0.094 EUR |
| 2N7002KQ-7 |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 625+ | 0.11 EUR |
| 715+ | 0.1 EUR |
| 770+ | 0.093 EUR |
| 940+ | 0.076 EUR |
| 1155+ | 0.062 EUR |
| 1260+ | 0.057 EUR |
| 3000+ | 0.05 EUR |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.38A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2979 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 715+ | 0.1 EUR |
| 1042+ | 0.069 EUR |
| 1104+ | 0.065 EUR |
| 1389+ | 0.051 EUR |
| 1588+ | 0.045 EUR |
| 2101+ | 0.034 EUR |
| 2337+ | 0.031 EUR |
| 2N7002KT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G T2N7002kt1ge3
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 300+ | 0.095 EUR |
| 2N7002KT7G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 380mA; Idm: 5A; 420mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.38A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 596+ | 0.12 EUR |
| 1226+ | 0.058 EUR |
| 1553+ | 0.046 EUR |
| 1799+ | 0.04 EUR |
| 2033+ | 0.035 EUR |
| 3500+ | 0.034 EUR |
| 2N7002KW |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.26 EUR |
| 2N7002KW |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
N-MOSFET 60V 0.31A 2N7002KW-FAI 2N7002KW-YAN 2N7002KW T2N7002kw
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.26 EUR |
| 2N7002KW-AU_R1_000A1 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3549 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 313+ | 0.23 EUR |
| 379+ | 0.19 EUR |
| 697+ | 0.1 EUR |
| 1171+ | 0.061 EUR |
| 1425+ | 0.05 EUR |
| 3000+ | 0.039 EUR |
| 6000+ | 0.034 EUR |
| 2N7002KW-TP |
![]() |
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 200mW; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; 200mW; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 295+ | 0.24 EUR |
| 447+ | 0.16 EUR |
| 650+ | 0.11 EUR |
| 763+ | 0.094 EUR |
| 1102+ | 0.065 EUR |
| 1286+ | 0.056 EUR |
| 3000+ | 0.047 EUR |
| 2N7002KWQ |
Hersteller: YY
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C; 2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. T2N7002KW-Q YY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.06 EUR |
| 2N7002K_R1_00001 |
![]() |
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 556+ | 0.13 EUR |
| 807+ | 0.089 EUR |
| 1359+ | 0.053 EUR |
| 1969+ | 0.036 EUR |
| 2294+ | 0.031 EUR |
| 3000+ | 0.025 EUR |
| 6000+ | 0.023 EUR |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7676 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 715+ | 0.1 EUR |
| 1073+ | 0.067 EUR |
| 1276+ | 0.056 EUR |
| 1866+ | 0.038 EUR |
| 2156+ | 0.033 EUR |
| 3000+ | 0.027 EUR |
| 2N7002LT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R) 2N7002LT1G ON SEMICONDUCTOR T2N7002 ONS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.066 EUR |
| 2N7002NXAKR |
![]() |
Hersteller: NXP
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.059 EUR |
| 2N7002NXAKR |
![]() |
Hersteller: NXP
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002NXAKR T2N7002NXAKR
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.059 EUR |
| 2N7002NXAKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5657 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 834+ | 0.086 EUR |
| 1163+ | 0.061 EUR |
| 1761+ | 0.041 EUR |
| 2093+ | 0.034 EUR |
| 2689+ | 0.027 EUR |
| 2907+ | 0.025 EUR |
| 3031+ | 0.024 EUR |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Hersteller: NXP
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
2N7002NXBK/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2N7002NXBKR T2N7002NXBKR
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.073 EUR |
| 2N7002NXBKR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Pulsed drain current: 0.9A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Pulsed drain current: 0.9A
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 358+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 575+ | 0.12 EUR |
| 916+ | 0.078 EUR |
| 1148+ | 0.063 EUR |
| 2N7002P,215 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 23+ | 3.1 EUR |
| 50+ | 1.43 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 2N7002PS |
Hersteller: NXP
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125; 2N7002PS,115; 2N7002PS NXP T2N7002PS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125; 2N7002PS,115; 2N7002PS NXP T2N7002PS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.42 EUR |
| 2N7002PS M8.. |
Hersteller: NXP
2N-MOSFET 60V 320mA 420mW 2N7002PS SOT363=TSSOP6 T2N7002 tssop6
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
2N-MOSFET 60V 320mA 420mW 2N7002PS SOT363=TSSOP6 T2N7002 tssop6
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 200+ | 0.15 EUR |
| 2N7002PS,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 2.39 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |
| 2N7002PW |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.26W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; Idm: 1.2A; 0.26W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 417+ | 0.17 EUR |
| 562+ | 0.13 EUR |
| 940+ | 0.076 EUR |
| 1158+ | 0.062 EUR |
| 1352+ | 0.053 EUR |
| 1578+ | 0.045 EUR |
| 3000+ | 0.036 EUR |
| 2N7002PW,115 |
![]() |
Hersteller: NXP
N-MOSFET 60V 0.31A 1.6mΩ 260mW 2N7002PW NXP T2N7002pw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-MOSFET 60V 0.31A 1.6mΩ 260mW 2N7002PW NXP T2N7002pw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.58 EUR |
| 2N7002PW,115 |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 625+ | 0.11 EUR |
| 719+ | 0.1 EUR |
| 1034+ | 0.069 EUR |
| 1208+ | 0.059 EUR |
| 1498+ | 0.048 EUR |
| 1624+ | 0.044 EUR |
| 2N7002T |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N7002T-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.15W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 193+ | 0.37 EUR |
| 309+ | 0.23 EUR |
| 394+ | 0.18 EUR |
| 662+ | 0.11 EUR |
| 787+ | 0.091 EUR |
| 1029+ | 0.069 EUR |
| 1104+ | 0.065 EUR |
| 2N7002T-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 115mA 60V 150mW Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R 2N7002T-7-F SOT-523 DIODES T2N7002t sot523
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-MOSFET 115mA 60V 150mW Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R 2N7002T-7-F SOT-523 DIODES T2N7002t sot523
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 100+ | 0.27 EUR |
| 2N7002W |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99165 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 715+ | 0.1 EUR |
| 878+ | 0.082 EUR |
| 1520+ | 0.047 EUR |
| 2348+ | 0.03 EUR |
| 2794+ | 0.026 EUR |
| 3624+ | 0.02 EUR |
| 9000+ | 0.016 EUR |
| 2N7002W |
![]() |
Hersteller: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGE
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGE
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.081 EUR |
| 2N7002W |
![]() |
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1900+ | 0.038 EUR |
| 4475+ | 0.016 EUR |
| 5000+ | 0.014 EUR |
| 15000+ | 0.012 EUR |
| 2N7002W |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.115A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Power dissipation: 0.2W
Drain current: 0.115A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 186+ | 0.39 EUR |
| 296+ | 0.24 EUR |
| 455+ | 0.16 EUR |
| 544+ | 0.13 EUR |
| 758+ | 0.094 EUR |
| 1000+ | 0.084 EUR |
| 1500+ | 0.083 EUR |
| 2N7002W |
![]() |
Hersteller: YY
Mosfet, SOT-323, 60V, 0.115A, 150°C; 2N7002W-YAN; 2N7002W SOT323 YANGJIE TECHNOLOGY T2N7002W YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Mosfet, SOT-323, 60V, 0.115A, 150°C; 2N7002W-YAN; 2N7002W SOT323 YANGJIE TECHNOLOGY T2N7002W YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.033 EUR |
| 2N7002W |
![]() |
Hersteller: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT323
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT323
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 12969 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 660+ | 0.11 EUR |
| 1585+ | 0.045 EUR |
| 1755+ | 0.041 EUR |
| 3000+ | 0.036 EUR |
| 12000+ | 0.035 EUR |
| 2N7002W-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 264+ | 0.27 EUR |
| 414+ | 0.17 EUR |
| 593+ | 0.12 EUR |
| 692+ | 0.1 EUR |
| 822+ | 0.087 EUR |
| 1000+ | 0.072 EUR |
| 2N7002W-TP |
![]() |
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 264+ | 0.27 EUR |
| 432+ | 0.17 EUR |
| 686+ | 0.1 EUR |
| 947+ | 0.076 EUR |
| 1087+ | 0.066 EUR |
| 3000+ | 0.06 EUR |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 400+ | 0.09 EUR |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.34A; 0.33W; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 842+ | 0.085 EUR |
| 997+ | 0.072 EUR |
| 1480+ | 0.048 EUR |
| 1767+ | 0.04 EUR |
| 1954+ | 0.037 EUR |
| 3000+ | 0.031 EUR |
| 2N7002WT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 400+ | 0.09 EUR |
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 98986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N7002 |
![]() |
Hersteller: PanJit International
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH











