Suchergebnisse für "2SC33" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2565
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1583
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1273
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1755
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1456
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6662
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 8153
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 8153
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 11539
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 14085
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1776
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1665
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2037
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2037
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2219
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1776
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 2173
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 1300
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SC3320 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 13498
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Fujitsu |
![]() Gehäuse: TO-247 (TO-3P) Uceo,V: 400 Ucbo,V: 500 Ic,A: 15 h21: 10 ZCODE: THT |
auf Bestellung 69 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3330 Produktcode: 82676
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Sanyo |
![]() Gehäuse: TO-92 fT: 200 MHz Uceo,V: 50 Ucbo,V: 60 Ic,A: 0,2 ZCODE: THT |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3331 (Transistor) Produktcode: 62502
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Sanyo |
![]() Gehäuse: TO-92FL-3 fT: 200 MHz Uceo,V: 50 Ucbo,V: 60 Ic,A: 0,2 ZCODE: THT |
verfügbar: 25 Stück
|
|
||||||||||||
![]() |
2SC3356 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 27278
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
NEC |
![]() Gehäuse: SOT-23 fT: 7 GHz Uceo,V: 12 Ucbo,V: 20 Ic,A: 0,1 h21: 300 ZCODE: SMD |
verfügbar: 2489 Stück
120 Stück - stock Köln
2369 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3357 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 1873
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
NEC |
![]() Gehäuse: SOT-89 fT: 6.5 GHz Uceo,V: 12 Ucbo,V: 20 Ic,A: 0,1 h21: 300 |
verfügbar: 15 Stück
erwartet:
400 Stück
400 Stück - erwartet 20.02.2025
|
|
||||||||||||
![]() |
2SC3303-Y(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3303-Y(T6L1,NQ) | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 1037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 30826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
2SC3325-Y,LF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
2SC3325-Y,LF(B | Toshiba | 2SC3325-Y,LF(B |
auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 14472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 2595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 14472 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LXGF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LXGF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3325-Y,LXGF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-A(TE85L,F) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SOT346 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz |
auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-A(TE85L,F) | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SOT346 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-A,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 57417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-A,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-A,LF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-A,LF(B | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 2269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-A,LF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-A,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-A,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-B(TE85L,F) | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 200610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 195000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz |
auf Bestellung 16075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 16075 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 9654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 9654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3326-B,LF(T | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 2911 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326A(TE85L,F) | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3326A(TE85L,F) | Toshiba |
![]() |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3330T-AC | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-SPA Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 125874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
2SC3330T-AC | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 125874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
2SC3330U | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SPA |
auf Bestellung 66500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
2SC3331T-AA | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 574500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
2SC3331T-AA | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 79500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
2SC3331T-AA | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 626100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
![]() |
2SC3332S | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
auf Bestellung 15642 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3332S-AA | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
auf Bestellung 129678 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3332S-AA | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 129678 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3332S-AA | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3332T | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
auf Bestellung 4230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3332T-AA | onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3332T-AA | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
2SC3332T-AA | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 3025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3332T-AA | ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
2SC3356 | EVVO |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
2SC3356 | HT Jinyu Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2826000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
2SC3356 R25 | SLKOR |
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
2SC3356 R25 | SLKOR |
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
2SC3356-S | YFW |
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
2SC3356-S | YFW |
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
2SC3320 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 13498
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fujitsu
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247 (TO-3P)
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 15
h21: 10
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247 (TO-3P)
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 15
h21: 10
ZCODE: THT
auf Bestellung 69 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.52 EUR |
2SC3330 Produktcode: 82676
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.16 EUR |
2SC3331 (Transistor) Produktcode: 62502
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92FL-3
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92FL-3
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
verfügbar: 25 Stück
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.20 EUR |
10+ | 0.18 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
2SC3356 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 27278
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 2489 Stück
120 Stück - stock Köln
2369 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2369 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.12 EUR |
10+ | 0.11 EUR |
100+ | 0.10 EUR |
2SC3357 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 1873
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 6.5 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 6.5 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
verfügbar: 15 Stück
erwartet:
400 Stück
400 Stück - erwartet 20.02.2025
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.45 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.34 EUR |
2SC3303-Y(T6L1,NQ) |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 3.15 EUR |
10+ | 2.00 EUR |
100+ | 1.35 EUR |
500+ | 1.07 EUR |
2SC3303-Y(T6L1,NQ) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
118+ | 1.37 EUR |
142+ | 1.10 EUR |
200+ | 1.00 EUR |
500+ | 0.91 EUR |
1000+ | 0.75 EUR |
2SC3325-Y,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 30826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
42+ | 0.42 EUR |
69+ | 0.26 EUR |
110+ | 0.16 EUR |
500+ | 0.12 EUR |
1000+ | 0.10 EUR |
2SC3325-Y,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.09 EUR |
6000+ | 0.08 EUR |
9000+ | 0.07 EUR |
15000+ | 0.07 EUR |
21000+ | 0.07 EUR |
30000+ | 0.06 EUR |
2SC3325-Y,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
26+ | 0.26 EUR |
28+ | 0.22 EUR |
100+ | 0.20 EUR |
2SC3325-Y,LF(B |
Hersteller: Toshiba
2SC3325-Y,LF(B
2SC3325-Y,LF(B
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3325-Y,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3325-Y,LF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2565+ | 0.06 EUR |
2SC3325-Y,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3325-Y,LXGF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1583+ | 0.10 EUR |
1842+ | 0.08 EUR |
2000+ | 0.08 EUR |
2SC3325-Y,LXGF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3325-Y,LXGF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-A(TE85L,F) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
221+ | 0.32 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
435+ | 0.16 EUR |
496+ | 0.14 EUR |
2SC3326-A(TE85L,F) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2773 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
221+ | 0.32 EUR |
388+ | 0.18 EUR |
435+ | 0.16 EUR |
496+ | 0.14 EUR |
2SC3326-A,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 57417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 0.56 EUR |
52+ | 0.34 EUR |
100+ | 0.22 EUR |
500+ | 0.16 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
2SC3326-A,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.10 EUR |
6000+ | 0.09 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
15000+ | 0.08 EUR |
21000+ | 0.08 EUR |
2SC3326-A,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-A,LF(B |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1273+ | 0.13 EUR |
1316+ | 0.12 EUR |
2SC3326-A,LF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-A,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-A,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-B(TE85L,F) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.23 EUR |
2SC3326-B,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 200610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
32+ | 0.56 EUR |
52+ | 0.34 EUR |
100+ | 0.22 EUR |
500+ | 0.16 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
2SC3326-B,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.10 EUR |
6000+ | 0.09 EUR |
9000+ | 0.08 EUR |
15000+ | 0.08 EUR |
21000+ | 0.08 EUR |
2SC3326-B,LF |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-B,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 16075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
380+ | 0.19 EUR |
590+ | 0.12 EUR |
670+ | 0.11 EUR |
740+ | 0.10 EUR |
770+ | 0.09 EUR |
3000+ | 0.09 EUR |
2SC3326-B,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 16075 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
380+ | 0.19 EUR |
590+ | 0.12 EUR |
670+ | 0.11 EUR |
740+ | 0.10 EUR |
770+ | 0.09 EUR |
3000+ | 0.09 EUR |
2SC3326-B,LF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1755+ | 0.09 EUR |
2500+ | 0.09 EUR |
2SC3326-B,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-B,LF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-B,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3326-B,LF(T |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1456+ | 0.11 EUR |
1789+ | 0.09 EUR |
2000+ | 0.08 EUR |
2SC3326A(TE85L,F) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9000+ | 0.12 EUR |
2SC3326A(TE85L,F) |
![]() |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9000+ | 0.12 EUR |
2SC3330T-AC |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 125874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6662+ | 0.08 EUR |
2SC3330T-AC |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3330T-AC
2SC3330T-AC
auf Bestellung 125874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8153+ | 0.07 EUR |
2SC3330U |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SPA
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SPA
auf Bestellung 66500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8153+ | 0.07 EUR |
2SC3331T-AA |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 574500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
11539+ | 0.05 EUR |
2SC3331T-AA |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3331T-AA
2SC3331T-AA
auf Bestellung 79500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14085+ | 0.04 EUR |
2SC3331T-AA |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3331T-AA
2SC3331T-AA
auf Bestellung 626100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
14085+ | 0.04 EUR |
2SC3332S |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 15642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1776+ | 0.29 EUR |
2SC3332S-AA |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 129678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1665+ | 0.30 EUR |
2SC3332S-AA |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 129678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2037+ | 0.30 EUR |
2SC3332S-AA |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2037+ | 0.30 EUR |
2SC3332T |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2219+ | 0.24 EUR |
2SC3332T-AA |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1776+ | 0.29 EUR |
2SC3332T-AA |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SC3332T-AA |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2173+ | 0.28 EUR |
2SC3332T-AA |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1300+ | 0.22 EUR |
2SC3356 |
![]() |
Hersteller: EVVO
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.18 EUR |
239+ | 0.07 EUR |
266+ | 0.07 EUR |
318+ | 0.06 EUR |
356+ | 0.05 EUR |
500+ | 0.05 EUR |
2SC3356 |
![]() |
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
NPN Transistor
auf Bestellung 2826000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6000+ | 0.05 EUR |
60000+ | 0.04 EUR |
300000+ | 0.03 EUR |
2SC3356 R25 |
Hersteller: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
500+ | 0.10 EUR |
2SC3356 R25 |
Hersteller: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
500+ | 0.10 EUR |
2SC3356-S |
Hersteller: YFW
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 0.10 EUR |
2SC3356-S |
Hersteller: YFW
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 0.10 EUR |
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]