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2SC3320 (Bipolartransistor NPN) 2SC3320 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 13498
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Fujitsu 2sc3320.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247 (TO-3P)
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 15
h21: 10
ZCODE: THT
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331 (Transistor) 2SC3331 (Transistor)
Produktcode: 62502
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Sanyo datasheet_2sa33331.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92FL-3
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
verfügbar: 25 Stück
1+0.20 EUR
10+0.18 EUR
100+0.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 (Bipolartransistor NPN) 2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27278
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NEC 2SC3356.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 2309 Stück
120 Stück - stock Köln
2189 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3357 (Bipolartransistor NPN) 2SC3357 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1873
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NEC 2SC3357.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 6.5 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
verfügbar: 337 Stück
15 Stück - stock Köln
322 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.45 EUR
10+0.42 EUR
100+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303 Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+1.90 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3303-Y(T6L1,NQ) 2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba 13962sc3303_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.26 EUR
142+1.01 EUR
200+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF TOSHIBA 2SC3325.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
368+0.19 EUR
582+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 15047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.40 EUR
72+0.24 EUR
116+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF 2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF Toshiba docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325 Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+0.24 EUR
28+0.21 EUR
100+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(B Toshiba 2SC3325-Y,LF(B
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 2SC3325-Y,LF(T Toshiba 127docget.jsppid2sc3325langentypedatasheet.jsppid2sc3325langentypeda.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 2SC3325-Y,LXGF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 2SC3325-Y,LXGF(T TOSHIBA 3622367.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A(TE85L,F) TOSHIBA 2SC3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
221+0.32 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326-A(TE85L,F) TOSHIBA 2SC3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
221+0.32 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 44325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
54+0.33 EUR
100+0.20 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2SC3326-A,LF Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(B 2SC3326-A,LF(B Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1204+0.12 EUR
1244+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1204
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2SC3326-A,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2SC3326-A,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2SC3326-A,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1938+0.08 EUR
1946+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1938
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B(TE85L,F) 2SC3326-B(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.10 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.07 EUR
30000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326 Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 198370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
54+0.33 EUR
100+0.20 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2SC3326-B,LF Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 2sc3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
750+0.10 EUR
795+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 2sc3326.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
750+0.10 EUR
795+0.09 EUR
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1332+0.11 EUR
1637+0.09 EUR
2000+0.08 EUR
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T TOSHIBA 3622368.pdf Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9549 Stücke:
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2SC3326-B,LF(T 2SC3326-B,LF(T Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
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1710+0.09 EUR
2500+0.08 EUR
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2SC3326A(TE85L,F) 2SC3326A(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.17 EUR
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2SC3326A(TE85L,F) 2SC3326A(TE85L,F) Toshiba 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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12000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
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2SC3330T-AC 2SC3330T-AC onsemi SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 125874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5453+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5453
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2SC3330T-AC ON Semiconductor SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC3330T-AC
auf Bestellung 125874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5672+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5672
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2SC3330U ON Semiconductor Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SPA
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5672+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5672
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2SC3331T-AA 2SC3331T-AA onsemi SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 713100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9458+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9458
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2SC3331T-AA ON Semiconductor SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC3331T-AA
auf Bestellung 626100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9837+0.06 EUR
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2SC3331T-AA ON Semiconductor SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2SC3331T-AA
auf Bestellung 79500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
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2SC3332S 2SC3332S onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 24642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
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2SC3332S-AA 2SC3332S-AA onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 146178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1366+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1366
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2SC3332S-AA 2SC3332S-AA ON Semiconductor 251en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 129678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1420+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1420
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2SC3332S-AA 2SC3332S-AA ON Semiconductor 251en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1420+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1420
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2SC3332T 2SC3332T onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1820+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA onsemi 2SC3332.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1515+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1515
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332T-AA ON Semiconductor en1334-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1300
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2SC3356 2SC3356 EVVO 2SC3356.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 2SC3356 EVVO 2SC3356.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 HT Jinyu Semiconductor 2SC3356.pdf NPN Transistor
auf Bestellung 2826000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.04 EUR
60000+0.04 EUR
300000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25 SLKOR Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25 SLKOR Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356-S YFW NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356-S YFW NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3320 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 13498
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2sc3320.pdf
2SC3320 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fujitsu
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-247 (TO-3P)
Uceo,V: 400
Ucbo,V: 500
Ic,A: 15
h21: 10
ZCODE: THT
auf Bestellung 57 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331 (Transistor)
Produktcode: 62502
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datasheet_2sa33331.pdf
2SC3331 (Transistor)
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92FL-3
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,2
ZCODE: THT
verfügbar: 25 Stück
Anzahl Preis
1+0.20 EUR
10+0.18 EUR
100+0.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 27278
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2SC3356.pdf
2SC3356 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
ZCODE: SMD
verfügbar: 2309 Stück
120 Stück - stock Köln
2189 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.11 EUR
100+0.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3357 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 1873
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2SC3357.pdf
2SC3357 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NEC
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-89
fT: 6.5 GHz
Uceo,V: 12
Ucbo,V: 20
Ic,A: 0,1
h21: 300
verfügbar: 337 Stück
15 Stück - stock Köln
322 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.45 EUR
10+0.42 EUR
100+0.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3303-Y(T6L1,NQ) docget.jsp?did=20516&prodName=2SC3303
2SC3303-Y(T6L1,NQ)
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.97 EUR
10+1.90 EUR
100+1.28 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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2SC3303-Y(T6L1,NQ) 13962sc3303_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
2SC3303-Y(T6L1,NQ)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
118+1.26 EUR
142+1.01 EUR
200+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 118
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2SC3325-Y,LF 2SC3325.pdf
2SC3325-Y,LF
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.5A; 0.2W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 5985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
368+0.19 EUR
582+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 15047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+0.40 EUR
72+0.24 EUR
116+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
2SC3325-Y,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
15000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF docget.jsp?did=19247&prodName=2SC3325
Hersteller: Toshiba
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.24 EUR
28+0.21 EUR
100+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(B
Hersteller: Toshiba
2SC3325-Y,LF(B
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LF(T 127docget.jsppid2sc3325langentypedatasheet.jsppid2sc3325langentypeda.pdf
2SC3325-Y,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LXGF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3325-Y,LXGF(T 3622367.pdf
2SC3325-Y,LXGF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LXGF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326.pdf
2SC3326-A(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.32 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A(TE85L,F) 2SC3326.pdf
2SC3326-A(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
221+0.32 EUR
388+0.18 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
532+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 221
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 44325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+0.53 EUR
54+0.33 EUR
100+0.20 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-A,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.09 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(B 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF(B
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1204+0.12 EUR
1244+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1204
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-A,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-A,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-A,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-A,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-A,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1938+0.08 EUR
1946+0.07 EUR
2000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1938
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.07 EUR
30000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF docget.jsp?did=19249&prodName=2SC3326
2SC3326-B,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO-236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 198370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+0.53 EUR
54+0.33 EUR
100+0.20 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2sc3326.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
750+0.10 EUR
795+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2sc3326.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
590+0.12 EUR
670+0.11 EUR
750+0.10 EUR
795+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1332+0.11 EUR
1637+0.09 EUR
2000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1332
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 3622368.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326-B,LF(T 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326-B,LF(T
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1710+0.09 EUR
2500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1710
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326A(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326A(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3326A(TE85L,F) 2sc3326_datasheet_en_20210625.pdf
2SC3326A(TE85L,F)
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3330T-AC SNYOS12343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3330T-AC
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A 3-SPA
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 125874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5453+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5453
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
2SC3330T-AC
auf Bestellung 125874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5672+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5672
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3330U
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.2A 300mW 3-Pin SPA
auf Bestellung 66500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5672+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5672
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SC3331T-AA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 713100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9458+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9458
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2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3331T-AA
auf Bestellung 626100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3331T-AA SNYOS12296-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ON Semiconductor
2SC3331T-AA
auf Bestellung 79500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332S 2SC3332.pdf
2SC3332S
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 24642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332S-AA 2SC3332.pdf
2SC3332S-AA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 146178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1366+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1366
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2SC3332S-AA 251en1334-d.pdf
2SC3332S-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 129678 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1420+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1420
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2SC3332S-AA 251en1334-d.pdf
2SC3332S-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 16500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1420+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1420
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T 2SC3332.pdf
2SC3332T
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1820+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 1820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA 2SC3332.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3-NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1457+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1457
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1515+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1515
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3332T-AA en1334-d.pdf
2SC3332T-AA
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1300+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 2SC3356.pdf
2SC3356
Hersteller: EVVO
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 2SC3356.pdf
2SC3356
Hersteller: EVVO
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 2SC3356.pdf
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
auf Bestellung 2826000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.04 EUR
60000+0.04 EUR
300000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25
Hersteller: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356 R25
Hersteller: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356-S
Hersteller: YFW
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC3356-S
Hersteller: YFW
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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