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BSO040N03MS G BSO040N03MS G Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 12690 Stücke:
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2+2.41 EUR
10+1.99 EUR
100+1.54 EUR
500+1.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.95 EUR
5000+0.91 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 7251 Stücke:
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6+3.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 18509 Stücke:
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2+2.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT DI040N03PT Diotec Semiconductor di040n03pt.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N
auf Bestellung 4995 Stücke:
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100+0.30 EUR
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2500+0.25 EUR
5000+0.20 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQ DI040N03PT-AQ Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4990 Stücke:
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500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB240N03S4L_R8_DS_v01_01_EN-1731652.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 51 Stücke:
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1+10.00 EUR
100+9.01 EUR
500+8.66 EUR
1000+4.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB240N03S4LR9ATMA1 IPB240N03S4LR9ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB240N03S4L-R9-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a36984b60479 Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
106+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03L G IPD040N03L G Infineon Technologies Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 2784 Stücke:
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2+2.15 EUR
10+1.44 EUR
100+1.01 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.70 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies IPD040N03LF2SATMA1.pdf Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies IPD040N03LF2SATMA1.pdf Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
auf Bestellung 2000 Stücke:
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8+2.31 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD040N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN-3536315.pdf MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
auf Bestellung 3996 Stücke:
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2+1.44 EUR
10+1.18 EUR
100+0.92 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.60 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD040N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 94W
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
106+0.68 EUR
120+0.60 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD040N03LG_rev1.01.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.25 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD40N03S4L08ATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD40N03S4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b3ad6c04d78 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
482+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 482
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISZ040N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363641.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 7748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.62 EUR
100+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.40 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ040N03L5ISATMA1 ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997 Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
auf Bestellung 19685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
19+0.97 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCAC40N03A-TP MCAC40N03A-TP Micro Commercial Co MCAC40N03A(DFN5060).pdf Description: MOSFET N-CH 30 40A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
auf Bestellung 3811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.60 EUR
18+1.00 EUR
100+0.65 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-001 NTD40N03R-001 onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2265+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1G NTD40N03R-1G onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 350103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1402+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4 NTD40N03RT4 onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSX040N03-C OSX040N03-C ATGBICS mmo_87099552_1651680612_1852_22205.pdf Description: Compatible SFP+ 10G
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.65 EUR
50+57.62 EUR
150+54.59 EUR
1000+51.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
16+1.11 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03HZGTL RTR040N03HZGTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
auf Bestellung 4685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.07 EUR
10+0.91 EUR
100+0.65 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03TL VBsemi datasheet?p=RTR040N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key description 30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs RTR040N03TL TRTR040N03TL VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03TL RTR040N03TL ROHM Semiconductor datasheet?p=RTR040N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key description MOSFETs 2.5V Drive N-Chan
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.80 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
24000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM240N03CX_B1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate charge: 4.1nC
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
166+0.43 EUR
232+0.31 EUR
246+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Co., Ltd. TSM240N03CX_B1811.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 49798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.00 EUR
29+0.63 EUR
100+0.40 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor TSM240N03CX_B1811.pdf MOSFETs 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 19658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.70 EUR
10+0.50 EUR
100+0.34 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG-ML TSM240N03CX RFG-ML MOSLEADER Description: N-Channel 30V 6.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
299+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
15000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
75000+0.05 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 299
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor TSM240N03CX6_B1811.pdf MOSFETs 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 11343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.70 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 11512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+0.63 EUR
190+0.38 EUR
211+0.34 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMQ040N03LG2 WMQ040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.61 EUR
203+0.35 EUR
247+0.29 EUR
315+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMQ40N03T1 WMQ40N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+0.61 EUR
271+0.26 EUR
323+0.22 EUR
343+0.21 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03GH
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03H ANPEC 07+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03H ANPEC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03J ANPEC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03J ANPEC 07+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03S AP 03+
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MS G
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSG INF 08+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03L FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03L fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03L FAIRCHILD 07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03LTM
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ME40N03
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTD40N03RT4G ON 09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R ON 07+ SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R ON SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MS G BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf
BSO040N03MS G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 12690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.41 EUR
10+1.99 EUR
100+1.54 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.06 EUR
2500+1.00 EUR
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.95 EUR
5000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
auf Bestellung 7251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.36 EUR
10+2.14 EUR
100+1.45 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1_1-3360640.pdf
BSO040N03MSGXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A DSO-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 18509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.41 EUR
10+1.83 EUR
100+1.28 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT di040n03pt.pdf
DI040N03PT
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.62 EUR
10+0.49 EUR
100+0.30 EUR
500+0.29 EUR
2500+0.25 EUR
5000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI040N03PT-AQ
DI040N03PT-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 3x3, 30V, 40A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.85 EUR
10+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.22 EUR
10000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB240N03S4LR8ATMA1 Infineon_IPB240N03S4L_R8_DS_v01_01_EN-1731652.pdf
IPB240N03S4LR8ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+10.00 EUR
100+9.01 EUR
500+8.66 EUR
1000+4.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB240N03S4LR9ATMA1 Infineon-IPB240N03S4L-R9-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a36984b60479
IPB240N03S4LR9ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
106+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03L G Infineon_IPD040N03LG_DS_v01_02_en-1227077.pdf
IPD040N03L G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
auf Bestellung 2784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.15 EUR
10+1.44 EUR
100+1.01 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.82 EUR
2500+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LF2SATMA1 IPD040N03LF2SATMA1.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPD040N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.05mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-34
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
13+1.46 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LF2SATMA1 Infineon_IPD040N03LF2S_DataSheet_v01_00_EN-3536315.pdf
IPD040N03LF2SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
auf Bestellung 3996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.44 EUR
10+1.18 EUR
100+0.92 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.60 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG-DTE.pdf
IPD040N03LGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 94W
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
106+0.68 EUR
120+0.60 EUR
138+0.52 EUR
146+0.49 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LG_rev1.01.pdf
IPD040N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.25 EUR
13+1.42 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD40N03S4L08ATMA1 Infineon-IPD40N03S4L_08-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b3ad6c04d78
IPD40N03S4L08ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
482+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 482
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon_ISZ040N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN-3363641.pdf
ISZ040N03L5ISATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 7748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.87 EUR
10+0.62 EUR
100+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.40 EUR
10000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
ISZ040N03L5ISATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ040N03L5ISATMA1 Infineon-ISZ040N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8d91c970997
ISZ040N03L5ISATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
auf Bestellung 19685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.55 EUR
19+0.97 EUR
100+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCAC40N03A-TP MCAC40N03A(DFN5060).pdf
MCAC40N03A-TP
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH 30 40A DFN5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
auf Bestellung 3811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.60 EUR
18+1.00 EUR
100+0.65 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-001 ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03R-001
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 2265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2265+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R-1G ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03R-1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 350103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1402+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1402
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03RT4 ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03RT4
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
auf Bestellung 6670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2219+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2219
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
OSX040N03-C mmo_87099552_1651680612_1852_22205.pdf
OSX040N03-C
Hersteller: ATGBICS
Description: Compatible SFP+ 10G
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP+
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Networking, General Purpose
Data Rate: 10Gbps
Part Status: Active
auf Bestellung 3747 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+60.65 EUR
50+57.62 EUR
150+54.59 EUR
1000+51.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.78 EUR
16+1.11 EUR
100+0.72 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03HZGTL datasheet?p=RTR040N03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03HZGTL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V 4A Small Signal MOSFET for Automotive. RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applications.
auf Bestellung 4685 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.07 EUR
10+0.91 EUR
100+0.65 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03TL description datasheet?p=RTR040N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: VBsemi
30V 6.5A 30m@10V,3.2A 1.7W 1.1V@250uA 17pF@15V N Channel 335pF@15V 2.1nC@4.5V -55~+150@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs RTR040N03TL TRTR040N03TL VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RTR040N03TL description datasheet?p=RTR040N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTR040N03TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 2.5V Drive N-Chan
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.80 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
24000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 24mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate charge: 4.1nC
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
116+0.62 EUR
166+0.43 EUR
232+0.31 EUR
246+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 34mOhm; 6,5A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM240N03CX RFG TSM240N03CX TTSM240n03cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 49798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.00 EUR
29+0.63 EUR
100+0.40 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 19658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.70 EUR
10+0.50 EUR
100+0.34 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX RFG-ML
TSM240N03CX RFG-ML
Hersteller: MOSLEADER
Description: N-Channel 30V 6.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
299+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.05 EUR
15000+0.05 EUR
30000+0.05 EUR
75000+0.05 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 299
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor
MOSFETs 30V, 6.5A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 11343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.70 EUR
10+0.58 EUR
100+0.51 EUR
24000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
auf Bestellung 11512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.16 EUR
25+0.72 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
190+0.38 EUR
211+0.34 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMQ040N03LG2
WMQ040N03LG2
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
203+0.35 EUR
247+0.29 EUR
315+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMQ40N03T1
WMQ40N03T1
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
271+0.26 EUR
323+0.22 EUR
343+0.21 EUR
439+0.16 EUR
463+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03GH
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03H
Hersteller: ANPEC
07+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03H
Hersteller: ANPEC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03J
Hersteller: ANPEC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03J
Hersteller: ANPEC
07+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AP40N03S
Hersteller: AP
03+
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MS G
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSG
Hersteller: INF
08+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03L
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03L
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03L
Hersteller: FAIRCHILD
07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB140N03LTM
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ME40N03
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MTD40N03RT4G
Hersteller: ON
09+
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03G
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R
Hersteller: ON
07+ SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD40N03R
Hersteller: ON
SOT-252
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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