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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1
Produktcode: 169611
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IKW75N60T.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 75 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/330
auf Bestellung 23 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 SPW35N60C3
Produktcode: 48611
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Infineon Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 01.06.1934
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
JHGF: THT
auf Bestellung 31 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60 to-220/f AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60 AAT TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N6001
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60C FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02BT5N602 AL02BT5N602 Viking VIKING-AL.pdf Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3300+0.021 EUR
10000+0.0076 EUR
Mindestbestellmenge: 3300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1A5N60D1 DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di1a5n60d1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
230+0.31 EUR
327+0.22 EUR
365+0.2 EUR
414+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM FCD5N60TM ONSEMI FCD5N60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
56+1.29 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM Fairchild fcu5n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM ONSEMI fdd5n60nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
63+1.15 EUR
68+1.05 EUR
78+0.92 EUR
100+0.75 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP5N60C Fairchild FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.16 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.32 EUR
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW75N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.38 EUR
19+3.95 EUR
30+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 Infineon IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Turn-on time: 28ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
29+2.52 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Turn-on time: 26ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.42 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.29 EUR
52+1.39 EUR
69+1.04 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.75 EUR
14+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60T Infineon description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.78 EUR
12+6.26 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.85 EUR
24+3.1 EUR
27+2.73 EUR
32+2.29 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.46 EUR
20+3.76 EUR
22+3.36 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 Siliconix sihk045n60e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+17.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP STMicroelectronics STF25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.62 EUR
30+2.43 EUR
34+2.16 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AG STP45N60DM2AG STMicroelectronics en.DM00211656.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.69 EUR
15+5.11 EUR
50+4.52 EUR
100+4.06 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6 STP45N60DM6 STMicroelectronics stp45n60dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.66 EUR
13+5.72 EUR
25+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM2AG STW45N60DM2AG STMicroelectronics STW45N60DM2AG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.09 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6 STW75N60M6 STMicroelectronics stw75n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.34 EUR
8+10.15 EUR
10+8.97 EUR
30+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML15N60C4 WML15N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
69+1.05 EUR
77+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM15N60C4 WMM15N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
69+1.04 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15N60
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15N60C3
auf Bestellung 7596 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
35N60C3 Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D75N600B AEG 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D75N600C AEG 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D75N600N AEG 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD285N600K AEG 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD285N60K AEG
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD285N60K EUPEC MODULE
auf Bestellung 220 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA35N60 ON Semiconductor fca35n60-d.pdf
auf Bestellung 430 Stücke:
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FCD5N60 fairchild 07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60 fairchild to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
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FCH125N60E ON Semiconductor ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N60E ON Semiconductor fcp125n60e-d.pdf
auf Bestellung 768 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP165N60E ON Semiconductor fcp165n60e-d.pdf
auf Bestellung 1540 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N60NZTU ON Semiconductor fdu5n60nztu-d.pdf
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTU ON Semiconductor fgh75n60uf-d.pdf
auf Bestellung 850 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGP15N60UNDF ON Semiconductor fgp15n60undf-d.pdf
auf Bestellung 27188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGPF15N60UNDF ON Semiconductor fgpf15n60undf-d.pdf
auf Bestellung 40840 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N60 FAIRCHILD SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N60 FAIRCHILD TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N60 fairchild to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1
Produktcode: 169611
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IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247-3
Vces: 600 V
Vce: 1,5 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 75 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 33/330
auf Bestellung 23 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3
Produktcode: 48611
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Infineon-SPW35N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a3043163797a601163899b120016f
SPW35N60C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650
Idd,A: 01.06.1934
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4500/150
JHGF: THT
auf Bestellung 31 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60
Hersteller: to-220/f
AAT
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60 AAT
TO-220/F 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N6001
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
5N60C
Hersteller: FAIRCHILD
auf Bestellung 88800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AL02BT5N602 VIKING-AL.pdf
AL02BT5N602
Hersteller: Viking
Category: Inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 5.6nH; 310mA; 700mΩ; ±0,1nH
Mounting: SMD
Test frequency: 500MHz
Case - inch: 0402
Resonant frequency: 6GHz
Case - mm: 1005
Tolerance: ±0,1nH
Type of inductor: thin film
Inductance: 5.6nH
Operating current: 0.31A
Resistance: 0.7Ω
Q factor: 16
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3204 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3300+0.021 EUR
10000+0.0076 EUR
Mindestbestellmenge: 3300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI1A5N60D1 di1a5n60d1.pdf
DI1A5N60D1
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
230+0.31 EUR
327+0.22 EUR
365+0.2 EUR
414+0.17 EUR
1000+0.16 EUR
2500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM FCD5N60.pdf
FCD5N60TM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.9A; 54W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 54W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
44+1.66 EUR
48+1.5 EUR
56+1.29 EUR
100+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60TM fcu5n60-d.pdf
Hersteller: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK FCD5N60TM TFCD5n60tm
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD5N60NZTM fdd5n60nz-d.pdf
FDD5N60NZTM
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2411 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
55+1.3 EUR
63+1.15 EUR
68+1.05 EUR
78+0.92 EUR
100+0.75 EUR
250+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP5N60C FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fqpf5n60c-d.pdf
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB15N60TATMA1 IGB15N60T-DTE.pdf
IGB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.16 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
55+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60T-DTE.pdf
IGP15N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
57+1.27 EUR
65+1.1 EUR
100+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T-DTE.pdf
IGW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.38 EUR
19+3.95 EUR
30+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T TIGW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB15N60TATMA1 IKB15N60T.pdf
IKB15N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Turn-on time: 28ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 238ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 762 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
29+2.52 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD15N60RATMA1 IKD15N60R.pdf
IKD15N60RATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Turn-on time: 26ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 319ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.42 EUR
38+1.92 EUR
43+1.69 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.29 EUR
52+1.39 EUR
69+1.04 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.75 EUR
14+5.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60T description
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Hersteller: Infineon
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C;   IKW75N60T TIKW75n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.78 EUR
12+6.26 EUR
13+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.85 EUR
24+3.1 EUR
27+2.73 EUR
32+2.29 EUR
50+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
20+3.76 EUR
22+3.36 EUR
25+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 45A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.36 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STF25N60M2-EP STF25N60M2-EP.pdf
STF25N60M2-EP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; Idm: 72A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
30+2.43 EUR
34+2.16 EUR
35+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM2AG en.DM00211656.pdf
STP45N60DM2AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.69 EUR
15+5.11 EUR
50+4.52 EUR
100+4.06 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP45N60DM6 stp45n60dm6.pdf
STP45N60DM6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.66 EUR
13+5.72 EUR
25+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW45N60DM2AG STW45N60DM2AG-DTE.pdf
STW45N60DM2AG
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.09 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW75N60M6 stw75n60m6.pdf
STW75N60M6
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.34 EUR
8+10.15 EUR
10+8.97 EUR
30+8.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WML15N60C4
WML15N60C4
Hersteller: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
69+1.05 EUR
77+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
WMM15N60C4
WMM15N60C4
Hersteller: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 26A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
58+1.24 EUR
69+1.04 EUR
76+0.94 EUR
100+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15N60
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
15N60C3
auf Bestellung 7596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
35N60C3
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D75N600B
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D75N600C
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D75N600N
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD285N600K
Hersteller: AEG
05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD285N60K
Hersteller: AEG
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DD285N60K
Hersteller: EUPEC
MODULE
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCA35N60 fca35n60-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60
Hersteller: fairchild
07+ to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCD5N60
Hersteller: fairchild
to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCH125N60E ONSM-S-A0003584881-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fch125n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP125N60E fcp125n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDU5N60NZTU fdu5n60nztu-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 5010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGH75N60UFTU fgh75n60uf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGP15N60UNDF fgp15n60undf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 27188 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGPF15N60UNDF fgpf15n60undf-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 40840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N60
Hersteller: FAIRCHILD
SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N60
Hersteller: FAIRCHILD
TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQB5N60
Hersteller: fairchild
to-263/d2-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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