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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRF1404PBF Produktcode: 31360
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 202 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160 Montage: THT |
erwartet: 3 St.
auf Bestellung: 797 St.
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IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm Montage: THT |
auf Bestellung: 121 St.
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IRF1405PBF Produktcode: 27155
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 169 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm Montage: THT |
auf Bestellung: 220 St.
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IRF1407PBF Produktcode: 24062
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 130 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5600/160 Montage: THT |
verfügbar: 2 St.
auf Bestellung: 88 St.
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IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-CN CHIPNOBO TIRF1404 CNB Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 8360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404LPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4mΩ Gate charge: 160nC Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC |
auf Bestellung 8795 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 84172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 281162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 281162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF1404PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 2240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 11896 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404STR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC |
auf Bestellung 3776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 1557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 1557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF1404STRLPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404STRRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 12800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 3.7mΩ Gate charge: 0.1µC Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg |
auf Bestellung 5509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 220W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1404ZS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRF1404PBF Produktcode: 31360
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
erwartet: 3 St.
- 3 St. - erwartet
auf Bestellung: 797 St.
- 797 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.88 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.55 EUR |
| IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 121 St.
- 121 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.27 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| IRF1405PBF Produktcode: 27155
1
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 169 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 169 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 220 St.
- 220 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.37 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| IRF1407PBF Produktcode: 24062
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5600/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5600/160
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
- 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 88 St.
- 88 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.96 EUR |
| 10+ | 1.82 EUR |
| IRF1404 |
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Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 3.18 EUR |
| IRF1404 |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 3.18 EUR |
| IRF1404 |
|
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404 JSMICRO TIRF1404 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.34 EUR |
| IRF1404-CN |
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-CN CHIPNOBO TIRF1404 CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,6mOhm; 130A; 190W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-CN CHIPNOBO TIRF1404 CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.34 EUR |
| IRF1404-ML |
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 6,5mOhm; 120A; 123W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404; SP001561374; IRF1404-ML MOSLEADER TIRF1404 MOS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.7 EUR |
| IRF1404LPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 6.56 EUR |
| IRF1404LPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 6.32 EUR |
| 52+ | 4.52 EUR |
| 100+ | 3.37 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| IRF1404LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 8360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 188+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 3.12 EUR |
| 1000+ | 2.82 EUR |
| IRF1404LPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 188+ | 3.52 EUR |
| 500+ | 3.12 EUR |
| 1000+ | 2.82 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 3.3 EUR |
| 43+ | 2.01 EUR |
| 54+ | 1.59 EUR |
| 61+ | 1.39 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| 250+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
MOSFETs 40V 202A 4mOhm 160nC
auf Bestellung 8795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.44 EUR |
| 10+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 10000+ | 1.33 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.52 EUR |
| 50+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.58 EUR |
| 1000+ | 1.45 EUR |
| 2000+ | 1.34 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 84172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 347+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| 10000+ | 1.33 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 281162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 5.37 EUR |
| 66+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.48 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.12 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 5.37 EUR |
| 66+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 347+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 5.37 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 281162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 2.67 EUR |
| 100+ | 2.3 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
| 1000+ | 1.62 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 347+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.7 EUR |
| 73+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.57 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 347+ | 1.9 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| 10000+ | 1.33 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.12 EUR |
| IRF1404PBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 4.71 EUR |
| IRF1404STR |
|
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 4.71 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 4.12 EUR |
| 33+ | 2.64 EUR |
| 36+ | 2.4 EUR |
| 50+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.69 EUR |
| 10+ | 3.02 EUR |
| 100+ | 2.06 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
auf Bestellung 3776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.61 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.07 EUR |
| 9600+ | 1.4 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.37 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 329+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.37 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 4.02 EUR |
| 64+ | 2.65 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.73 EUR |
| 800+ | 1.2 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 35+ | 7.15 EUR |
| 54+ | 4.34 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.44 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 1.48 EUR |
| 121+ | 1.4 EUR |
| 123+ | 1.33 EUR |
| 125+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.19 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 1557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.44 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 329+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 120+ | 1.48 EUR |
| 121+ | 1.43 EUR |
| 123+ | 1.38 EUR |
| 125+ | 1.33 EUR |
| 250+ | 1.29 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 329+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| IRF1404STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 4.02 EUR |
| 64+ | 2.71 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.82 EUR |
| 800+ | 1.3 EUR |
| IRF1404STRRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 12800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 219+ | 3.01 EUR |
| 500+ | 2.67 EUR |
| 1000+ | 2.42 EUR |
| 10000+ | 2.09 EUR |
| IRF1404Z |
|
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 4.02 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate charge: 0.1µC
Gate-source voltage: ±20V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate charge: 0.1µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 1.87 EUR |
| 65+ | 1.31 EUR |
| 68+ | 1.26 EUR |
| 71+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.96 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
auf Bestellung 5509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.89 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| 10000+ | 1.11 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 64+ | 2.8 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 3.24 EUR |
| 79+ | 2.17 EUR |
| 111+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 2000+ | 0.95 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 119+ | 1.49 EUR |
| 143+ | 1.21 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 190A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 1036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.34 EUR |
| 73+ | 3.2 EUR |
| 109+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 1.74 EUR |
| 119+ | 1.43 EUR |
| 143+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 3.24 EUR |
| 79+ | 2.21 EUR |
| 111+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 2000+ | 1.04 EUR |
| IRF1404ZPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 4.32 EUR |
| 64+ | 2.69 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.26 EUR |
| IRF1404ZS |
|
Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 7.43 EUR |
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