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IRF3710PBF IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 322 Stück
5 Stück - stock Köln
317 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
100+0.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 17 Stück
3 Stück - stock Köln
14 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+1.08 EUR
10+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.1 EUR
47+1.53 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 9427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.63 EUR
10+2.32 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.63 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.21 EUR
68+2.04 EUR
102+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.07 EUR
75+1.85 EUR
103+1.29 EUR
200+1.14 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.63 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies infineonirf3710datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.11 EUR
102+1.36 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF International Rectifier HiRel Products irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
330+1.63 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRL Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.36 EUR
42+1.7 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 24540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.36 EUR
100+1.78 EUR
500+1.54 EUR
800+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.97 EUR
100+2 EUR
200+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710Z IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.33 EUR
57+1.26 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
31+2.33 EUR
57+1.26 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+1.78 EUR
100+1.21 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.59 EUR
133+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+2.9 EUR
90+1.54 EUR
133+1 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+2.94 EUR
97+1.43 EUR
106+1.26 EUR
200+0.94 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 317 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF3710ZSTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
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IRF3710 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
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IRF3710BF JRC TO220
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IRF3710S IR 09+
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IRF3710S IR 8
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IRF3710S IR TO-263
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IRF3710S IR
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IRF3710STRLPBF International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
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IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
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IRF3710ZL
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IRF3710ZLTRPBF IR 0742+ TO262
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AUIRF3710ZS International Rectifier Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
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AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
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10+4.68 EUR
100+3.33 EUR
500+2.89 EUR
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Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
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IRF3710PBF
Produktcode: 43009
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irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
JHGF: THT
verfügbar: 322 Stück
5 Stück - stock Köln
317 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.72 EUR
10+0.7 EUR
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IRF3710SPBF
Produktcode: 43364
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irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 100
Rds(on), Ohm: 57
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Bem.: 200
JHGF: 01.12.1945
verfügbar: 17 Stück
3 Stück - stock Köln
14 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+1.08 EUR
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IRF3710ZPBF
Produktcode: 190954
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IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
JHGF: THT
auf Bestellung 54 Stück:
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IRF3710ZPBF
Produktcode: 44978
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irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
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Anzahl Preis
1+0.72 EUR
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IRF3710
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF3710
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF3710
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 UMW TIRF3710 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF3710
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF3710-CN
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 8,8mOhm; 100A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-CN CHIPNOBO TIRF3710 CNB
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRF3710-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 80A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710-ML MOSLEADER TIRF3710 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 86.7nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 23mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.1 EUR
47+1.53 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF Infineon-IRF3710-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 9427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.63 EUR
10+2.32 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 41900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
330+1.63 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 330
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
45+3.21 EUR
68+2.04 EUR
102+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.85 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+3.07 EUR
75+1.85 EUR
103+1.29 EUR
200+1.14 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
330+1.63 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 330
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IRF3710PBF infineonirf3710datasheetv0101en.pdf
IRF3710PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+2.11 EUR
102+1.36 EUR
500+1.03 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
330+1.63 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 330
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IRF3710STRL
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF3710STRL
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710S; IRF3710STRL; IRF3710STRR; SP001559596; SP001553984; SP001561740; IRF3710STRL UMW TIRF3710s UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 706 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.36 EUR
42+1.7 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IRF3710STRLPBF Infineon-IRF3710S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 24540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.56 EUR
10+2.36 EUR
100+1.78 EUR
500+1.54 EUR
800+1.2 EUR
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IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF3710STRLPBF INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
289+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+2.97 EUR
100+2 EUR
200+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710Z IRF3710Z
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
57+1.26 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 18mΩ
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 59A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 160W
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
57+1.26 EUR
85+0.85 EUR
90+0.8 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+1.78 EUR
100+1.21 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
90+1.59 EUR
133+1.04 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.9 EUR
90+1.54 EUR
133+1 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+2.94 EUR
97+1.43 EUR
106+1.26 EUR
200+0.94 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF INFN-S-A0012838030-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTR
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710ZSTRL; IRF3710ZS; IRF3710ZSTRR; IRF3710ZS-GURT; IRF3710ZSTRL TIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF Infineon-IRF3710Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.82 EUR
10+2.46 EUR
100+1.69 EUR
500+1.54 EUR
800+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+3.51 EUR
63+2.19 EUR
100+1.95 EUR
200+1.35 EUR
800+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
306+1.75 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 306
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZSTRLPBF IRSDS11476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710ZSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF 3710PBF
Hersteller: IR
09+ TSOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710BF
Hersteller: JRC
TO220
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710S
Hersteller: IR
09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710S
Hersteller: IR
8
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710S
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710S
Hersteller: IR
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Hersteller: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZL
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710ZLTRPBF
Hersteller: IR
0742+ TO262
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710ZS Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+9.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710ZSTRL Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.97 EUR
10+4.68 EUR
100+3.33 EUR
500+2.89 EUR
800+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор полевой; IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) (шт)
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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