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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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IR f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2260 Stück
31 Stück - stock Köln
2229 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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IR irf540nspbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF IRF540PBF
Produktcode: 182036
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Siliconix IRF540PBF-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
JHGF: THT
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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SILI sihf540s-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
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IR irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
auf Bestellung 247 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.54 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Модуль с 4х MOSFET IRF540
+2
 		Модуль с 4х MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Kategorie: Модуль комутуючі
Bestimmung: MOSFET
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 Stück:
40 Stück - erwartet
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IRF540 Siliconix IRF542.pdf IRF540.pdf irf540.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 Siliconix IRF542.pdf IRF540.pdf irf540.pdf N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 IRF540 onsemi IRF542.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
271+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 IRF540 ON Semiconductor irf540-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.6 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N IRF540N MULTICOMP PRO 4419343.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL International Rectifier irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL IRF540NL Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.07 EUR
50+3.1 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
200+0.56 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
200+0.56 EUR
250+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies Infineon-IRF540N-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 11600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.91 EUR
100+0.83 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 64449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.43 EUR
50+0.91 EUR
100+0.86 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.75 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 8623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 82401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.24 EUR
169+0.83 EUR
184+0.73 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
4000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 71520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 82392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+0.86 EUR
183+0.76 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
4000+0.57 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF IRF540NPBF Infineon Technologies infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
485+1.12 EUR
539+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NS SLKOR description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NS JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRL UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
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800+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3 Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF540NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
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10+1.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 198 Stücke:
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87+1.67 EUR
88+1.6 EUR
186+0.72 EUR
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IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies irf540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 83200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.69 EUR
2400+0.65 EUR
4800+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRRPBF IRF540NSTRRPBF INFINEON INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF IRF540PBF Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.32 EUR
50+1.9 EUR
100+1.89 EUR
500+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf540.pdf MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+1.51 EUR
100+1.3 EUR
500+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF-BE3 Vishay Siliconix irf540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF540PBF-BE3 IRF540PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0000770096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF540PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 28A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF-BE3 Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF-BE3 IRF540PBF-BE3 Vishay irf540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540S Siliconix sihf540s.pdf N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF IRF540SPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.83 EUR
1600+1.82 EUR
2400+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 13142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.08 EUR
10+2.29 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay Semiconductors sihf540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.08 EUR
10+2.31 EUR
100+2.2 EUR
500+2.11 EUR
800+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay sihf540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.55 EUR
103+1.35 EUR
104+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2260 Stück
31 Stück - stock Köln
2229 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSPBF
Produktcode: 34259
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description irf540nspbf-datasheet.pdf
IRF540NSPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: SMD
auf Bestellung 45 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF
Produktcode: 182036
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IRF540PBF-datasheet.pdf
IRF540PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 28 A
JHGF: THT
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF
Produktcode: 123222
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sihf540s-datasheet.pdf
Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540ZPBF
Produktcode: 42002
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3af7d19a6
IRF540ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 36
Rds(on), Ohm: 0.0266
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
JHGF: THT
auf Bestellung 247 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.54 EUR
10+0.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Модуль с 4х MOSFET IRF540
Produktcode: 193624
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Модуль с 4х MOSFET IRF540
+2
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Kategorie: Модуль комутуючі
Bestimmung: MOSFET
auf Bestellung 1 Stück:
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erwartet 40 Stück:
40 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 IRF542.pdf IRF540.pdf irf540.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 IRF542.pdf IRF540.pdf irf540.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 IRF542.pdf
IRF540
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
271+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540 irf540-d.pdf
IRF540
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
339+1.6 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 339
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N JSMICRO TIRF540n JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N
Hersteller: Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540N; IRF 540 N ; IRF540N; IRF540N TIRF540n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N 4419343.pdf
IRF540N
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRF540N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540N-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 50mOhm; 30A; 125W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540; IRF540-BE3; IRF540N; SP001561906; IRF540N-ML MOSLEADER TIRF540n MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.72 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NL irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NL
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.07 EUR
50+3.1 EUR
100+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
200+0.56 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
122+0.59 EUR
200+0.56 EUR
250+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF Infineon-IRF540N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 11600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.33 EUR
10+0.91 EUR
100+0.83 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.74 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 64449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.43 EUR
50+0.91 EUR
100+0.86 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.75 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 8623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 82401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+1.24 EUR
169+0.83 EUR
184+0.73 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
4000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 2559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF INFN-S-A0012826922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 71520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 82392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
168+0.86 EUR
183+0.76 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
4000+0.57 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 168
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF infineonirf540ndatasheetv0101en.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
485+1.12 EUR
539+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NS description
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NS description
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS SLKOR TIRF540ns SLK
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NS description
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRL
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NSTRL UMW TIRF540ns UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3a72819a3
IRF540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.8 EUR
10+1.82 EUR
100+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF Infineon-IRF540NS-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 9817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.76 EUR
10+1.81 EUR
100+1 EUR
500+0.95 EUR
800+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF irf540nspbf.pdf
IRF540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 83200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.69 EUR
2400+0.64 EUR
4800+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+2.52 EUR
87+1.61 EUR
88+1.54 EUR
186+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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IRF540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
87+1.67 EUR
88+1.6 EUR
186+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF540NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 83200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.69 EUR
2400+0.65 EUR
4800+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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IRF540NSTRLPBF INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF540NSTRRPBF description INFN-S-A0012826870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540NSTRRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NSTRRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF irf540.pdf
IRF540PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.32 EUR
50+1.9 EUR
100+1.89 EUR
500+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
IRF540PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+1.51 EUR
100+1.3 EUR
500+1.07 EUR
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IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
IRF540PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF-BE3 VISH-S-A0000770096-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF540PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF540PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 28A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
IRF540PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540PBF-BE3 irf540.pdf
IRF540PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540S sihf540s.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540SPBF sihf540s.pdf
IRF540SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.83 EUR
1600+1.82 EUR
2400+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 13142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.08 EUR
10+2.29 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.08 EUR
10+2.31 EUR
100+2.2 EUR
500+2.11 EUR
800+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
94+1.55 EUR
103+1.35 EUR
104+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 94
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
IRF540STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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