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Raspberry Pi 5 16G Raspberry Pi 5 16G
Produktcode: 210045
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Raspberry Pi Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Процесор: BCM2712 Cortex-A76 2,4 GHz. Графічний процесор: VideoCore VII graphics, з підтримкою OpenGL-ES 3.1, Vulkan 1.2. Два micro-HDMI виходи 4kp60. ОЗП: 16GB LPDDR4X-4267 SDRAM. ПЗП: microSD (сумісний із SDR104)/ M.2 NVMe SSD через M.2 HAT. GPIO: 40 виводів. USB: 2× USB 3.0/ 2× USB 2.0. Роз'єми: 2x 4х лінійний MIPI для камери/дисплея. PCI 2.0, UART/RTC. Комунікації: Gigabit Ethernet/ WiFi 802.11ac dual-band/ Bluetooth 5.0. Живлення: USB type-C. Габарити: 85x56мм.
Entwicklungstyp: Мікрокомп'ютер
Chiptyp: BCM2712
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
374+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 G Infineon Technologies Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 200A
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+1.73 EUR
63+1.15 EUR
74+0.97 EUR
100+0.76 EUR
250+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 18460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.78 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 67276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255
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BSC100N06LS3GATMA1 Infineon BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 67276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC100N10NSF G BSC100N10NSF G Infineon Technologies Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 5663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.15 EUR
10+2.68 EUR
100+1.85 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.36 EUR
5000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 89
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.89 EUR
46+3.04 EUR
100+2.01 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC105N15LS5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+3.06 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 INFINEON 4159876.pdf Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 INFINEON 4159876.pdf Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3 G BSC109N10NS3 G Infineon Technologies Infineon_BSC109N10NS3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+2.04 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
2500+1 EUR
5000+0.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11922 Stücke:
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BSC110N06NS3 G BSC110N06NS3 G Infineon Technologies Infineon-BSC110N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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2+2.16 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 147 Stücke:
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2+2.31 EUR
10+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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332+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 332
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 339 Stücke:
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213+0.68 EUR
215+0.65 EUR
252+0.53 EUR
334+0.39 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 339 Stücke:
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168+0.86 EUR
213+0.66 EUR
215+0.63 EUR
252+0.51 EUR
334+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 168
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC110N15NS5_DataSheet_v02_06_EN.pdf MOSFETs MV POWER MOS
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100+2.55 EUR
500+2.22 EUR
2500+2.08 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21648 Stücke:
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 296 Stücke:
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43+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4776 Stücke:
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50+2.94 EUR
59+2.38 EUR
60+2.27 EUR
100+1.84 EUR
250+1.75 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
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5000+2.28 EUR
50000+2.02 EUR
75000+1.82 EUR
100000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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50+2.94 EUR
59+2.38 EUR
60+2.27 EUR
100+1.84 EUR
250+1.75 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5datasheetv0206en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n15ns5scdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+3.7 EUR
16000+3.28 EUR
24000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC112N06LD_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.4 EUR
10+2.16 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
2500+1.03 EUR
5000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 INFINEON Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6 Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5 BSC117N08NS5 Infineon Technologies infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.93 EUR
100+1.77 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.41 EUR
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC117N08NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
auf Bestellung 17420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.12 EUR
10+1.97 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Raspberry Pi 5 16G
Produktcode: 210045
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Raspberry Pi 5 16G
Hersteller: Raspberry Pi
Modulare Elemente > Programmierer und Debugging-Tools
Beschreibung: Процесор: BCM2712 Cortex-A76 2,4 GHz. Графічний процесор: VideoCore VII graphics, з підтримкою OpenGL-ES 3.1, Vulkan 1.2. Два micro-HDMI виходи 4kp60. ОЗП: 16GB LPDDR4X-4267 SDRAM. ПЗП: microSD (сумісний із SDR104)/ M.2 NVMe SSD через M.2 HAT. GPIO: 40 виводів. USB: 2× USB 3.0/ 2× USB 2.0. Роз'єми: 2x 4х лінійний MIPI для камери/дисплея. PCI 2.0, UART/RTC. Комунікації: Gigabit Ethernet/ WiFi 802.11ac dual-band/ Bluetooth 5.0. Живлення: USB type-C. Габарити: 85x56мм.
Entwicklungstyp: Мікрокомп'ютер
Chiptyp: BCM2712
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 3 St.
3 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
374+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 374
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3 G Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf
BSC100N06LS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.59 EUR
10+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.78 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 200A
auf Bestellung 1119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
63+1.15 EUR
74+0.97 EUR
100+0.76 EUR
250+0.65 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 18460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.64 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.78 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 67276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
Hersteller: Infineon
N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 67276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC100N10NSF G Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en.pdf
BSC100N10NSF G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 5663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.15 EUR
10+2.68 EUR
100+1.85 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.37 EUR
2500+1.36 EUR
5000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 9980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
89+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+4.89 EUR
46+3.04 EUR
100+2.01 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 Infineon_BSC105N15LS5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.7 EUR
10+3.06 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 4159876.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 4159876.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3 G Infineon_BSC109N10NS3_DS_v02_00_en.pdf
BSC109N10NS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 9128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.04 EUR
100+1.37 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.02 EUR
2500+1 EUR
5000+0.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
202+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 202
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3 G Infineon-BSC110N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
BSC110N06NS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 74580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.16 EUR
10+1.36 EUR
100+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon-BSC110N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.31 EUR
10+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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213+0.68 EUR
215+0.65 EUR
252+0.53 EUR
334+0.39 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 339 Stücke:
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168+0.86 EUR
213+0.66 EUR
215+0.63 EUR
252+0.51 EUR
334+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 168
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MOSFETs MV POWER MOS
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500+2.22 EUR
2500+2.08 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21648 Stücke:
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BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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43+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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50+2.94 EUR
59+2.38 EUR
60+2.27 EUR
100+1.84 EUR
250+1.75 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+2.28 EUR
50000+2.02 EUR
75000+1.82 EUR
100000+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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50+2.94 EUR
59+2.38 EUR
60+2.27 EUR
100+1.84 EUR
250+1.75 EUR
500+1.6 EUR
1000+1.52 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+1.71 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+2.08 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 21648 Stücke:
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BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC110N15NS5SCATMA1 infineonbsc110n15ns5scdatasheetv0201en.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 77A 8-Pin WSON EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+3.7 EUR
16000+3.28 EUR
24000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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BSC112N06LDATMA1 Infineon_BSC112N06LD_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC112N06LDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.4 EUR
10+2.16 EUR
100+1.46 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
2500+1.03 EUR
5000+1 EUR
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BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
BSC112N06LDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC112N06LDATMA1 infineonbsc112n06lddsv0200en.pdf
BSC112N06LDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 57A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
166+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 166
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC112N06LDATMA1 Infineon-BSC112N06LD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016905f559210ce6
BSC112N06LDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC112N06LDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5 infineon-bsc117n08ns5-datasheet-v02_01-en.pdf
BSC117N08NS5
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+1.93 EUR
100+1.77 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.41 EUR
2500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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BSC117N08NS5ATMA1 Infineon_BSC117N08NS5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
BSC117N08NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
auf Bestellung 17420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.12 EUR
10+1.97 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.86 EUR
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