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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 G Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
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46+1.56 EUR
99+0.73 EUR
166+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 46
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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2500+0.75 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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77+2.11 EUR
133+1.18 EUR
134+1.12 EUR
200+0.72 EUR
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78535 Stücke:
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78535 Stücke:
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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133+1.22 EUR
134+1.16 EUR
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250+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 133
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N10NSF G BSC100N10NSF G Infineon Technologies Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en-3360078.pdf MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
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1+3.19 EUR
10+2.38 EUR
100+1.81 EUR
250+1.80 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.50 EUR
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
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79+2.05 EUR
86+1.75 EUR
103+1.41 EUR
250+1.34 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
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5000+1.34 EUR
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1841 Stücke:
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79+2.05 EUR
86+1.75 EUR
103+1.41 EUR
250+1.34 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON 1926695.pdf Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc100n10nsfrev2.06.pdf BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.16 EUR
89+1.75 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC105N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398000.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.57 EUR
10+2.43 EUR
100+2.16 EUR
250+2.04 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.90 EUR
2500+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 BSC105N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3 G BSC109N10NS3 G Infineon Technologies Infineon_BSC109N10NS3_DS_v02_00_en-3360637.pdf MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 10044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.96 EUR
10+2.04 EUR
100+1.44 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.98 EUR
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BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.12 EUR
151+1.03 EUR
163+0.92 EUR
200+0.87 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.80 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.38 EUR
118+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc109n10ns3rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3 G BSC110N06NS3 G Infineon Technologies Infineon_BSC110N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360638.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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245+0.64 EUR
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278+0.52 EUR
500+0.48 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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10000+0.55 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
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BSC110N15NS5 BSC110N15NS5 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC110N15NS5_DataSheet_v02_06_EN-3360627.pdf MOSFETs MV POWER MOS
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10+3.43 EUR
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250+2.57 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.29 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27140 Stücke:
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.30 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
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58+2.82 EUR
65+2.41 EUR
68+2.22 EUR
100+1.93 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 26635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.82 EUR
65+2.41 EUR
68+2.22 EUR
100+1.93 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC110N15NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360854.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.86 EUR
10+4.66 EUR
25+4.65 EUR
100+3.38 EUR
500+2.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5SCATMA1 BSC110N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098626.pdf Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC112N06LDATMA1 BSC112N06LDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC112N06LD_DataSheet_v02_01_EN-3361166.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 4731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+2.09 EUR
100+1.45 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.00 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1271+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1271
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BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N03MSGATMA1 INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
332+0.49 EUR
334+0.47 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 332
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BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1271+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N06LS3 G Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf
BSC100N06LS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 48477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.18 EUR
10+1.48 EUR
100+1.04 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.80 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
99+0.73 EUR
166+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
99+0.73 EUR
166+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 20731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.36 EUR
10+1.48 EUR
100+1.03 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+2.11 EUR
133+1.18 EUR
134+1.12 EUR
200+0.72 EUR
250+0.66 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
133+1.22 EUR
134+1.16 EUR
200+0.75 EUR
250+0.69 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 133
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSF G Infineon_BSC100N10NSF_DS_v02_08_en-3360078.pdf
BSC100N10NSF G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 13754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.19 EUR
10+2.38 EUR
100+1.81 EUR
250+1.80 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.50 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+2.05 EUR
86+1.75 EUR
103+1.41 EUR
250+1.34 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
79+2.05 EUR
86+1.75 EUR
103+1.41 EUR
250+1.34 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 79
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BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 1926695.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N10NSFGATMA1 bsc100n10nsfrev2.06.pdf
BSC100N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+2.16 EUR
89+1.75 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.58 EUR
2000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 Infineon_BSC105N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398000.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.57 EUR
10+2.43 EUR
100+2.16 EUR
250+2.04 EUR
500+1.97 EUR
1000+1.90 EUR
2500+1.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N15LS5ATMA1 infineon-bsc105n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf
BSC105N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3 G Infineon_BSC109N10NS3_DS_v02_00_en-3360637.pdf
BSC109N10NS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 10044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.96 EUR
10+2.04 EUR
100+1.44 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.99 EUR
5000+0.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
144+1.12 EUR
151+1.03 EUR
163+0.92 EUR
200+0.87 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.80 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.70 EUR
Mindestbestellmenge: 144
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+1.38 EUR
118+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 INFNS15756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+1.64 EUR
117+1.34 EUR
118+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 bsc109n10ns3rev2.0.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3 G Infineon_BSC110N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360638.pdf
BSC110N06NS3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 84817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.02 EUR
10+1.36 EUR
100+0.95 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.70 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon_BSC110N06NS3_G_DataSheet_v02_05_EN-3360638.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 71930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+0.99 EUR
10+0.98 EUR
100+0.82 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
265+0.61 EUR
266+0.59 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
5000+0.50 EUR
10000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 265
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 infineon-bsc110n06ns3g-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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10000+0.51 EUR
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BSC110N15NS5 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
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500+2.36 EUR
1000+2.29 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+2.30 EUR
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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Anzahl Preis
58+2.82 EUR
65+2.41 EUR
68+2.22 EUR
100+1.93 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Anzahl Preis
5000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 26635 Stücke:
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC110N15NS5ATMA1 infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf
BSC110N15NS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
58+2.82 EUR
65+2.41 EUR
68+2.22 EUR
100+1.93 EUR
250+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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BSC110N15NS5SCATMA1 Infineon_BSC110N15NS5SC_DataSheet_v02_01_EN-3360854.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3435 Stücke:
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Anzahl Preis
1+6.86 EUR
10+4.66 EUR
25+4.65 EUR
100+3.38 EUR
500+2.90 EUR
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BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5SCATMA1 4098626.pdf
BSC110N15NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC112N06LDATMA1 Infineon_BSC112N06LD_DataSheet_v02_01_EN-3361166.pdf
BSC112N06LDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 4731 Stücke:
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Anzahl Preis
1+2.92 EUR
10+2.09 EUR
100+1.45 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.00 EUR
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