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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 12443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5004 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N06LS3 G | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 48477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 45nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD |
auf Bestellung 5620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 45nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5620 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 20731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 78535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 78535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N10NSF G | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 13754 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N10NSFGATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N10NSFGATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1879 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC109N10NS3 G | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 14757 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N06NS3 G | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 84817 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 71930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 19900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10763 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 7803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 27140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 26635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5SCATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC110N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC110N15NS5SCATMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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BSC112N06LDATMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 12443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1271+ | 0.48 EUR |
BSC100N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
332+ | 0.49 EUR |
334+ | 0.47 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
BSC100N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1271+ | 0.48 EUR |
BSC100N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N06LS3 G |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 48477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.48 EUR |
100+ | 1.04 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.80 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.73 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.56 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.56 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 20731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.36 EUR |
10+ | 1.48 EUR |
100+ | 1.03 EUR |
500+ | 0.85 EUR |
1000+ | 0.76 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.72 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
77+ | 2.11 EUR |
133+ | 1.18 EUR |
134+ | 1.12 EUR |
200+ | 0.72 EUR |
250+ | 0.66 EUR |
500+ | 0.52 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 78535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
133+ | 1.22 EUR |
134+ | 1.16 EUR |
200+ | 0.75 EUR |
250+ | 0.69 EUR |
500+ | 0.54 EUR |
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.62 EUR |
BSC100N10NSF G |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 13754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.19 EUR |
10+ | 2.38 EUR |
100+ | 1.81 EUR |
250+ | 1.80 EUR |
500+ | 1.52 EUR |
1000+ | 1.50 EUR |
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
79+ | 2.05 EUR |
86+ | 1.75 EUR |
103+ | 1.41 EUR |
250+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.15 EUR |
1000+ | 1.00 EUR |
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 1.34 EUR |
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
79+ | 2.05 EUR |
86+ | 1.75 EUR |
103+ | 1.41 EUR |
250+ | 1.34 EUR |
500+ | 1.15 EUR |
1000+ | 1.00 EUR |
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 1.53 EUR |
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 1.35 EUR |
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC100N10NSFGATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
75+ | 2.16 EUR |
89+ | 1.75 EUR |
500+ | 1.65 EUR |
1000+ | 1.58 EUR |
2000+ | 1.35 EUR |
BSC105N15LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 3.57 EUR |
10+ | 2.43 EUR |
100+ | 2.16 EUR |
250+ | 2.04 EUR |
500+ | 1.97 EUR |
1000+ | 1.90 EUR |
2500+ | 1.81 EUR |
BSC105N15LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC105N15LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC109N10NS3 G |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 10044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.96 EUR |
10+ | 2.04 EUR |
100+ | 1.44 EUR |
500+ | 1.17 EUR |
1000+ | 0.99 EUR |
5000+ | 0.98 EUR |
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
144+ | 1.12 EUR |
151+ | 1.03 EUR |
163+ | 0.92 EUR |
200+ | 0.87 EUR |
500+ | 0.83 EUR |
1000+ | 0.80 EUR |
2000+ | 0.76 EUR |
5000+ | 0.70 EUR |
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
117+ | 1.38 EUR |
118+ | 1.33 EUR |
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 1.05 EUR |
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
99+ | 1.64 EUR |
117+ | 1.34 EUR |
118+ | 1.28 EUR |
BSC109N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 1.06 EUR |
BSC110N06NS3 G |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 84817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 2.02 EUR |
10+ | 1.36 EUR |
100+ | 0.95 EUR |
500+ | 0.82 EUR |
1000+ | 0.70 EUR |
2500+ | 0.65 EUR |
5000+ | 0.63 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 71930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 0.99 EUR |
10+ | 0.98 EUR |
100+ | 0.82 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
1000+ | 0.62 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.54 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
265+ | 0.61 EUR |
266+ | 0.59 EUR |
500+ | 0.55 EUR |
1000+ | 0.53 EUR |
5000+ | 0.50 EUR |
10000+ | 0.45 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
241+ | 0.67 EUR |
243+ | 0.64 EUR |
245+ | 0.61 EUR |
273+ | 0.53 EUR |
278+ | 0.50 EUR |
500+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.43 EUR |
3000+ | 0.42 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
243+ | 0.67 EUR |
245+ | 0.64 EUR |
273+ | 0.55 EUR |
278+ | 0.52 EUR |
500+ | 0.48 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
3000+ | 0.42 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.57 EUR |
10000+ | 0.55 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.68 EUR |
BSC110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.54 EUR |
10000+ | 0.51 EUR |
BSC110N15NS5 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 1.94 EUR |
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
MOSFETs MV POWER MOS
auf Bestellung 7803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 4.36 EUR |
10+ | 3.43 EUR |
25+ | 3.17 EUR |
100+ | 2.69 EUR |
250+ | 2.57 EUR |
500+ | 2.36 EUR |
1000+ | 2.29 EUR |
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 2.19 EUR |
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 27140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 2.30 EUR |
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
58+ | 2.82 EUR |
65+ | 2.41 EUR |
68+ | 2.22 EUR |
100+ | 1.93 EUR |
250+ | 1.82 EUR |
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 2.32 EUR |
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 26635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 2.19 EUR |
BSC110N15NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
58+ | 2.82 EUR |
65+ | 2.41 EUR |
68+ | 2.22 EUR |
100+ | 1.93 EUR |
250+ | 1.82 EUR |
BSC110N15NS5SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.86 EUR |
10+ | 4.66 EUR |
25+ | 4.65 EUR |
100+ | 3.38 EUR |
500+ | 2.90 EUR |
BSC110N15NS5SCATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC110N15NS5SCATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BSC110N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77 A, 0.011 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC112N06LDATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 4731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.92 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
100+ | 1.45 EUR |
500+ | 1.17 EUR |
1000+ | 1.00 EUR |
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