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SI2300-TP SI2300-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2300_SOT_23_-3366383.pdf MOSFETs N-Ch Enh FET 20Vds 4.5A 10Vgs 1W
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SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2300ds.pdf MOSFETs SOT23 N CHAN 30V
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SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-T1-BE3 Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2300DS-T1-BE3 SI2300DS-T1-BE3 Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2300ds.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.16 EUR
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 867 Stücke:
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2300DS-T1-GE3 SI2300DS-T1-GE3 Vishay si2300ds.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2301 HOTTECH P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; SI2301 SOT23 HOTTECH TSI2301 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301 HOTTECH Podobny do: HT2301ARTZ; SL2301; SI2301 TSI2301 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301 BORN P-Channel -20V 3A 1V @ 250uA 110m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs  SI2301 SOT23-3 BORN TSI2301 BORN
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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SI2301 HOTTECH Podobny do: HT2301ARTZ; SL2301; SI2301 TSI2301 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301 HOTTECH Podobny do: HT2301ARTZ; SL2301; SI2301 TSI2301 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301 3A kuu semiconductor Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2301 3A KUU TSI2301 KUU
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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SI2301-TP SI2301-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2301_SOT_23_-2510054.pdf MOSFETs P-CH -20V -2.8A 8S
auf Bestellung 3778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SI2301-TP SI2301-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2301(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301-TP SI2301-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2301(SOT-23).pdf Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301A-TP SI2301A-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2301A(SOT-23).pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
421+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301A-TP SI2301A-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI2301A(SOT-23).pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
421+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301A-TP SI2301A-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2301A_SOT_23_-3370152.pdf MOSFETs P-Ch -20Vds -2.8A 8Vgs -10A 1.0W
auf Bestellung 12179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.5 EUR
100+0.26 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Vishay doc72066.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 29901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+0.29 EUR
518+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 499
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-E3 L1.. Vishay Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
80+0.89 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 Vishay doc72066.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2301cd.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
auf Bestellung 99735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.61 EUR
100+0.29 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-T1-BE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2301cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 294317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET, P-KANAL, -20V, -3.1A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+0.54 EUR
193+0.37 EUR
253+0.28 EUR
281+0.25 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7966 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
193+0.37 EUR
253+0.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 132
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SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 100
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SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 100
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 406950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 406950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.18 EUR
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay si2301cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY 2049129.pdf Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
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835+0.17 EUR
874+0.16 EUR
974+0.14 EUR
1219+0.1 EUR
1345+0.091 EUR
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SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
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399+0.36 EUR
593+0.23 EUR
646+0.21 EUR
835+0.15 EUR
874+0.14 EUR
974+0.12 EUR
1219+0.092 EUR
1345+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 399
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SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301HE3-TP SI2301HE3-TP Micro Commercial Components si2301he3sot-23.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301S BORN P-Channel -20V 2.3A 1V @ 250uA 210m? @ 1A,2.5V 1W SOT-23 MOSFETs SI2301S SOT23 BORN TSI2301s BORN
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
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200+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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SI2302 BORN N-Channel 20V 3A 1.5V @ 250uA 45m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs  SI2302 SOT23 BORN TSI2302 BORN
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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SI2302 2.9A kuu semiconductor Trans. N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2302 2.9A SOT23 KUU TSI2302 KUU
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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SI2302-TP SI2302-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2302_SOT_23_-2510104.pdf MOSFETs N-CH 20V 3A 8.5S
auf Bestellung 10779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SI2302A-TP SI2302A-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D924A645CBA0D3&compId=SI2302A.pdf?ci_sign=5fe752241f79ec9e8a75863dca554d96883de67a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
auf Bestellung 6617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
183+0.39 EUR
277+0.26 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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SI2302A-TP SI2302A-TP MICRO COMMERCIAL COMPONENTS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D924A645CBA0D3&compId=SI2302A.pdf?ci_sign=5fe752241f79ec9e8a75863dca554d96883de67a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
183+0.39 EUR
277+0.26 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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SI2302A-TP SI2302A-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2302A_SOT_23_-3423152.pdf MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 7751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2302cds.pdf MOSFETs TO220 P CHAN 20V
auf Bestellung 168923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.68 EUR
100+0.4 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-T1-BE3 Vishay si2302cds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2300-TP SI2300_SOT_23_-3366383.pdf
SI2300-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-Ch Enh FET 20Vds 4.5A 10Vgs 1W
auf Bestellung 5907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.76 EUR
10+0.47 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI2300DS-T1-BE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 N CHAN 30V
auf Bestellung 152311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.81 EUR
10+0.55 EUR
100+0.41 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI2300DS-T1-BE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2300DS-T1-BE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
332+0.22 EUR
368+0.19 EUR
388+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23
auf Bestellung 75726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.54 EUR
10+0.34 EUR
100+0.3 EUR
500+0.27 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SI2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2300DS-T1-GE3 VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.18 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2300DS-T1-GE3 VISH-S-A0010743888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2300DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
SI2300DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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SI2301
Hersteller: HOTTECH
P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; SI2301 SOT23 HOTTECH TSI2301 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301
Hersteller: HOTTECH
Podobny do: HT2301ARTZ; SL2301; SI2301 TSI2301 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.052 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301
Hersteller: BORN
P-Channel -20V 3A 1V @ 250uA 110m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs  SI2301 SOT23-3 BORN TSI2301 BORN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301
Hersteller: HOTTECH
Podobny do: HT2301ARTZ; SL2301; SI2301 TSI2301 c
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301
Hersteller: HOTTECH
Podobny do: HT2301ARTZ; SL2301; SI2301 TSI2301 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.052 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301 3A
Hersteller: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2301 3A KUU TSI2301 KUU
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
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300+0.097 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301-TP SI2301_SOT_23_-2510054.pdf
SI2301-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs P-CH -20V -2.8A 8S
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10+0.39 EUR
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500+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301-TP SI2301(SOT-23).pdf
SI2301-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
auf Bestellung 2865 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301-TP SI2301(SOT-23).pdf
SI2301-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - SI2301-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2865 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301A-TP SI2301A(SOT-23).pdf
SI2301A-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
421+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301A-TP SI2301A(SOT-23).pdf
SI2301A-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1267 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
194+0.37 EUR
421+0.17 EUR
447+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301A-TP SI2301A_SOT_23_-3370152.pdf
SI2301A-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs P-Ch -20Vds -2.8A 8Vgs -10A 1.0W
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Anzahl Preis
4+0.74 EUR
10+0.5 EUR
100+0.26 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-E3 doc72066.pdf
SI2301BDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 29901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
499+0.29 EUR
518+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 499
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-E3 L1..
Hersteller: Vishay
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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Anzahl Preis
50+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
25+2.86 EUR
80+0.89 EUR
220+0.33 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301BDS-T1-GE3 doc72066.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT23 P CHAN 20V
auf Bestellung 99735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.89 EUR
10+0.61 EUR
100+0.29 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-BE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
auf Bestellung 294317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.9 EUR
10+0.6 EUR
100+0.41 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-E3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-E3 - MOSFET, P-KANAL, -20V, -3.1A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
193+0.37 EUR
253+0.28 EUR
281+0.25 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7966 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
193+0.37 EUR
253+0.28 EUR
281+0.25 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 406950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 396000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 406950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301CDS-T1-GE3 2049129.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 423000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301HE3-TP si2301he3sot-23.pdf
SI2301HE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
835+0.17 EUR
874+0.16 EUR
974+0.14 EUR
1219+0.1 EUR
1345+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 835
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SI2301HE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
399+0.36 EUR
593+0.23 EUR
646+0.21 EUR
835+0.15 EUR
874+0.14 EUR
974+0.12 EUR
1219+0.092 EUR
1345+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 399
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SI2301HE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2301HE3-TP si2301he3sot-23.pdf
SI2301HE3-TP
Hersteller: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SI2301S
Hersteller: BORN
P-Channel -20V 2.3A 1V @ 250uA 210m? @ 1A,2.5V 1W SOT-23 MOSFETs SI2301S SOT23 BORN TSI2301s BORN
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302
Hersteller: BORN
N-Channel 20V 3A 1.5V @ 250uA 45m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs  SI2302 SOT23 BORN TSI2302 BORN
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302 2.9A
Hersteller: kuu semiconductor
Trans. N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2302 2.9A SOT23 KUU TSI2302 KUU
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302-TP SI2302_SOT_23_-2510104.pdf
SI2302-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CH 20V 3A 8.5S
auf Bestellung 10779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.54 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SI2302A-TP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D924A645CBA0D3&compId=SI2302A.pdf?ci_sign=5fe752241f79ec9e8a75863dca554d96883de67a
SI2302A-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
auf Bestellung 6617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
183+0.39 EUR
277+0.26 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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SI2302A-TP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D924A645CBA0D3&compId=SI2302A.pdf?ci_sign=5fe752241f79ec9e8a75863dca554d96883de67a
SI2302A-TP
Hersteller: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
183+0.39 EUR
277+0.26 EUR
428+0.17 EUR
455+0.16 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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SI2302A-TP SI2302A_SOT_23_-3423152.pdf
SI2302A-TP
Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 7751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.73 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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SI2302CDS-T1-BE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 P CHAN 20V
auf Bestellung 168923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.86 EUR
10+0.68 EUR
100+0.4 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2302CDS-T1-BE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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