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SI4432 wireless module SI4432 wireless module
Produktcode: 84546 		si4430-31-32.pdf Modulare Elemente > IC Radiomodule
Beschreibung: Empfanger-Sender bis 1000 Meter Modul; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate :0.123-256kbps;
Strom,V: 1,8...3,6
6: RF
Bemerkung: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
auf Bestellung 55 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.16 EUR
SI4430-B1-FM SI4430-B1-FM Silicon Labs Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.9 EUR
10+ 16.19 EUR
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4430bd.pdf MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.92 EUR
10+ 2.43 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.63 EUR
1000+ 1.54 EUR
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4430bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
10+ 2.43 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.64 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SI4430BDY-T1-GE3 SI4430BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4430bd.pdf MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.04 EUR
10+ 2.53 EUR
100+ 2.01 EUR
250+ 1.94 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.44 EUR
2500+ 1.39 EUR
SI4431-B1-FM SI4431-B1-FM Silicon Labs Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.02 EUR
10+ 15.6 EUR
25+ 14.18 EUR
80+ 12.76 EUR
230+ 11.7 EUR
490+ 10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431-B1-FM SI4431-B1-FM Silicon Labs Si4430_31_32-1397927.pdf RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.83 EUR
10+ 15.31 EUR
25+ 12.5 EUR
100+ 11.6 EUR
250+ 10.56 EUR
500+ 9.5 EUR
2450+ 9.49 EUR
SI4431-B1-FM SI4431-B1-FM SILICON LABS 2244900.pdf Description: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 30mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -101dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
93+ 0.77 EUR
98+ 0.73 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
93+ 0.77 EUR
98+ 0.73 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 38456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.6 EUR
14+ 1.3 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4431bd.pdf MOSFET 30V (D-S) 7.5A
auf Bestellung 15004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.59 EUR
10+ 1.29 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.7 EUR
2500+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.66 EUR
5000+ 0.63 EUR
12500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.73 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 6593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.76 EUR
13+ 1.44 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4431bd.pdf MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
auf Bestellung 12669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
2500+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay / Siliconix si4431cd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 18276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+ 1.26 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.61 EUR
2500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 6682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.69 EUR
13+ 1.39 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.12 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
164+ 0.44 EUR
173+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SI4431CDY-T1-GE3 Siliconix si4431cd.pdf P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
164+ 0.44 EUR
173+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+ 0.44 EUR
12500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 41045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.2 EUR
17+ 1.05 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4431cd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 23052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+ 0.93 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY 1866582.pdf Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
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SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
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Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY 1866582.pdf Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
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SI4431DY Fairchild Semiconductor FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
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1268+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
SI4431DY SI4431DY ONSEMI FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
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SI4432-B1-FM SI4432-B1-FM Silicon Labs Si4430_31_32-1397927.pdf RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
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1+18.92 EUR
10+ 17.2 EUR
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100+ 13.08 EUR
250+ 11.88 EUR
500+ 10.7 EUR
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SI4432-B1-FM SI4432-B1-FM Silicon Labs Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
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2+13.45 EUR
10+ 12.33 EUR
25+ 11.21 EUR
80+ 10.09 EUR
230+ 9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4432-B1-FMR SI4432-B1-FMR SILICON LABS SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1529 Stücke:
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SI4432-B1-FMR SI4432-B1-FMR SILICON LABS SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1529 Stücke:
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SI4432-V2-FM SI4432-V2-FM Silicon Laboratories si4432.pdf RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 490 Stücke:
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SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+1.46 EUR
5000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
auf Bestellung 9574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.24 EUR
10+ 2.7 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4434ady.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.22 EUR
10+ 2.69 EUR
100+ 2.15 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.53 EUR
2500+ 1.45 EUR
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 9878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4434dy.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+ 4.33 EUR
100+ 3.48 EUR
500+ 2.87 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.27 EUR
5000+ 2.16 EUR
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.14 EUR
5000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.24 EUR
73+ 2.07 EUR
100+ 1.96 EUR
200+ 1.86 EUR
500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 69
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.14 EUR
5000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4434dy.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.45 EUR
10+ 3.73 EUR
25+ 3.54 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.87 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.24 EUR
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 17002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.75 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
163+ 0.44 EUR
172+ 0.42 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
163+ 0.44 EUR
172+ 0.42 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4435ddy.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+ 0.97 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
2500+ 0.44 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 7872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
18+ 1.03 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.6 EUR
264+ 0.57 EUR
339+ 0.42 EUR
343+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 258
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
230+0.67 EUR
258+ 0.58 EUR
264+ 0.55 EUR
339+ 0.41 EUR
343+ 0.39 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 230
SI4432 wireless module
Produktcode: 84546		 si4430-31-32.pdf
SI4432 wireless module
Modulare Elemente > IC Radiomodule
Beschreibung: Empfanger-Sender bis 1000 Meter Modul; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate :0.123-256kbps;
Strom,V: 1,8...3,6
6: RF
Bemerkung: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
auf Bestellung 55 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.16 EUR
SI4430-B1-FM Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf
SI4430-B1-FM
Hersteller: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+17.9 EUR
10+ 16.19 EUR
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Si4430BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
auf Bestellung 2324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.92 EUR
10+ 2.43 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.63 EUR
1000+ 1.54 EUR
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Si4430BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+2.94 EUR
10+ 2.43 EUR
100+ 1.94 EUR
500+ 1.64 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SI4430BDY-T1-GE3 si4430bd.pdf
SI4430BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.04 EUR
10+ 2.53 EUR
100+ 2.01 EUR
250+ 1.94 EUR
500+ 1.7 EUR
1000+ 1.44 EUR
2500+ 1.39 EUR
SI4431-B1-FM Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf
SI4431-B1-FM
Hersteller: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+17.02 EUR
10+ 15.6 EUR
25+ 14.18 EUR
80+ 12.76 EUR
230+ 11.7 EUR
490+ 10.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431-B1-FM Si4430_31_32-1397927.pdf
SI4431-B1-FM
Hersteller: Silicon Labs
RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+16.83 EUR
10+ 15.31 EUR
25+ 12.5 EUR
100+ 11.6 EUR
250+ 10.56 EUR
500+ 9.5 EUR
2450+ 9.49 EUR
SI4431-B1-FM 2244900.pdf
SI4431-B1-FM
Hersteller: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 30mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -101dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
93+ 0.77 EUR
98+ 0.73 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
76+ 0.95 EUR
93+ 0.77 EUR
98+ 0.73 EUR
500+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 38456 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.6 EUR
14+ 1.3 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V (D-S) 7.5A
auf Bestellung 15004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.59 EUR
10+ 1.29 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.7 EUR
2500+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.66 EUR
5000+ 0.63 EUR
12500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.73 EUR
5000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
auf Bestellung 6593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+1.76 EUR
13+ 1.44 EUR
100+ 1.12 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
auf Bestellung 12669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.75 EUR
10+ 1.43 EUR
100+ 1.11 EUR
500+ 0.94 EUR
1000+ 0.77 EUR
2500+ 0.71 EUR
5000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.7 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 18276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.42 EUR
10+ 1.26 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.61 EUR
2500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 6682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.69 EUR
13+ 1.39 EUR
100+ 1.08 EUR
500+ 0.92 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
164+ 0.44 EUR
173+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 30
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
65+1.12 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
164+ 0.44 EUR
173+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 65
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.46 EUR
5000+ 0.44 EUR
12500+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
auf Bestellung 41045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.2 EUR
17+ 1.05 EUR
100+ 0.73 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 23052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.13 EUR
10+ 0.93 EUR
100+ 0.7 EUR
500+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 1866582.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 9489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 1866582.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
auf Bestellung 9489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4431DY FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
auf Bestellung 9069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1268+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
SI4431DY FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SI4431DY
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
auf Bestellung 9069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4432-B1-FM Si4430_31_32-1397927.pdf
SI4432-B1-FM
Hersteller: Silicon Labs
RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+18.92 EUR
10+ 17.2 EUR
25+ 14.26 EUR
100+ 13.08 EUR
250+ 11.88 EUR
500+ 10.7 EUR
2450+ 10.45 EUR
SI4432-B1-FM Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf
SI4432-B1-FM
Hersteller: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+13.45 EUR
10+ 12.33 EUR
25+ 11.21 EUR
80+ 10.09 EUR
230+ 9.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SI4432-B1-FMR SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4432-B1-FMR
Hersteller: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4432-B1-FMR SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4432-B1-FMR
Hersteller: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4432-V2-FM si4432.pdf
SI4432-V2-FM
Hersteller: Silicon Laboratories
RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.46 EUR
5000+ 1.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
auf Bestellung 9574 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+3.24 EUR
10+ 2.7 EUR
100+ 2.15 EUR
500+ 1.82 EUR
1000+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.22 EUR
10+ 2.69 EUR
100+ 2.15 EUR
250+ 1.99 EUR
500+ 1.8 EUR
1000+ 1.53 EUR
2500+ 1.45 EUR
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 9878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.75 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 1215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.8 EUR
10+ 4.33 EUR
100+ 3.48 EUR
500+ 2.87 EUR
1000+ 2.38 EUR
2500+ 2.27 EUR
5000+ 2.16 EUR
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+2.14 EUR
5000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
69+2.24 EUR
73+ 2.07 EUR
100+ 1.96 EUR
200+ 1.86 EUR
500+ 1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 69
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+2.14 EUR
5000+ 2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+4.45 EUR
10+ 3.73 EUR
25+ 3.54 EUR
100+ 3.03 EUR
250+ 2.87 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.24 EUR
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
auf Bestellung 17002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+4.75 EUR
10+ 3.95 EUR
100+ 3.14 EUR
500+ 2.66 EUR
1000+ 2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
163+ 0.44 EUR
172+ 0.42 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1359 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
131+0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
163+ 0.44 EUR
172+ 0.42 EUR
1000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 131
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.45 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 5181 Stücke:
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3+1.11 EUR
10+ 0.97 EUR
100+ 0.67 EUR
500+ 0.57 EUR
1000+ 0.49 EUR
2500+ 0.44 EUR
5000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 7872 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
15+1.18 EUR
18+ 1.03 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.59 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 15
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
258+0.6 EUR
264+ 0.57 EUR
339+ 0.42 EUR
343+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 258
SI4435DDY-T1-E3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
230+0.67 EUR
258+ 0.58 EUR
264+ 0.55 EUR
339+ 0.41 EUR
343+ 0.39 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 230
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