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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
GD50PIY120C6SN	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 62A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 218W euEccn: NLR Verlustleistung: 218W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 62A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD50PJX65L3S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 91A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 264W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFX170C6S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD600HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.069 kA, 1.85 V, 4.166 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 1.069kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 4.166kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.166kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1.069kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFX65C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD600HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 768 A, 1.45 V, 1.875 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 768A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 1.875kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.875kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 768A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFX65C6S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD600HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 700 A, 1.45 V, 1.648 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 700A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 1.648kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.648kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 700A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600HFY120C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Dauer-Kollektorstrom: 1 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 3.409 Verlustleistung: 3.409 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600SGU120C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9 Dauer-Kollektorstrom: 830 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9 Verlustleistung Pd: 4.032 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.032 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 830 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600SGX170C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD600SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 958 A, 1.85 V, 3.448 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 958A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 3.448kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3.448kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 958A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD600SGY120C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD600SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 1 kA, 1.7 V, 3.409 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 1kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 3.409kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3.409kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD650HFX170P1S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD650HFX170P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V Dauer-Kollektorstrom: 1.073kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V Verlustleistung Pd: 4.2kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1.073kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFX170C6S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75FFX170C6S - IGBT-Modul, Sechserpack, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 139A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 559W euEccn: NLR Verlustleistung: 559W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 139A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFX65C5S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75FFX65C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 103A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 267W euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 103A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFY120C5S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 117A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 380W euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 117A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FFY120C6SF	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75FFY120C6SF - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 117A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 380W euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 117A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75FSY120L3S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 150 A, 1.65 V, 576 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 576W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFU120C1S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 658W euEccn: NLR Verlustleistung: 658W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFU120C1SD	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 484W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFX170C1S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 139A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 559W euEccn: NLR Verlustleistung: 559W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 139A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFX65C1S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 258W euEccn: NLR Verlustleistung: 258W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HFY120C1S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 117 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 117A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 380W euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 117A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75HHU120C5S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 115 A, 3.1 V, 667 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 115A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 667W euEccn: NLR Verlustleistung: 667W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: H-Brücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 115A Betriebstemperatur, max.: 125°C	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75MLX65L3S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75MLX65L3S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 124 A, 1.45 V, 355 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 124A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 355W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD75PIX65C6S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD75PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 103A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 267W euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 103A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD800HFX170C3S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD800HFX170C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 800 A, 1.85 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 800A Betriebstemperatur, max.: 150°C	auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD800HFY120C3S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD800HFY120C3S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.203 kA, 1.7 V, 3.836 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 1.203kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 3.836kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3.836kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 1.203kA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD800SGX170C3S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne euEccn: NLR Verlustleistung: 5.75kW Bauform - Transistor: - Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD80TLQ120F1S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 450W euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 110A Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
GD900HFY120P1S	STARPOWER	Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 5.24 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.522 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD120HFR120C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - MD120HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD15FSR120L2SF	STARPOWER	Description: STARPOWER - MD15FSR120L2SF - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Sechsfach n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD200HFR120C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 299A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD300HFC170C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - MD300HFC170C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 484A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 11Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00333ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MD300HFR120C2S	STARPOWER	Description: STARPOWER - MD300HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 381A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

GD50PIY120C6SN

Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50PIY120C6SN - IGBT-Modul, PIM, 62 A, 1.7 V, 218 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 62A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 218W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 62A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

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