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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
auf Bestellung 1368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.79 EUR
31+0.57 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CH X0G TSM900N10CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10_A15.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CP ROG TSM900N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10_A15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.4 EUR
12500+0.39 EUR
17500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM900N10CP ROG TSM900N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10_A15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 22417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.41 EUR
18+1.01 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9435CS RLG TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9435CS_D1602.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9435CS RLG TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9435CS_D1602.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10_D1807.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM950N10_D1807.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 9154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
19+0.95 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECI C0G TSM9N90ECI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECZ C0G TSM9N90ECZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10H200S S1G TSP10H200S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H200S_D15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10H45S S1G TSP10H45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10H45S S1G TSP10H45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10U100S S1G TSP10U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10U100S S1G TSP10U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
auf Bestellung 37890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10U45S S1G TSP10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10U45S S1G TSP10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP12U120S S1G TSP12U120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP12U120S S1G TSP12U120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
auf Bestellung 7370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15H120S S1G TSP15H120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15H120S S1G TSP15H120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15H150S S1G TSP15H150S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15H150S S1G TSP15H150S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
auf Bestellung 5732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15H200S S1G TSP15H200S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_B15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15H200S S1G TSP15H200S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_B15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
auf Bestellung 7105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15U100S S1G TSP15U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U100S_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15U100S S1G TSP15U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U100S_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
auf Bestellung 1040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15U50S S1G TSP15U50S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U50S_H2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.98 EUR
3000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP15U50S S1G TSP15U50S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U50S_H2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
10+2.06 EUR
100+1.64 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP20U60S S1G TSP20U60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP20U60S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
auf Bestellung 34500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP20U60S S1G TSP20U60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP20U60S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
auf Bestellung 37426 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSPB10U45S S1G TSPB10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB10U45S_G15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSPB10U45S S1G TSPB10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB10U45S_G15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSS4B03G D2G TSS4B03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B01G%20SERIES_E15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSS54U RGG TSS54U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54U_C1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSS54U RGG TSS54U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54U_C1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
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TSSA3U45 R3G TSSA3U45 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U45_N1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
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TSSA3U60 R3G TSSA3U60 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60_F1612.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
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TSSA5U50 E3G TSSA5U50 E3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
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TSSA5U60 E3G TSSA5U60 E3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
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TSSE3H45 RVG TSSE3H45 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
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TSSE3H45 RVG TSSE3H45 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
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TSSE3H60 RVG TSSE3H60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
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TSSE3H60 RVG TSSE3H60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
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TSSE3U60 RVG TSSE3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
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TSSE3U60 RVG TSSE3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
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TST10H150CW C0G TST10H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW%20SERIES_A14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
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TST10L200CW C0G TST10L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
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TST10L60CW C0G TST10L60CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10L60CW_A1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
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TST20H120CW C0G TST20H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
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TST20H150CW C0G TST20H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
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TST20H200CW C0G TST20H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
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TST20L200CW C0G TST20L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20L100CW-TST20L200CW%20_C2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
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TST30H150CW C0G TST30H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
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TST30H200CW C0G TST30H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
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TST30L100CW C0G TST30L100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
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TST30L120CW C0G TST30L120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
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TST30L150CW C0G TST30L150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
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TST30L200CW C0G TST30L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
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TSM900N06CW RPG TSM900N06CW_A2205.pdf
TSM900N06CW RPG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
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TSM900N06CW RPG TSM900N06CW_A2205.pdf
TSM900N06CW RPG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
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Anzahl Preis
23+0.79 EUR
31+0.57 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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TSM900N10CH X0G TSM900N10_A15.pdf
TSM900N10CH X0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TSM900N10CP ROG TSM900N10_A15.pdf
TSM900N10CP ROG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.46 EUR
5000+0.41 EUR
7500+0.4 EUR
12500+0.39 EUR
17500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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TSM900N10CP ROG TSM900N10_A15.pdf
TSM900N10CP ROG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 22417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.41 EUR
18+1.01 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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TSM9435CS RLG TSM9435CS_D1602.pdf
TSM9435CS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9435CS RLG TSM9435CS_D1602.pdf
TSM9435CS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
auf Bestellung 2562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM950N10CW RPG TSM950N10_D1807.pdf
TSM950N10CW RPG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM950N10CW RPG TSM950N10_D1807.pdf
TSM950N10CW RPG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
auf Bestellung 9154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.34 EUR
19+0.95 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECI C0G
TSM9N90ECI C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM9N90ECZ C0G
TSM9N90ECZ C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TSP10H200S S1G TSP10H200S_D15.pdf
TSP10H200S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10H45S S1G TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf
TSP10H45S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10H45S S1G TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf
TSP10H45S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10U100S S1G TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf
TSP10U100S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10U100S S1G TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf
TSP10U100S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
auf Bestellung 37890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP10U45S S1G
TSP10U45S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TSP10U45S S1G
TSP10U45S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
Produkt ist nicht verfügbar
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TSP12U120S S1G TSP12U120S_F2103.pdf
TSP12U120S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSP12U120S S1G TSP12U120S_F2103.pdf
TSP12U120S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
auf Bestellung 7370 Stücke:
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TSP15H120S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
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TSP15H120S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
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TSP15H150S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TSP15H150S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
auf Bestellung 5732 Stücke:
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TSP15H200S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
auf Bestellung 6000 Stücke:
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TSP15H200S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
auf Bestellung 7105 Stücke:
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TSP15U100S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
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TSP15U100S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
auf Bestellung 1040 Stücke:
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TSP15U50S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
1500+0.98 EUR
3000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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TSP15U50S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
auf Bestellung 3368 Stücke:
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Anzahl Preis
8+2.48 EUR
10+2.06 EUR
100+1.64 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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TSP20U60S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
auf Bestellung 34500 Stücke:
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TSP20U60S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
auf Bestellung 37426 Stücke:
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TSPB10U45S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
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TSPB10U45S S1G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
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TSS4B03G D2G TSS4B01G%20SERIES_E15.pdf
TSS4B03G D2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
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TSS54U RGG TSS54U_C1601.pdf
TSS54U RGG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Anzahl Preis
4000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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TSS54U RGG TSS54U_C1601.pdf
TSS54U RGG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
auf Bestellung 23307 Stücke:
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Anzahl Preis
63+0.28 EUR
105+0.17 EUR
139+0.13 EUR
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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TSSA3U45 R3G TSSA3U45_N1707.pdf
TSSA3U45 R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
auf Bestellung 21638 Stücke:
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TSSA3U60 R3G TSSA3U60_F1612.pdf
TSSA3U60 R3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
auf Bestellung 6496 Stücke:
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TSSA5U50 E3G TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf
TSSA5U50 E3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
auf Bestellung 4662 Stücke:
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TSSA5U60 E3G TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf
TSSA5U60 E3G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
auf Bestellung 2414 Stücke:
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TSSE3H45 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H45 RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TSSE3H45 RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
auf Bestellung 1054 Stücke:
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TSSE3H60 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H60 RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
auf Bestellung 297000 Stücke:
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TSSE3H60 RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
auf Bestellung 299431 Stücke:
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TSSE3U60 RVG TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf
TSSE3U60 RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
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TSSE3U60 RVG TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf
TSSE3U60 RVG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
auf Bestellung 6 Stücke:
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TST10H150CW C0G TST10H100CW%20SERIES_A14.pdf
TST10H150CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
auf Bestellung 956 Stücke:
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TST10L200CW C0G TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf
TST10L200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.36 EUR
10+3.01 EUR
100+2.42 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TST10L60CW C0G TST10L60CW_A1601.pdf
TST10L60CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
auf Bestellung 950 Stücke:
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TST20H120CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H120CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
auf Bestellung 970 Stücke:
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TST20H150CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H150CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
auf Bestellung 936 Stücke:
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TST20H200CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TST20L200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.24 EUR
10+2.92 EUR
100+2.35 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TST30H150CW C0G TST30H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST30H150CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
auf Bestellung 929 Stücke:
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TST30H200CW C0G TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf
TST30H200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TST30L100CW C0G TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST30L100CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
auf Bestellung 906 Stücke:
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TST30L120CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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TST30L150CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
auf Bestellung 609 Stücke:
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TST30L200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
auf Bestellung 624 Stücke:
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Anzahl Preis
5+3.89 EUR
10+3.48 EUR
100+2.8 EUR
500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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