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TSD30H200CW MNG TSD30H200CW MNG Taiwan Semiconductor Corporation TSD30H100CW%20SERIES_C15.pdf Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
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TSD30H200CW MNG TSD30H200CW MNG Taiwan Semiconductor Corporation TSD30H100CW%20SERIES_C15.pdf Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
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TSF10L200CW C0G TSF10L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF10L100CW%20-TSF10L200CW_B2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 949 Stücke:
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7+2.6 EUR
10+2.34 EUR
100+1.88 EUR
500+1.54 EUR
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TSF10U60C C0G TSF10U60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF10U60C_E14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
auf Bestellung 790 Stücke:
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TSF15L60CW C0G TSF15L60CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF15L60CW_A1603.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
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TSF20H150C C0G TSF20H150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H100C%20SERIES_I14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
auf Bestellung 981 Stücke:
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TSF20H200C C0G TSF20H200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H100C%20SERIES_I14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 962 Stücke:
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TSF20L200C C0G TSF20L200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF20L100C-TSF20L200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
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TSF20L60C C0G TSF20L60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF20L45C-TSF20L60C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
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TSF30H150C C0G TSF30H150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
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TSF30H200C C0G TSF30H200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 2286 Stücke:
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TSF30H60C C0G TSF30H60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30H45C%20SERIES_C14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
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TSF30L120C C0G TSF30L120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
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TSF30L150C C0G TSF30L150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
auf Bestellung 581 Stücke:
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TSF30L200C C0G TSF30L200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C-TSF30L200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 970 Stücke:
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5+3.57 EUR
10+3.22 EUR
100+2.58 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TSF30L60C C0G TSF30L60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L45C%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
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TSF30U100C C0G TSF30U100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
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TSF30U120C C0G TSF30U120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
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TSF30U45C C0G TSF30U45C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U45C_F14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
auf Bestellung 965 Stücke:
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TSF30U60C C0G TSF30U60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U60C_G2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
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TSF40H120C C0G TSF40H120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
auf Bestellung 980 Stücke:
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TSF40H150C C0G TSF40H150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSF40L100C C0G TSF40L100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
auf Bestellung 1473 Stücke:
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TSF40L200C C0G TSF40L200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.12 EUR
10+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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TSH248CX RFG TSH248CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH248_B14.pdf Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.51 EUR
6000+0.49 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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TSH248CX RFG TSH248CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH248_B14.pdf Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
auf Bestellung 11484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
24+0.76 EUR
25+0.71 EUR
28+0.65 EUR
50+0.61 EUR
100+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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TSI10H100CW C0G TSI10H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
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TSI10H120CW C0G TSI10H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSI10H150CW C0G TSI10H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
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TSI10H200CW C0G TSI10H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
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TSI10L200CW C0G TSI10L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10L200CW_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+2.74 EUR
100+2.2 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TSI20H100CW C0G TSI20H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSI20H120CW C0G TSI20H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSI20H150CW C0G TSI20H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSI20H200CW C0G TSI20H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSI30H100CW C0G TSI30H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
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TSI30H120CW C0G TSI30H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
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TSI30H150CW C0G TSI30H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW-TSI30H200CW_E2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSI30H200CW C0G TSI30H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR_A1612.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR_A1612.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR_A1611.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR_A1611.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
auf Bestellung 4815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
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TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
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TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.94 EUR
10+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM026NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM026NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
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TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
auf Bestellung 2340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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TSM033NA04LCR RLG TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
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TSM033NA04LCR RLG TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.04 EUR
10+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56_B1607.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
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TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56_B1607.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.78 EUR
15+1.19 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 9428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.73 EUR
11+1.74 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.31 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 14177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.9 EUR
10+2.41 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM045NA03CR RLG TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM045NA03CR RLG TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
16+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSD30H200CW MNG TSD30H100CW%20SERIES_C15.pdf
TSD30H200CW MNG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSD30H200CW MNG TSD30H100CW%20SERIES_C15.pdf
TSD30H200CW MNG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 20
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF10L200CW C0G TSF10L100CW%20-TSF10L200CW_B2105.pdf
TSF10L200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.6 EUR
10+2.34 EUR
100+1.88 EUR
500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF10U60C C0G TSF10U60C_E14.pdf
TSF10U60C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF15L60CW C0G TSF15L60CW_A1603.pdf
TSF15L60CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF20H150C C0G TSF20H100C%20SERIES_I14.pdf
TSF20H150C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF20H200C C0G TSF20H100C%20SERIES_I14.pdf
TSF20H200C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF20L200C C0G TSF20L100C-TSF20L200C_C2105.pdf
TSF20L200C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF20L60C C0G TSF20L45C-TSF20L60C_C2105.pdf
TSF20L60C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30H150C C0G TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf
TSF30H150C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30H200C C0G TSF30H100C%20SERIES%20_G14.pdf
TSF30H200C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30H60C C0G TSF30H45C%20SERIES_C14.pdf
TSF30H60C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30L120C C0G TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf
TSF30L120C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30L150C C0G TSF30L100C%20SERIES_B14.pdf
TSF30L150C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30L200C C0G TSF30L100C-TSF30L200C_C2105.pdf
TSF30L200C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.57 EUR
10+3.22 EUR
100+2.58 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30L60C C0G TSF30L45C%20SERIES_E14.pdf
TSF30L60C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30U100C C0G TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf
TSF30U100C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30U120C C0G TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf
TSF30U120C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30U45C C0G TSF30U45C_F14.pdf
TSF30U45C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
auf Bestellung 965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF30U60C C0G TSF30U60C_G2105.pdf
TSF30U60C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF40H120C C0G TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf
TSF40H120C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF40H150C C0G TSF40H100C%20SERIES_B14.pdf
TSF40H150C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
auf Bestellung 962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF40L100C C0G TSF40L100C%20SERIES_B14.pdf
TSF40L100C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSF40L200C C0G TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf
TSF40L200C C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.12 EUR
10+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSH248CX RFG TSH248_B14.pdf
TSH248CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.51 EUR
6000+0.49 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSH248CX RFG TSH248_B14.pdf
TSH248CX RFG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
auf Bestellung 11484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.9 EUR
24+0.76 EUR
25+0.71 EUR
28+0.65 EUR
50+0.61 EUR
100+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI10H100CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H100CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI10H120CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H120CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI10H150CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H150CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI10H200CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI10L200CW C0G TSI10L200CW_B2104.pdf
TSI10L200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.04 EUR
10+2.74 EUR
100+2.2 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.5 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI20H100CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H100CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI20H120CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H120CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI20H150CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H150CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI20H200CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI30H100CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H100CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI30H120CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H120CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI30H150CW C0G TSI30H100CW-TSI30H200CW_E2104.pdf
TSI30H150CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSI30H200CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H200CW C0G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR_A1612.pdf
TSM015NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR_A1612.pdf
TSM015NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
auf Bestellung 4988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR_A1611.pdf
TSM018NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR_A1611.pdf
TSM018NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
auf Bestellung 4815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM020N04LCR RLG
TSM020N04LCR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM024NA04LCR RLG
TSM024NA04LCR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM024NA04LCR RLG
TSM024NA04LCR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
auf Bestellung 27 Stücke:
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Anzahl Preis
6+2.94 EUR
10+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR_B1610.pdf
TSM026NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
auf Bestellung 2500 Stücke:
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TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR_B1610.pdf
TSM026NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
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TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR_B1610.pdf
TSM033NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR_B1610.pdf
TSM033NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
auf Bestellung 2340 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM033NA04LCR RLG
TSM033NA04LCR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM033NA04LCR RLG
TSM033NA04LCR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
auf Bestellung 45 Stücke:
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Anzahl Preis
6+3.04 EUR
10+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56_B1607.pdf
TSM036N03PQ56 RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56_B1607.pdf
TSM036N03PQ56 RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.78 EUR
15+1.19 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 9428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.73 EUR
11+1.74 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.31 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
auf Bestellung 14177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.9 EUR
10+2.41 EUR
100+1.92 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM045NA03CR RLG
TSM045NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM045NA03CR RLG
TSM045NA03CR RLG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
16+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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