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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK099N60Z1,S1F(S TK099N60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK099N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.67 EUR
19+12.28 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK040Z60Z1,S1F(S TK040Z60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK040Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.82 EUR
8+32.34 EUR
10+25.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK034N60Z5,S1F(S TK034N60Z5,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK034N60Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 34 mohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 34mohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+54.8 EUR
7+34.2 EUR
10+26.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK073N60Z5,S1F(S TK073N60Z5,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK073N60Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 73mohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.24 EUR
14+17.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099Z60Z1,S1F(S TK099Z60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK099Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.74 EUR
15+16.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK063N60Z1,S1F(S TK063N60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK063N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.19 EUR
14+16.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080Z60Z1,S1F(S TK080Z60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK080Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.56 EUR
13+18.44 EUR
15+14.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080N60Z1,S1F(S TK080N60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK080N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.24 EUR
18+13.24 EUR
100+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK063Z60Z1,S1F(S TK063Z60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK063Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.33 EUR
11+22.06 EUR
13+17.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK024Z60Z1,S1F(S TK024Z60Z1,S1F(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK024Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 506W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+62.59 EUR
6+41.98 EUR
10+34.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J355R,LF(T SSM3J355R,LF(T TOSHIBA 4008596.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.93 EUR
443+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SS301,LXGF(T 1SS301,LXGF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 1SS301,LXGF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1.6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.83 EUR
715+0.32 EUR
918+0.24 EUR
1161+0.19 EUR
1606+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC7W08FK(TE85L,F) TC7W08FK(TE85L,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - TC7W08FK(TE85L,F) - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SSOP-P
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.67 EUR
544+0.43 EUR
710+0.3 EUR
814+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC7SZ17FE,LJ(CT TC7SZ17FE,LJ(CT TOSHIBA docget.jsp?did=1640&prodName=TC7SZ17FE Description: TOSHIBA - TC7SZ17FE,LJ(CT - Schmitt-Puffer-IC, TC7SZ17, 1.65 bis 5.5V Versorgung, SOT-553-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-553
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikbaustein: Schmitt-Puffer
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
893+0.29 EUR
1491+0.15 EUR
1938+0.11 EUR
2156+0.1 EUR
2198+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SS250(TE85L,F) 1SS250(TE85L,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - 1SS250(TE85L,F) - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 10 ns, 2 A
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 11930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+1.01 EUR
303+0.77 EUR
388+0.55 EUR
562+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF3A5.6FV,L3F(T DF3A5.6FV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
579+0.43 EUR
953+0.24 EUR
1563+0.14 EUR
2326+0.092 EUR
2995+0.071 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF3A5.6FV,L3F(T DF3A5.6FV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
579+0.43 EUR
953+0.24 EUR
1563+0.14 EUR
2326+0.092 EUR
2995+0.071 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2116MFV,L3F(T RN2116MFV,L3F(T TOSHIBA 4008683.pdf Description: TOSHIBA - RN2116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
3509+0.061 EUR
4000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y,L3F(T 2SC6026MFV-Y,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
3226+0.067 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3F(T SSM3J35CT,L3F(T TOSHIBA 4008600.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 9184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
667+0.35 EUR
1067+0.2 EUR
2005+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116MFV,L3F(T RN1116MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1211+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
3425+0.063 EUR
4000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(T SSM3K35CT,L3F(T TOSHIBA 4008609.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.074 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3F(T SSM3J35AMFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
553+0.45 EUR
910+0.25 EUR
1454+0.14 EUR
2526+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3F(T SSM3J15FV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 26908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2646+0.081 EUR
4000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.089 EUR
24000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(T SSM3K37CT,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
506+0.5 EUR
814+0.29 EUR
1306+0.17 EUR
1973+0.11 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(T SSM3K35CT,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 8720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.54 EUR
758+0.31 EUR
1211+0.18 EUR
2115+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3F(T SSM6N16FE,L3F(T TOSHIBA 4008621.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
926+0.23 EUR
1593+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.089 EUR
24000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(T SSM3K56MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
315+0.8 EUR
511+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.54 EUR
1104+0.21 EUR
1415+0.15 EUR
2106+0.1 EUR
4000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(T SSM3K35CTC,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(T SSM3K35CT,L3F(T TOSHIBA 4008609.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.074 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF3A6.8FV,L3F(T DF3A6.8FV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - DF3A6.8FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
764+0.33 EUR
1292+0.18 EUR
1973+0.11 EUR
3049+0.07 EUR
4000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116MFV,L3F(T RN1116MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8000+0.051 EUR
24000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(T SSM3K35AMFV,L3F(T TOSHIBA 4249032.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2075+0.1 EUR
2646+0.081 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(T SSM3K35AMFV,L3F(T TOSHIBA 4249032.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2075+0.1 EUR
2646+0.081 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC75S63TU,LF(T TC75S63TU,LF(T TOSHIBA 4163418.pdf Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
592+0.39 EUR
776+0.27 EUR
885+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC75S63TU,LF(T TC75S63TU,LF(T TOSHIBA 4163418.pdf Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
402+0.62 EUR
592+0.39 EUR
776+0.27 EUR
885+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1407,LF(T RN1407,LF(T TOSHIBA 4008648.pdf Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
2771+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1407,LF(T RN1407,LF(T TOSHIBA 4008648.pdf Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
2771+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(T SSM3K35CTC,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPJ1R504PB,LXHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPJ1R504PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00154 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00154ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
38+6.22 EUR
100+3.27 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPN9R614MC,L1XHQ(O XPN9R614MC,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPN9R614MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 9600 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 4224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
139+1.55 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH2R608QB,L1XHQ(O XPH2R608QB,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.72 EUR
35+6.69 EUR
100+4.45 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH3R908QB,L1XHQ(O XPH3R908QB,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.07 EUR
45+5.18 EUR
100+3.45 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH2R608QB,L1XHQ(O XPH2R608QB,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.45 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH3R908QB,L1XHQ(O XPH3R908QB,L1XHQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+3.45 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LXHF(T HN1B04FE-Y,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FE-Y,LXHF(T HN1C01FE-Y,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.77 EUR
532+0.44 EUR
841+0.25 EUR
1240+0.18 EUR
1389+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FE-Y,LXHF(T HN1C01FE-Y,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.77 EUR
532+0.44 EUR
841+0.25 EUR
1240+0.18 EUR
1389+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LXHF(T HN1B04FE-Y,LXHF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FE,LF(A TOSHIBA 4249072.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
390+0.6 EUR
599+0.36 EUR
814+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LF(A SSM6K217FE,LF(A TOSHIBA 4249072.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.07 EUR
390+0.6 EUR
599+0.36 EUR
814+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FE,LM(T SSM6N44FE,LM(T TOSHIBA 3622450.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
292+0.86 EUR
393+0.6 EUR
685+0.31 EUR
1017+0.21 EUR
1201+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N15AFE,LM(T SSM6N15AFE,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.77 EUR
488+0.48 EUR
782+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LM(T SSM6N36FE,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
315+0.8 EUR
511+0.45 EUR
814+0.26 EUR
1330+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LM(T SSM6N37FE,LM(T TOSHIBA 4008623.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
926+0.23 EUR
1352+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LM(T SSM6N56FE,LM(T TOSHIBA 4008626.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3F(T SSM6N16FE,L3F(T TOSHIBA 4008621.pdf Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
926+0.23 EUR
1593+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099N60Z1,S1F(S
TK099N60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK099N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.67 EUR
19+12.28 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK040Z60Z1,S1F(S
TK040Z60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK040Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+51.82 EUR
8+32.34 EUR
10+25.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK034N60Z5,S1F(S
TK034N60Z5,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK034N60Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 34 mohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 34mohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+54.8 EUR
7+34.2 EUR
10+26.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK073N60Z5,S1F(S
TK073N60Z5,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK073N60Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 73mohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+28.24 EUR
14+17.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099Z60Z1,S1F(S
TK099Z60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK099Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+25.74 EUR
15+16.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK063N60Z1,S1F(S
TK063N60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK063N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.19 EUR
14+16.96 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080Z60Z1,S1F(S
TK080Z60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK080Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.56 EUR
13+18.44 EUR
15+14.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080N60Z1,S1F(S
TK080N60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK080N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.24 EUR
18+13.24 EUR
100+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK063Z60Z1,S1F(S
TK063Z60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK063Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 242W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+35.33 EUR
11+22.06 EUR
13+17.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK024Z60Z1,S1F(S
TK024Z60Z1,S1F(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK024Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 506W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+62.59 EUR
6+41.98 EUR
10+34.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J355R,LF(T 4008596.pdf
SSM3J355R,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
271+0.93 EUR
443+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SS301,LXGF(T
1SS301,LXGF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS301,LXGF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1.6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.83 EUR
715+0.32 EUR
918+0.24 EUR
1161+0.19 EUR
1606+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC7W08FK(TE85L,F)
TC7W08FK(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7W08FK(TE85L,F) - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SSOP-P
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
375+0.67 EUR
544+0.43 EUR
710+0.3 EUR
814+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC7SZ17FE,LJ(CT docget.jsp?did=1640&prodName=TC7SZ17FE
TC7SZ17FE,LJ(CT
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7SZ17FE,LJ(CT - Schmitt-Puffer-IC, TC7SZ17, 1.65 bis 5.5V Versorgung, SOT-553-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-553
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikbaustein: Schmitt-Puffer
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
893+0.29 EUR
1491+0.15 EUR
1938+0.11 EUR
2156+0.1 EUR
2198+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 893 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1SS250(TE85L,F)
1SS250(TE85L,F)
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS250(TE85L,F) - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 10 ns, 2 A
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 11930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
248+1.01 EUR
303+0.77 EUR
388+0.55 EUR
562+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF3A5.6FV,L3F(T
DF3A5.6FV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
579+0.43 EUR
953+0.24 EUR
1563+0.14 EUR
2326+0.092 EUR
2995+0.071 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF3A5.6FV,L3F(T
DF3A5.6FV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
579+0.43 EUR
953+0.24 EUR
1563+0.14 EUR
2326+0.092 EUR
2995+0.071 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2116MFV,L3F(T 4008683.pdf
RN2116MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
3509+0.061 EUR
4000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC6026MFV-Y,L3F(T
2SC6026MFV-Y,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
3226+0.067 EUR
5000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35CT,L3F(T 4008600.pdf
SSM3J35CT,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 9184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
415+0.61 EUR
667+0.35 EUR
1067+0.2 EUR
2005+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116MFV,L3F(T
RN1116MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
725+0.35 EUR
1211+0.19 EUR
1938+0.11 EUR
3425+0.063 EUR
4000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(T 4008609.pdf
SSM3K35CT,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.074 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J35AMFV,L3F(T
SSM3J35AMFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
553+0.45 EUR
910+0.25 EUR
1454+0.14 EUR
2526+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 553 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J15FV,L3F(T
SSM3J15FV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 26908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2646+0.081 EUR
4000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T
SSM3K35MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.089 EUR
24000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K37CT,L3F(T
SSM3K37CT,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
506+0.5 EUR
814+0.29 EUR
1306+0.17 EUR
1973+0.11 EUR
5000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 506 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(T
SSM3K35CT,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 8720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
466+0.54 EUR
758+0.31 EUR
1211+0.18 EUR
2115+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3F(T 4008621.pdf
SSM6N16FE,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
926+0.23 EUR
1593+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T
SSM3K35MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.089 EUR
24000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K56MFV,L3F(T
SSM3K56MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
315+0.8 EUR
511+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35MFV,L3F(T
SSM3K35MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
466+0.54 EUR
1104+0.21 EUR
1415+0.15 EUR
2106+0.1 EUR
4000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(T
SSM3K35CTC,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CT,L3F(T 4008609.pdf
SSM3K35CT,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.074 EUR
30000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DF3A6.8FV,L3F(T
DF3A6.8FV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A6.8FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
764+0.33 EUR
1292+0.18 EUR
1973+0.11 EUR
3049+0.07 EUR
4000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1116MFV,L3F(T
RN1116MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.051 EUR
24000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(T 4249032.pdf
SSM3K35AMFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2075+0.1 EUR
2646+0.081 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35AMFV,L3F(T 4249032.pdf
SSM3K35AMFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
582+0.43 EUR
944+0.25 EUR
1511+0.14 EUR
2075+0.1 EUR
2646+0.081 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC75S63TU,LF(T 4163418.pdf
TC75S63TU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
402+0.62 EUR
592+0.39 EUR
776+0.27 EUR
885+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TC75S63TU,LF(T 4163418.pdf
TC75S63TU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
402+0.62 EUR
592+0.39 EUR
776+0.27 EUR
885+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 402 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1407,LF(T 4008648.pdf
RN1407,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
2771+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1407,LF(T 4008648.pdf
RN1407,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2526+0.084 EUR
2771+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K35CTC,L3F(T
SSM3K35CTC,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPJ1R504PB,LXHQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R504PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00154 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00154ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.7 EUR
38+6.22 EUR
100+3.27 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPN9R614MC,L1XHQ(O
XPN9R614MC,L1XHQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN9R614MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 9600 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 4224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.71 EUR
139+1.55 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH2R608QB,L1XHQ(O
XPH2R608QB,L1XHQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.72 EUR
35+6.69 EUR
100+4.45 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH3R908QB,L1XHQ(O
XPH3R908QB,L1XHQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.07 EUR
45+5.18 EUR
100+3.45 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH2R608QB,L1XHQ(O
XPH2R608QB,L1XHQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+4.45 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
XPH3R908QB,L1XHQ(O
XPH3R908QB,L1XHQ(O
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+3.45 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LXHF(T
HN1B04FE-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FE-Y,LXHF(T
HN1C01FE-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.77 EUR
532+0.44 EUR
841+0.25 EUR
1240+0.18 EUR
1389+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1C01FE-Y,LXHF(T
HN1C01FE-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.77 EUR
532+0.44 EUR
841+0.25 EUR
1240+0.18 EUR
1389+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HN1B04FE-Y,LXHF(T
HN1B04FE-Y,LXHF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.63 EUR
249+0.94 EUR
387+0.56 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LF(A 4249072.pdf
SSM6K217FE,LF(A
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+1.07 EUR
390+0.6 EUR
599+0.36 EUR
814+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6K217FE,LF(A 4249072.pdf
SSM6K217FE,LF(A
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+1.07 EUR
390+0.6 EUR
599+0.36 EUR
814+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N44FE,LM(T 3622450.pdf
SSM6N44FE,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
292+0.86 EUR
393+0.6 EUR
685+0.31 EUR
1017+0.21 EUR
1201+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 292 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N15AFE,LM(T
SSM6N15AFE,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.77 EUR
488+0.48 EUR
782+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N36FE,LM(T
SSM6N36FE,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
315+0.8 EUR
511+0.45 EUR
814+0.26 EUR
1330+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N37FE,LM(T 4008623.pdf
SSM6N37FE,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
926+0.23 EUR
1352+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N56FE,LM(T 4008626.pdf
SSM6N56FE,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM6N16FE,L3F(T 4008621.pdf
SSM6N16FE,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
364+0.69 EUR
589+0.39 EUR
926+0.23 EUR
1593+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 364 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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