Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY |
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SQ3426AEEV-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A On-state resistance: 71mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 29A Mounting: SMD Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SQ3426EV-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A On-state resistance: 71mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 6.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 29A Mounting: SMD Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2168 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ3427AEEV-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A On-state resistance: 178mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -21A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A Pulsed drain current: -21A Power dissipation: 5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 178mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1262 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ3457EV-T1_BE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SQ3457EV-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQ3461EV-T1_GE3 | VISHAY |
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SQ3481EV-T1_BE3 | VISHAY | SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors |
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SQ3493EV-T1_GE3 | VISHAY |
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SQ4050EY-T1_GE3 | VISHAY | SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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SQ4153EY-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2.3W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -14A Power dissipation: 2.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 8.32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 151nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ4282EY-T1_BE3 | VISHAY | SQ4282EY-T1-BE3 SMD N channel transistors |
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SQ4284EY-T1_GE3 | VISHAY |
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SQ4850EY-T1_GE3 | VISHAY |
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SQ4940AEY-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A Case: SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.3A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Application: automotive industry Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 43nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQ4961EY-T1-GE3 | VISHAY | SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors |
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SQ7414CENW-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 18A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SQ9945BEY-T1_GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 2007 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQA401EEJ-T1_GE3 | VISHAY | SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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SQA405CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
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SQA411CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
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SQA413CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
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SQA470EEJ-T1_GE3 | VISHAY |
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SQD100N04-3M6L-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 136W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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SQD19P06-60L_GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 1320 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQD25N15-52_GE3 | VISHAY |
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SQD30N05-20L_GE3 | VISHAY |
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SQD40031EL_GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQD40052EL_GE3 | VISHAY |
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SQD45P03-12_GE3 | VISHAY |
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SQD50N04-4M5L_GE3 | VISHAY |
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SQD50N05-11L-GE3 | VISHAY | SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors |
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SQD50P06-15L_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W Case: DPAK; TO252 Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -200A Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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SQD50P08-28_GE3 | VISHAY |
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SQJ126EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ158EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ164ELP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ170ELP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ402EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ409EP-T1_BE3 | VISHAY |
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SQJ422EP-T1_BE3 | VISHAY |
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SQJ431AEP-T1_BE3 | VISHAY |
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SQJ431EP-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -200V Drain current: -12A On-state resistance: 527mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2916 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQJ443EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ457EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ459EP-T1_BE3 | VISHAY |
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SQJ459EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ461EP-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; Idm: -120A; 27W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Power dissipation: 27W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -120A Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SQJ463EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ465EP-T1_GE3 | VISHAY |
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auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQJ476EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ481EP-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -9.2A Power dissipation: 15W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2254 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQJ486EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ858AEP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ868EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJ974EP-T1_GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Power dissipation: 16W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2929 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SQJA16EP-T1_GE3 | VISHAY |
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SQJB70EP-T1_GE3 | VISHAY | SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors |
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SQJQ130EL-T1_GE3 | VISHAY |
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SQ3419EV-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQ3419EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQ3419EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQ3426AEEV-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQ3426EV-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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68+ | 1.06 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
113+ | 0.64 EUR |
130+ | 0.55 EUR |
138+ | 0.52 EUR |
SQ3427AEEV-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 178mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 178mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -21A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQ3427EV-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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77+ | 0.93 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
131+ | 0.55 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
500+ | 0.43 EUR |
SQ3457EV-T1_BE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQ3457EV-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQ3461EV-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQ3481EV-T1_BE3 |
Hersteller: VISHAY
SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQ3493EV-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQ4050EY-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQ4050EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQ4153EY-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2.3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 2.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8.32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -14A; 2.3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -14A
Power dissipation: 2.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 8.32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 2.14 EUR |
37+ | 1.97 EUR |
49+ | 1.47 EUR |
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SQ4282EY-T1_BE3 |
Hersteller: VISHAY
SQ4282EY-T1-BE3 SMD N channel transistors
SQ4282EY-T1-BE3 SMD N channel transistors
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SQ4284EY-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQ4284EY-T1-GE3 Multi channel transistors
SQ4284EY-T1-GE3 Multi channel transistors
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SQ4850EY-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQ4850EY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQ4940AEY-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
73+ | 0.99 EUR |
82+ | 0.88 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
91+ | 0.79 EUR |
100+ | 0.77 EUR |
SQ4961EY-T1-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
SQ4961EY-T1-GE3 Multi channel transistors
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SQ7414CENW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SQ9945BEY-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
SQ9945BEY-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
65+ | 1.11 EUR |
99+ | 0.73 EUR |
105+ | 0.69 EUR |
SQA401EEJ-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
SQA401EEJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQA405CEJW-T1_GE3 |
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SQA405CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQA411CEJW-T1_GE3 |
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SQA411CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQA413CEJW-T1_GE3 |
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SQA413CEJW-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SQA470EEJ-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQA470EEJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQD100N04-3M6L-GE3 |
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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SQD19P06-60L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
SQD19P06-60L-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
87+ | 0.82 EUR |
SQD25N15-52_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
SQD25N15-52-GE3 SMD N channel transistors
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SQD30N05-20L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD30N05-20L-GE3 SMD N channel transistors
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SQD40031EL_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD40031EL-GE3 SMD P channel transistors
SQD40031EL-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
37+ | 1.96 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
SQD40052EL_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD40052EL-GE3 SMD N channel transistors
SQD40052EL-GE3 SMD N channel transistors
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SQD45P03-12_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
SQD45P03-12-GE3 SMD P channel transistors
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SQD50N04-4M5L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
SQD50N04-4M5L-GE3 SMD N channel transistors
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SQD50N05-11L-GE3 |
Hersteller: VISHAY
SQD50N05-11L-GE3 SMD N channel transistors
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SQD50P06-15L_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -200A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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SQD50P08-28_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors
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SQJ126EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ126EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ158EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ158EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ164ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ164ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ170ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ170ELP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ402EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ402EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SQJ409EP-T1_BE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
SQJ409EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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SQJ422EP-T1_BE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
SQJ422EP-T1-BE3 SMD N channel transistors
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SQJ431AEP-T1_BE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
SQJ431AEP-T1-BE3 SMD P channel transistors
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SQJ431EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
On-state resistance: 527mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2916 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.52 EUR |
37+ | 1.94 EUR |
55+ | 1.3 EUR |
59+ | 1.23 EUR |
500+ | 1.22 EUR |
1000+ | 1.19 EUR |
SQJ443EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQJ443EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Stück im Wert von UAH
SQJ457EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQJ457EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SQJ459EP-T1_BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
SQJ459EP-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJ459EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQJ459EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJ461EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; Idm: -120A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -120A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; Idm: -120A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -120A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJ463EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQJ463EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJ465EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
SQJ465EP-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.56 EUR |
63+ | 1.14 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
500+ | 1.03 EUR |
SQJ476EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ476EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ476EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
SQJ481EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -9.2A; 15W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 15W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2254 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.46 EUR |
71+ | 1.01 EUR |
102+ | 0.71 EUR |
107+ | 0.67 EUR |
500+ | 0.64 EUR |
SQJ486EP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
SQJ486EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ486EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJ858AEP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ858AEP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ858AEP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJ868EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJ868EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJ974EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 17A; 16W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 16W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2929 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
38+ | 1.93 EUR |
52+ | 1.4 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
250+ | 0.9 EUR |
500+ | 0.87 EUR |
SQJA16EP-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJA16EP-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJB70EP-T1_GE3 |
Hersteller: VISHAY
SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
SQJB70EP-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
SQJQ130EL-T1_GE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
SQJQ130EL-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH