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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
YJ2N65CP YJ2N65CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ2N65CZ YJ2N65CZ YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N60CP YJ4N60CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N65CP YJ4N65CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N65CZ YJ4N65CZ YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N70CI YJ4N70CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ7N60CI YJ7N60CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ7N65CI YJ7N65CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ7N80CI YJ7N80CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJA3134KA YJA3134KA Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 1000000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.042 EUR
50000+0.04 EUR
100000+0.037 EUR
200000+0.035 EUR
400000+0.032 EUR
1000000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJB150N06BQ YJB150N06BQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.17 EUR
4000+1.1 EUR
8000+1.04 EUR
16000+0.97 EUR
32000+0.88 EUR
80000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD112010DG1 YJD112010DG1 Yangjie Technology Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+9.35 EUR
12500+8.83 EUR
25000+8.31 EUR
50000+7.79 EUR
100000+7.01 EUR
250000+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD120N04A YJD120N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
12500+0.56 EUR
25000+0.53 EUR
50000+0.5 EUR
100000+0.45 EUR
250000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD15N10A YJD15N10A Yangjie Technology Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
12500+0.32 EUR
25000+0.3 EUR
50000+0.28 EUR
100000+0.25 EUR
250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD15N10A YJD15N10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC044C03FAE38BF&compId=YJD15N10A.pdf?ci_sign=81d61f8c6083eeba11c8fa2723697ecab1c1dae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.19 EUR
420+0.17 EUR
500+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD15N10A YJD15N10A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC044C03FAE38BF&compId=YJD15N10A.pdf?ci_sign=81d61f8c6083eeba11c8fa2723697ecab1c1dae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
380+0.19 EUR
420+0.17 EUR
500+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD180N03A YJD180N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
12500+0.56 EUR
25000+0.53 EUR
50000+0.5 EUR
100000+0.45 EUR
250000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD20N06A YJD20N06A Yangjie Technology YJD20N06A.pdf Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
100000+0.25 EUR
250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD20N06A YJD20N06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC051ED743178BF&compId=YJD20N06A.pdf?ci_sign=91c09bed5fa8d478857e2a01b3eb701ea1d0f04e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.29 EUR
295+0.25 EUR
325+0.22 EUR
500+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 245
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD40N04A YJD40N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.25 EUR
12500+0.23 EUR
25000+0.22 EUR
50000+0.21 EUR
100000+0.19 EUR
250000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD50N03A YJD50N03A Yangjie Technology Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
12500+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
100000+0.24 EUR
250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD50N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD50N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD50N06A YJD50N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
12500+0.41 EUR
25000+0.39 EUR
50000+0.36 EUR
100000+0.33 EUR
250000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N02A YJD60N02A Yangjie Technology Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
12500+0.28 EUR
25000+0.26 EUR
50000+0.24 EUR
100000+0.22 EUR
250000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N04A YJD60N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
100000+0.25 EUR
250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N04A YJD60N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJD60N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N04A YJD60N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJD60N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
215+0.33 EUR
500+0.18 EUR
2500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD80N03A YJD80N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
12500+0.39 EUR
25000+0.37 EUR
50000+0.34 EUR
100000+0.31 EUR
250000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD80N03B YJD80N03B Yangjie Technology Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
12500+0.28 EUR
25000+0.26 EUR
50000+0.24 EUR
100000+0.22 EUR
250000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD90N06A YJD90N06A Yangjie Technology Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
12500+0.54 EUR
25000+0.51 EUR
50000+0.48 EUR
100000+0.43 EUR
250000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG100N04A YJG100N04A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.5 EUR
25000+0.47 EUR
50000+0.45 EUR
100000+0.42 EUR
200000+0.37 EUR
500000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG105N03A YJG105N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.41 EUR
25000+0.39 EUR
50000+0.37 EUR
100000+0.34 EUR
200000+0.31 EUR
500000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG150N03A YJG150N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.52 EUR
25000+0.49 EUR
50000+0.46 EUR
100000+0.43 EUR
200000+0.39 EUR
500000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG15GP10A YJG15GP10A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.48 EUR
25000+0.45 EUR
50000+0.43 EUR
100000+0.4 EUR
200000+0.36 EUR
500000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG15N15B YJG15N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG20N06A YJG20N06A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
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YJG30N06A YJG30N06A Yangjie Technology YJG30N06A.pdf Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
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YJG40G10A YJG40G10A Yangjie Technology Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
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YJG40G10AQ YJG40G10AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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YJG40N03A YJG40N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
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YJG40P03A YJG40P03A Yangjie Technology Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG50N03B YJG50N03B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG53G06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98ABF2272F324D8BF&compId=YJG53G06A.pdf?ci_sign=bb68b75d917e5e4f40d41e8c553f8cb2fab3e421 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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YJG70G06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8BFEC4AA3541E0C8&compId=YJG70G06A.pdf?ci_sign=aa6b22e13f025f15e7c523ec63e5d796b97674b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 44A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 28W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A-YAN SMD N channel transistors
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YJGD20G10A YJGD20G10A Yangjie Technology Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
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YJH03N06A YJH03N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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YJH03N06B YJH03N06B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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YJH03N10A YJH03N10A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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YJH03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJH03N10A-YAN SMD N channel transistors
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YJH10N02A YJH10N02A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangjie Technology YJJ09N03A.pdf Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL02N10A YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL02N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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820+0.087 EUR
1460+0.049 EUR
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YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A-YAN SMD N channel transistors
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YJL03N04A YJL03N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
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40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
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100+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06AQ YJL03N06AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06B YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B.pdf Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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15000+0.056 EUR
30000+0.053 EUR
60000+0.049 EUR
120000+0.044 EUR
300000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL05N04AQ YJL05N04AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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15000+0.081 EUR
30000+0.076 EUR
60000+0.071 EUR
120000+0.065 EUR
300000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ2N65CP
YJ2N65CP
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ2N65CZ
YJ2N65CZ
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N60CP
YJ4N60CP
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N65CP
YJ4N65CP
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N65CZ
YJ4N65CZ
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.33mm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ4N70CI
YJ4N70CI
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ7N60CI
YJ7N60CI
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ7N65CI
YJ7N65CI
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJ7N80CI
YJ7N80CI
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJA3134KA
YJA3134KA
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 1000000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10000+0.042 EUR
50000+0.04 EUR
100000+0.037 EUR
200000+0.035 EUR
400000+0.032 EUR
1000000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJB150N06BQ
YJB150N06BQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.17 EUR
4000+1.1 EUR
8000+1.04 EUR
16000+0.97 EUR
32000+0.88 EUR
80000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD112010DG1
YJD112010DG1
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+9.35 EUR
12500+8.83 EUR
25000+8.31 EUR
50000+7.79 EUR
100000+7.01 EUR
250000+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD120N04A
YJD120N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.6 EUR
12500+0.56 EUR
25000+0.53 EUR
50000+0.5 EUR
100000+0.45 EUR
250000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD15N10A
YJD15N10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.33 EUR
12500+0.32 EUR
25000+0.3 EUR
50000+0.28 EUR
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250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD15N10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC044C03FAE38BF&compId=YJD15N10A.pdf?ci_sign=81d61f8c6083eeba11c8fa2723697ecab1c1dae8
YJD15N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
420+0.17 EUR
500+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD15N10A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC044C03FAE38BF&compId=YJD15N10A.pdf?ci_sign=81d61f8c6083eeba11c8fa2723697ecab1c1dae8
YJD15N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8310 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
380+0.19 EUR
420+0.17 EUR
500+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 380
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD180N03A
YJD180N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.6 EUR
12500+0.56 EUR
25000+0.53 EUR
50000+0.5 EUR
100000+0.45 EUR
250000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
100000+0.25 EUR
250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD20N06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC051ED743178BF&compId=YJD20N06A.pdf?ci_sign=91c09bed5fa8d478857e2a01b3eb701ea1d0f04e
YJD20N06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
245+0.29 EUR
295+0.25 EUR
325+0.22 EUR
500+0.19 EUR
2500+0.18 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 245
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD40N04A
YJD40N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.25 EUR
12500+0.23 EUR
25000+0.22 EUR
50000+0.21 EUR
100000+0.19 EUR
250000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD50N03A
YJD50N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.32 EUR
12500+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
100000+0.24 EUR
250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD50N06A YJD50N06A.pdf
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD50N06A
YJD50N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
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2500+0.43 EUR
12500+0.41 EUR
25000+0.39 EUR
50000+0.36 EUR
100000+0.33 EUR
250000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N02A
YJD60N02A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.29 EUR
12500+0.28 EUR
25000+0.26 EUR
50000+0.24 EUR
100000+0.22 EUR
250000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N04A
YJD60N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.27 EUR
100000+0.25 EUR
250000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N04A YJD60N04A.pdf
YJD60N04A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD60N04A YJD60N04A.pdf
YJD60N04A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
215+0.33 EUR
500+0.18 EUR
2500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 215
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD80N03A
YJD80N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.41 EUR
12500+0.39 EUR
25000+0.37 EUR
50000+0.34 EUR
100000+0.31 EUR
250000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD80N03B
YJD80N03B
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.29 EUR
12500+0.28 EUR
25000+0.26 EUR
50000+0.24 EUR
100000+0.22 EUR
250000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJD90N06A
YJD90N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.57 EUR
12500+0.54 EUR
25000+0.51 EUR
50000+0.48 EUR
100000+0.43 EUR
250000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG100N04A
YJG100N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.5 EUR
25000+0.47 EUR
50000+0.45 EUR
100000+0.42 EUR
200000+0.37 EUR
500000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG105N03A
YJG105N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.41 EUR
25000+0.39 EUR
50000+0.37 EUR
100000+0.34 EUR
200000+0.31 EUR
500000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG150N03A
YJG150N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.52 EUR
25000+0.49 EUR
50000+0.46 EUR
100000+0.43 EUR
200000+0.39 EUR
500000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG15GP10A
YJG15GP10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.48 EUR
25000+0.45 EUR
50000+0.43 EUR
100000+0.4 EUR
200000+0.36 EUR
500000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG15N15B
YJG15N15B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG20N06A
YJG20N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.25 EUR
25000+0.24 EUR
50000+0.22 EUR
100000+0.21 EUR
200000+0.19 EUR
500000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG30N06A YJG30N06A.pdf
YJG30N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.32 EUR
25000+0.31 EUR
50000+0.29 EUR
100000+0.27 EUR
200000+0.24 EUR
500000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG40G10A
YJG40G10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.45 EUR
25000+0.42 EUR
50000+0.4 EUR
100000+0.37 EUR
200000+0.33 EUR
500000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG40G10AQ
YJG40G10AQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.88 EUR
25000+0.83 EUR
50000+0.78 EUR
100000+0.74 EUR
200000+0.66 EUR
500000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG40N03A
YJG40N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.26 EUR
25000+0.25 EUR
50000+0.23 EUR
100000+0.22 EUR
200000+0.2 EUR
500000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG40P03A
YJG40P03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.31 EUR
25000+0.29 EUR
50000+0.28 EUR
100000+0.26 EUR
200000+0.23 EUR
500000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG50N03B
YJG50N03B
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.29 EUR
25000+0.28 EUR
50000+0.26 EUR
100000+0.24 EUR
200000+0.22 EUR
500000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG53G06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98ABF2272F324D8BF&compId=YJG53G06A.pdf?ci_sign=bb68b75d917e5e4f40d41e8c553f8cb2fab3e421
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG70G06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8BFEC4AA3541E0C8&compId=YJG70G06A.pdf?ci_sign=aa6b22e13f025f15e7c523ec63e5d796b97674b9
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 44A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 28W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJG80G06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A-YAN SMD N channel transistors
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJGD20G10A
YJGD20G10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.84 EUR
25000+0.8 EUR
50000+0.75 EUR
100000+0.7 EUR
200000+0.63 EUR
500000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJH03N06A
YJH03N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.092 EUR
5000+0.087 EUR
10000+0.082 EUR
20000+0.077 EUR
40000+0.069 EUR
100000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJH03N06B
YJH03N06B
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.092 EUR
5000+0.087 EUR
10000+0.082 EUR
20000+0.077 EUR
40000+0.069 EUR
100000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJH03N10A
YJH03N10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.16 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
20000+0.13 EUR
40000+0.12 EUR
100000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJH03N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
YJH03N10A-YAN SMD N channel transistors
auf Bestellung 8285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
404+0.18 EUR
852+0.084 EUR
902+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 404
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJH10N02A
YJH10N02A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.16 EUR
5000+0.15 EUR
10000+0.14 EUR
20000+0.13 EUR
40000+0.12 EUR
100000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
60000+0.13 EUR
120000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL02N10A YJL02N10A.pdf
YJL02N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
820+0.087 EUR
1460+0.049 EUR
1640+0.044 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 820
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03G10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
YJL03G10A-YAN SMD N channel transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
263+0.27 EUR
724+0.099 EUR
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N04A
YJL03N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.053 EUR
15000+0.049 EUR
30000+0.046 EUR
60000+0.044 EUR
120000+0.039 EUR
300000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314
YJL03N06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AC1772A8AEA78BF&compId=YJL03N06A.pdf?ci_sign=db9173cc23148a69957962f558eb05b87c0e5314
YJL03N06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.79 EUR
100+0.72 EUR
500+0.14 EUR
3000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06AQ
YJL03N06AQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
60000+0.093 EUR
120000+0.084 EUR
300000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.059 EUR
15000+0.056 EUR
30000+0.053 EUR
60000+0.049 EUR
120000+0.044 EUR
300000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
YJL05N04AQ
YJL05N04AQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.085 EUR
15000+0.081 EUR
30000+0.076 EUR
60000+0.071 EUR
120000+0.065 EUR
300000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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