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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MA12070XUMA1 MA12070XUMA1 Infineon Technologies infineonma12070dsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 160W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.33 EUR
27+6.33 EUR
30+5.59 EUR
100+4.88 EUR
250+4.37 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 MA12040PXUMA1 Infineon Technologies infineonma12040pdsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.32 EUR
22+7.96 EUR
25+7.29 EUR
100+6.38 EUR
250+5.96 EUR
500+5.31 EUR
1000+4.44 EUR
2000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 MA12040PXUMA1 Infineon Technologies infineonma12040pdsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+5.7 EUR
500+5.33 EUR
1000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 MA12040PXUMA1 Infineon Technologies infineonma12040pdsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.94 EUR
21+8.28 EUR
25+7.57 EUR
100+6.56 EUR
250+6.12 EUR
500+5.43 EUR
1000+4.51 EUR
2000+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 MA12040PXUMA1 Infineon Technologies infineonma12040pdsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+5.7 EUR
500+5.33 EUR
1000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 MA12040PXUMA1 Infineon Technologies infineonma12040pdsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+5.7 EUR
500+5.33 EUR
1000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 MA12040PXUMA1 Infineon Technologies infineonma12040pdsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.88 EUR
22+8.06 EUR
25+7.24 EUR
100+6.18 EUR
250+5.62 EUR
500+4.84 EUR
1000+3.94 EUR
2000+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 MA12040PXUMA1 Infineon Technologies infineonma12040pdsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.32 EUR
22+7.78 EUR
25+7.03 EUR
100+6.03 EUR
250+5.5 EUR
500+4.77 EUR
1000+3.9 EUR
2000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040XUMA1 MA12040XUMA1 Infineon Technologies infineonma12040dsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.52 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040XUMA1 MA12040XUMA1 Infineon Technologies infineonma12040dsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 9413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.52 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040XUMA1 MA12040XUMA1 Infineon Technologies infineonma12040dsv0100en.pdf Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.52 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2133SPBF IR2133SPBF Infineon Technologies infineonir2x33ir2x35datasheeten.pdf Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+10.12 EUR
100+9.47 EUR
500+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2133SPBF IR2133SPBF Infineon Technologies infineonir2x33ir2x35datasheeten.pdf Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.71 EUR
22+7.79 EUR
25+7.43 EUR
100+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2117PBF IR2117PBF Infineon Technologies infineonir2117dsv0100en.pdf Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
45+3.89 EUR
50+3.72 EUR
100+3.45 EUR
250+3.18 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2117PBF IR2117PBF Infineon Technologies infineonir2117dsv0100en.pdf Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.66 EUR
45+3.78 EUR
50+3.57 EUR
100+3.25 EUR
250+2.92 EUR
500+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2132JPBF IR2132JPBF Infineon Technologies ir2130.pdf description Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg 32-Pin PLCC Tube
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.29 EUR
18+9.53 EUR
25+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2117STRPBF IR2117STRPBF Infineon Technologies infineonir2117dsv0100en.pdf description Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.42 EUR
68+2.51 EUR
75+2.19 EUR
76+2.08 EUR
100+1.86 EUR
250+1.61 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2125PBF IR2125PBF Infineon Technologies infineonir2125dsv0100en.pdf Driver 500V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 5284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.72 EUR
40+4.39 EUR
50+4.05 EUR
100+3.92 EUR
250+3.75 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.28 EUR
2500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2130JTRPBF IR2130JTRPBF Infineon Technologies ir2130.pdf Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg 32-Pin PLCC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2118STRPBF IR2118STRPBF Infineon Technologies infineonir2117dsv0100en.pdf Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.42 EUR
68+2.51 EUR
74+2.21 EUR
100+1.93 EUR
250+1.74 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2125STRPBF IR2125STRPBF Infineon Technologies infineonir2125dsv0100en.pdf Driver 500V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2133JPBF IR2133JPBF Infineon Technologies infineonir2x33ir2x35datasheeten.pdf Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+12.26 EUR
16+10.82 EUR
25+10.25 EUR
100+9.58 EUR
250+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.48 EUR
17500+0.46 EUR
25000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.32 EUR
200+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.05 EUR
134+1.27 EUR
200+0.82 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.7 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.17 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZLPBF IRL3705ZLPBF Infineon Technologies irl3705zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+3.06 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2000DL45X168HPSA1 P2000DL45X168HPSA1 Infineon Technologies infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2000DL45X168APT8HPSA1 Infineon Technologies P2000DL45X168APT8HPSA1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2000DL45X168APTHPSA1 Infineon Technologies infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.33 EUR
31+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
26+3.3 EUR
30+2.86 EUR
36+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.3 EUR
16+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.95 EUR
20+4.38 EUR
25+3.93 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 24553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.7 EUR
182+0.46 EUR
211+0.4 EUR
302+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 72 Stücke:
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72+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
695+0.12 EUR
771+0.11 EUR
872+0.098 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1292 Stücke:
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76+1.12 EUR
91+0.94 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 1078 Stücke:
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64+1.34 EUR
117+0.73 EUR
123+0.69 EUR
132+0.64 EUR
250+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1944 Stücke:
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74+1.15 EUR
102+0.84 EUR
117+0.73 EUR
130+0.65 EUR
143+0.6 EUR
250+0.56 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
27+3.24 EUR
29+3 EUR
50+2.84 EUR
100+2.73 EUR
250+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.28 EUR
22+3.92 EUR
24+3.69 EUR
30+3.3 EUR
120+2.89 EUR
150+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.34 EUR
18+4.91 EUR
19+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.62 EUR
27+3.17 EUR
32+2.69 EUR
120+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12070XUMA1 infineonma12070dsv0100en.pdf
MA12070XUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 160W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.33 EUR
27+6.33 EUR
30+5.59 EUR
100+4.88 EUR
250+4.37 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 infineonma12040pdsv0100en.pdf
MA12040PXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+10.32 EUR
22+7.96 EUR
25+7.29 EUR
100+6.38 EUR
250+5.96 EUR
500+5.31 EUR
1000+4.44 EUR
2000+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 infineonma12040pdsv0100en.pdf
MA12040PXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+5.7 EUR
500+5.33 EUR
1000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 infineonma12040pdsv0100en.pdf
MA12040PXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.94 EUR
21+8.28 EUR
25+7.57 EUR
100+6.56 EUR
250+6.12 EUR
500+5.43 EUR
1000+4.51 EUR
2000+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 infineonma12040pdsv0100en.pdf
MA12040PXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+5.7 EUR
500+5.33 EUR
1000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 infineonma12040pdsv0100en.pdf
MA12040PXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+5.7 EUR
500+5.33 EUR
1000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 infineonma12040pdsv0100en.pdf
MA12040PXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.88 EUR
22+8.06 EUR
25+7.24 EUR
100+6.18 EUR
250+5.62 EUR
500+4.84 EUR
1000+3.94 EUR
2000+3.74 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040PXUMA1 infineonma12040pdsv0100en.pdf
MA12040PXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+10.32 EUR
22+7.78 EUR
25+7.03 EUR
100+6.03 EUR
250+5.5 EUR
500+4.77 EUR
1000+3.9 EUR
2000+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040XUMA1 infineonma12040dsv0100en.pdf
MA12040XUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+5.52 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040XUMA1 infineonma12040dsv0100en.pdf
MA12040XUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 9413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+5.52 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MA12040XUMA1 infineonma12040dsv0100en.pdf
MA12040XUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Audio Amp Speaker 1-CH Mono/2-CH Stereo/4-CH Stereo 80W Class-AB 64-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+5.52 EUR
500+5.16 EUR
1000+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2133SPBF infineonir2x33ir2x35datasheeten.pdf
IR2133SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+10.12 EUR
100+9.47 EUR
500+8.78 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2133SPBF infineonir2x33ir2x35datasheeten.pdf
IR2133SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+13.71 EUR
22+7.79 EUR
25+7.43 EUR
100+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2117PBF infineonir2117dsv0100en.pdf
IR2117PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 2853 Stücke:
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31+5.7 EUR
45+3.89 EUR
50+3.72 EUR
100+3.45 EUR
250+3.18 EUR
500+2.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2117PBF infineonir2117dsv0100en.pdf
IR2117PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 2853 Stücke:
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32+5.66 EUR
45+3.78 EUR
50+3.57 EUR
100+3.25 EUR
250+2.92 EUR
500+2.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2132JPBF description ir2130.pdf
IR2132JPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg 32-Pin PLCC Tube
auf Bestellung 528 Stücke:
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15+12.29 EUR
18+9.53 EUR
25+8.73 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2117STRPBF description infineonir2117dsv0100en.pdf
IR2117STRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2199 Stücke:
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52+3.42 EUR
68+2.51 EUR
75+2.19 EUR
76+2.08 EUR
100+1.86 EUR
250+1.61 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2125PBF infineonir2125dsv0100en.pdf
IR2125PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 500V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 5284 Stücke:
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27+6.72 EUR
40+4.39 EUR
50+4.05 EUR
100+3.92 EUR
250+3.75 EUR
500+3.57 EUR
1000+3.28 EUR
2500+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2130JTRPBF ir2130.pdf
IR2130JTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg 32-Pin PLCC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2118STRPBF infineonir2117dsv0100en.pdf
IR2118STRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R
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52+3.42 EUR
68+2.51 EUR
74+2.21 EUR
100+1.93 EUR
250+1.74 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.36 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2125STRPBF infineonir2125dsv0100en.pdf
IR2125STRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 500V 1-OUT High Side/Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R
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1000+3.88 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2133JPBF infineonir2x33ir2x35datasheeten.pdf
IR2133JPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 6-OUT High Side/Low Side 3-Phase Brdg Inv 32-Pin PLCC
auf Bestellung 282 Stücke:
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15+12.26 EUR
16+10.82 EUR
25+10.25 EUR
100+9.58 EUR
250+8.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
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2500+0.52 EUR
5000+0.5 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.48 EUR
17500+0.46 EUR
25000+0.45 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3821 Stücke:
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134+1.32 EUR
200+0.87 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.05 EUR
134+1.27 EUR
200+0.82 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZSTRLPBF irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 24050 Stücke:
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244+2.7 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.17 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL3705ZLPBF irl3705zpbf.pdf
IRL3705ZLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
auf Bestellung 5000 Stücke:
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216+3.06 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2000DL45X168HPSA1 infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf
P2000DL45X168HPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2000DL45X168APT8HPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
P2000DL45X168APT8HPSA1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P2000DL45X168APTHPSA1 infineonp2000dl45x168datasheetv0300en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 4500V 2KA 4-Pin
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+3.33 EUR
31+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.75 EUR
26+3.3 EUR
30+2.86 EUR
36+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.3 EUR
16+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+4.95 EUR
20+4.38 EUR
25+3.93 EUR
100+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 24553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+0.7 EUR
182+0.46 EUR
211+0.4 EUR
302+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
556+0.15 EUR
695+0.12 EUR
771+0.11 EUR
872+0.098 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
191+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+1.12 EUR
91+0.94 EUR
97+0.88 EUR
103+0.83 EUR
250+0.77 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+1.34 EUR
117+0.73 EUR
123+0.69 EUR
132+0.64 EUR
250+0.6 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+1.15 EUR
102+0.84 EUR
117+0.73 EUR
130+0.65 EUR
143+0.6 EUR
250+0.56 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+4.26 EUR
27+3.24 EUR
29+3 EUR
50+2.84 EUR
100+2.73 EUR
250+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 200A
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+4.28 EUR
22+3.92 EUR
24+3.69 EUR
30+3.3 EUR
120+2.89 EUR
150+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Collector-emitter voltage: 600V
Pulsed collector current: 150A
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.34 EUR
18+4.91 EUR
19+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 233ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 61A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 50ns
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+4.62 EUR
27+3.17 EUR
32+2.69 EUR
120+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 297ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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