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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IPP083N10N5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Case: TO220 On-state resistance: 8.3mΩ Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 292A Gate charge: 30nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 39 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD50N06S4L-08	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Case: DPAK On-state resistance: 7.8mΩ Gate charge: 49nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry	auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 74 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4310ZPBFXKMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 134A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7749L1TRPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 33A; 3.3W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 33A Power dissipation: 3.3W Case: DirectFET On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC011N03LSATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC011N03LSIATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP083N10N5

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 73A; Idm: 292A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Case: TO220
On-state resistance: 8.3mΩ
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 292A
Gate charge: 30nC

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