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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
TLE9104SHXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; PG-DSO-20-88 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3A Number of channels: 4 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-DSO-20-88 On-state resistance: 0.3Ω Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3.3...5.5V DC Technology: FLEX Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 15µs Turn-off time: 15µs Application: automotive industry Interface: SPI	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRGP4062DPBF	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 48A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R045M1XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Mounting: THT Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 36A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -10...20V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 59mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R350M1HXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W Mounting: THT Pulsed drain current: 13A Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 4.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -7...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 662mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R060M1HXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W Mounting: THT Pulsed drain current: 76A Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 26A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -7...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 113mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R090M1HXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W Mounting: THT Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 58W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 18A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -7...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 0.17Ω	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R220M1HXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W Mounting: THT Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 37.5W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 9.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -7...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 416mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IMZ120R140M1HXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W Mounting: THT Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 13A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -7...23V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 265mΩ	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IHW40N135R5	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 80A; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.35kV Collector current: 80A Case: TO247 Mounting: THT	auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA80R280P7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 30W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 30W Case: TO220-3 On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPA80R1K4CEXKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 31W Case: TO220FP On-state resistance: 1.22Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement	auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ITS4060SSJNXUMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.6A Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C On-state resistance: 50mΩ Number of channels: 1 Supply voltage: 5...34V DC Kind of output: N-Channel Power dissipation: 1.5W Integrated circuit features: thermal protection Application: automotive industry	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP037N06L3GXKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 167W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR193E6327HTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BFR193L3E6327XTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSP170PH6327XTSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDH10G120C5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; PG-TO220-2; 165W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 99A Leakage current: 4µA Power dissipation: 165W Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
T470N16TOFXPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Button thyristors Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 800A; 470A; Igt: 200mA Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 7.1kA Gate current: 200mA Max. off-state voltage: 1.6kV Body dimensions: Ø42/Ø23mm Load current: 470A Max. load current: 800A Kind of package: in-tray Type of thyristor: hockey-puck	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DDB2U40N12W1RFB11BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others Description: Bridge rectifier: single-phase Type of bridge rectifier: single-phase	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DDB2U60N12W3RFC39B	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Bridge rectifier: single-phase Type of bridge rectifier: single-phase	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others Description: Bridge rectifier: single-phase Type of bridge rectifier: single-phase	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others Description: Bridge rectifier: single-phase Type of bridge rectifier: single-phase	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPP045N10N3 G	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 100A; Idm: 400A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A Application: automotive industry	auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 22 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDWD10G120C5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 148W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 140A Power dissipation: 148W	auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDWD15G120C5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; 200W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 170A Power dissipation: 200W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDWD20G120C5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; 250W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 190A Power dissipation: 250W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDWD150E65E7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDWD75E65E7XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD038N06N3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD088N06N3GATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 71W Case: TO252-3 On-state resistance: 8.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IPD038N06NF2SATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 60V; 120A; 107W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 107W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 3.85mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IQDH88N06LM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IQDH88N06LM5CGATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IQDH88N06LM5CGSCATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IQDH88N06LM5SCATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IQFH68N06NM5ATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TLE9104SHXUMA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; PG-DSO-20-88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-20-88
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.3...5.5V DC
Technology: FLEX
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 15µs
Turn-off time: 15µs
Application: automotive industry
Interface: SPI

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke