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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IAUA200N04S5N010AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE76F957FC0E0C4&compId=IAUA200N04S5N010.pdf?ci_sign=07436d1e4da7f759bee74f8b2b137bdc5ef16602 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA200N04S5N010AUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE76F957FC0E0C4&compId=IAUA200N04S5N010.pdf?ci_sign=07436d1e4da7f759bee74f8b2b137bdc5ef16602
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 800A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 800A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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