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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
225+0.32 EUR
237+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3199 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
127+0.56 EUR
132+0.54 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
76+0.94 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
250+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
122+0.59 EUR
131+0.55 EUR
139+0.51 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
150+0.48 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
296+0.24 EUR
428+0.17 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
204+0.35 EUR
236+0.3 EUR
348+0.21 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 BSD235NH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
176+0.41 EUR
454+0.16 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 BSD840NH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3911 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
203+0.35 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
194+0.37 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
197+0.36 EUR
250+0.32 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
137+0.52 EUR
194+0.37 EUR
223+0.32 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
104+0.69 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
149+0.48 EUR
195+0.37 EUR
219+0.33 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO207PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
114+0.63 EUR
147+0.49 EUR
164+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
200+0.66 EUR
250+0.64 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP149H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Pulsed drain current: 2.6A
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
200+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
128+0.56 EUR
145+0.5 EUR
200+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f BSP296NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 641 Stücke:
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66+1.1 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
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84+0.86 EUR
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
182+0.39 EUR
205+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
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152+0.47 EUR
229+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 152
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BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2417 Stücke:
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56+1.29 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 831 Stücke:
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63+1.15 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP324H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
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80+0.9 EUR
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159+0.45 EUR
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BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1021 Stücke:
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62+1.17 EUR
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197+0.36 EUR
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
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50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
115+0.63 EUR
124+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES BSP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
28+2.6 EUR
100+2.04 EUR
250+1.84 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0 BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 538 Stücke:
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36+2.04 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.13 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
100+1.57 EUR
250+1.4 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.5 EUR
250+1.33 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
100+1.83 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752TXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
28+2.62 EUR
100+2.04 EUR
250+1.83 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
100+2.27 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.29 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
35+2.1 EUR
38+1.9 EUR
100+1.62 EUR
250+1.43 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
184+0.39 EUR
212+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
394+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
134+0.54 EUR
187+0.38 EUR
216+0.33 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
194+0.37 EUR
244+0.29 EUR
272+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1 BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
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385+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2303 Stücke:
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291+0.25 EUR
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758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 291
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
154+0.46 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 154
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
985+0.073 EUR
1097+0.065 EUR
1194+0.06 EUR
1299+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
329+0.22 EUR
404+0.18 EUR
640+0.11 EUR
763+0.094 EUR
1062+0.067 EUR
1185+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
150+0.48 EUR
172+0.42 EUR
278+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 303 Stücke:
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Anzahl Preis
69+1.05 EUR
225+0.32 EUR
237+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3199 Stücke:
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Anzahl Preis
90+0.8 EUR
127+0.56 EUR
132+0.54 EUR
134+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
76+0.94 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
250+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e
BSC123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
122+0.59 EUR
131+0.55 EUR
139+0.51 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86
BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
150+0.48 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
296+0.24 EUR
428+0.17 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
204+0.35 EUR
236+0.3 EUR
348+0.21 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD235NH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
176+0.41 EUR
454+0.16 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 176
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD840NH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3911 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
203+0.35 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
194+0.37 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2117 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
197+0.36 EUR
250+0.32 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
137+0.52 EUR
194+0.37 EUR
223+0.32 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
104+0.69 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
382+0.19 EUR
404+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
149+0.48 EUR
195+0.37 EUR
219+0.33 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1-dte.pdf
BSO207PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
114+0.63 EUR
147+0.49 EUR
164+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327-DTE.pdf
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
200+0.66 EUR
250+0.64 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1.pdf
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Pulsed drain current: 2.6A
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
200+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
128+0.56 EUR
145+0.5 EUR
200+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
119+0.6 EUR
155+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.18 EUR
176+0.41 EUR
186+0.39 EUR
2000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP296NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
171+0.42 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 171
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.1 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
182+0.39 EUR
205+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
229+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
152+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
141+0.51 EUR
159+0.45 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1021 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.17 EUR
186+0.39 EUR
197+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f
BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
115+0.63 EUR
124+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 BSP452.pdf
BSP452
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
28+2.6 EUR
100+2.04 EUR
250+1.84 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 Infineon-BSP613P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60ac86a96dc0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.04 EUR
87+0.83 EUR
92+0.78 EUR
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c
BSP742R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
100+1.57 EUR
250+1.4 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de
BSP742T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.5 EUR
250+1.33 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R BSP752R.pdf
BSP752R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
100+1.83 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752TXUMA1 Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
49+1.49 EUR
51+1.42 EUR
100+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T BSP762T.pdf
BSP762T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
28+2.62 EUR
100+2.04 EUR
250+1.83 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4
BSP76E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f
BSP772T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
100+2.27 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79
BSP77E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.29 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
35+2.1 EUR
38+1.9 EUR
100+1.62 EUR
250+1.43 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
184+0.39 EUR
212+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
394+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR202NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7758B7BEB910B&compId=BSR202NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=55845be12c367b8471e90a3bdc2297c96057b3b9
BSR202NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
134+0.54 EUR
187+0.38 EUR
216+0.33 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
194+0.37 EUR
244+0.29 EUR
272+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2010 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
365+0.2 EUR
385+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
291+0.25 EUR
705+0.1 EUR
758+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 291
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
154+0.46 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 154
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
985+0.073 EUR
1097+0.065 EUR
1194+0.06 EUR
1299+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
329+0.22 EUR
404+0.18 EUR
640+0.11 EUR
763+0.094 EUR
1062+0.067 EUR
1185+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
150+0.48 EUR
172+0.42 EUR
278+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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