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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.71 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
120+3.52 EUR
240+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+7.01 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
60+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.99 EUR
12+6.29 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.27 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.34 EUR
10+7.32 EUR
30+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.48 EUR
10+7.44 EUR
30+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65EH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 160nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
120+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY50N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKY50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817779d052e IKY50N120CH3XKSA1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY75N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY75N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 256W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Technology: TRENCHSTOP™
Case: TO247PLUS-4
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY75N120CS6XKSA1 IKY75N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY75N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; TO247PLUS-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 440W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247PLUS-4
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ50N65NH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 268W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 436nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKZ75N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD8150EXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 ILD8150EXUMA1 LED drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD8150XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 ILD8150XUMA1 LED drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM240-M6Y1B INFINEON TECHNOLOGIES IM240-M6Y1B Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM240-M6Z1B INFINEON TECHNOLOGIES IM240-M6Z1B Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM240-S6Y1B INFINEON TECHNOLOGIES IM240-S6Y1B Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM240-S6Z1B INFINEON TECHNOLOGIES IM240-S6Z1B Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393L6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7 IM393L6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393L6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7 IM393L6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393M6E2XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5 IM393M6E2XKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393M6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5 IM393M6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393M6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5 IM393M6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393M6FXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-M6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a947c0278da IM393M6FXKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393S6E2XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6E-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 IM393S6E2XKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393S6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 IM393S6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393S6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd IM393S6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393S6FXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-S6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd IM393S6FXKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393X6E2XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9 IM393X6E2XKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393X6E3XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9 IM393X6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393X6EXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9 IM393X6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM69D120V01XTSA1 IM69D120V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D120.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Interface: PDM
Integrated circuit features: MEMS
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Case: LLGA-5-1
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM69D130V01XTSA1 IM69D130V01XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IM69D130.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Interface: PDM
Integrated circuit features: MEMS
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Case: LLGA-5-1
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM818MCCXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM818-MCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e91e3c2e9e IM818MCCXKMA1 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM818SCCXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IM818-SCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1 IM818SCCXKMA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMC301AF064XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf IMC301AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMC302AF064XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf IMC302AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R014M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMW120R014M1H.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 89.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 267.9A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R020M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8767f7bb318f IMW120R020M1HXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW120R045M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b IMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd535b6681 IMW120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R090M1HXKSA1 IMW120R090M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd64376684 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 58W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW120R140M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R140M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdf712669d IMW120R140M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R220M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0 IMW120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R350M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe1a0a66a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 30W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 662mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R027M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IMW65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85b4a66c0466 IMW65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R072M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482 IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.59 EUR
6+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IMW65R107M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d01cd50485 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.27 EUR
10+27.86 EUR
30+27.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IMZ120R045M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R045M1-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de350d7b3a3e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...20V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IMZ120R060M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdba796693 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 76A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IMZ120R090M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Power dissipation: 58W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IMZ120R140M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R140M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd9763668d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Power dissipation: 47W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.71 EUR
19+3.78 EUR
20+3.58 EUR
120+3.52 EUR
240+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+7.01 EUR
18+4.09 EUR
19+3.86 EUR
60+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.99 EUR
12+6.29 EUR
15+4.82 EUR
16+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.27 EUR
11+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.34 EUR
10+7.32 EUR
30+7.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.48 EUR
10+7.44 EUR
30+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 198W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 160nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
3+23.84 EUR
8+8.94 EUR
120+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY50N120CH3XKSA1 Infineon-IKY50N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd817779d052e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IKY50N120CH3XKSA1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY75N120CH3XKSA1 IKY75N120CH3.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247PLUS-4; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 256W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.37µC
Technology: TRENCHSTOP™
Case: TO247PLUS-4
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 70ns
Turn-off time: 335ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKY75N120CS6XKSA1 IKY75N120CS6.pdf
IKY75N120CS6XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 440W; TO247PLUS-4
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 440W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 530nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247PLUS-4
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IKZ50N65ES5XKSA1 IKZ50N65ES5.pdf
IKZ50N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 58ns
Turn-off time: 326ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IKZ50N65NH5XKSA1 IKZ50N65NH5.pdf
IKZ50N65NH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 275ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 100A; 268W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 268W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 436nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 143ns
Turn-off time: 325ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKZ75N65ES5XKSA1 IKZ75N65ES5.pdf
IKZ75N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-4
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 164nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 71ns
Turn-off time: 427ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ILD8150EXUMA1 Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ILD8150EXUMA1 LED drivers
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ILD8150XUMA1 Infineon-Datasheet_ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ILD8150XUMA1 LED drivers
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IM240-M6Y1B
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM240-M6Y1B Motor and PWM drivers
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IM240-M6Z1B
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM240-M6Z1B Motor and PWM drivers
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IM240-S6Y1B
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM240-S6Y1B Motor and PWM drivers
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IM240-S6Z1B
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM240-S6Z1B Motor and PWM drivers
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IM393L6E3XKLA1 Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393L6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393L6EXKLA1 Infineon-IM393-L6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a8b350f78c7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393L6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393M6E2XKLA1 Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393M6E2XKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393M6E3XKLA1 Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393M6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393M6EXKLA1 Infineon-IM393-M6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a94732278d5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393M6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393M6FXKLA1 Infineon-IM393-M6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a947c0278da
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393M6FXKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393S6E2XKLA1 Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6E-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393S6E2XKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393S6E3XKLA1 Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393S6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393S6EXKLA1 Infineon-IM393-S6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d912478e4 Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393S6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393S6FXKLA1 Infineon-IM393-S6F-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd Infineon-IM393-S6F-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d808378dd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393S6FXKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393X6E2XKLA1 Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393X6E2XKLA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM393X6E3XKLA1 Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393X6E3XKLA1 Motor and PWM drivers
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IM393X6EXKLA1 Infineon-IM393-X6E-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201699a9d9a3578e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM393X6EXKLA1 Motor and PWM drivers
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IM69D120V01XTSA1 IM69D120.pdf
IM69D120V01XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Interface: PDM
Integrated circuit features: MEMS
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Case: LLGA-5-1
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM69D130V01XTSA1 IM69D130.pdf
IM69D130V01XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: driver/sensor; digital microphone; PDM; MEMS; 1.62÷3.6VDC
Type of integrated circuit: driver/sensor
Interface: PDM
Integrated circuit features: MEMS
Kind of integrated circuit: digital microphone
Mounting: SMD
Case: LLGA-5-1
Supply voltage: 1.62...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IM818MCCXKMA1 Infineon-IM818-MCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e91e3c2e9e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM818MCCXKMA1 Motor and PWM drivers
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IM818SCCXKMA1 Infineon-IM818-SCC-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IM818SCCXKMA1 Motor and PWM drivers
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IMC301AF064XUMA1 IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMC301AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMC302AF064XUMA1 IMC301A_IMC302A_Rev1.0_12-12-19.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMC302AF064XUMA1 Motor and PWM drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R014M1HXKSA1 IMW120R014M1H.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 89.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 267.9A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R020M1HXKSA1 Infineon-IMW120R020M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f8767f7bb318f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R020M1HXKSA1 THT N channel transistors
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IMW120R030M1HXKSA1 Infineon-IMW120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fde38b669a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R045M1XKSA1 Infineon-IMW120R045M1-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de34fd2f3a3b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon-IMW120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd535b6681
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R060M1HXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd64376684
IMW120R090M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 58W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon-IMW120R140M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdf712669d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R140M1HXKSA1 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW120R220M1HXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon-IMW120R350M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe1a0a66a3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 30W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 662mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon-IMW65R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85ab88170463
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 185A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon-IMW65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85b4a66c0466
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+21.59 EUR
6+13.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon-IMW65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d01cd50485
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696
IMZ120R030M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.27 EUR
10+27.86 EUR
30+27.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon-IMZ120R045M1-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de350d7b3a3e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Power dissipation: 114W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -10...20V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon-IMZ120R060M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdba796693
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W
Power dissipation: 75W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 76A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Power dissipation: 58W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 50A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon-IMZ120R140M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fd9763668d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W
Power dissipation: 47W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 32A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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