Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (152101) > Seite 1260 nach 2536
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC026N02KSGAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC026N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 63W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 66A Power dissipation: 29W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC027N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC027N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC028N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2951 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
BSC030N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC030N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC030N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3918 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
BSC031N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC032N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1164 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
BSC032NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 84A Power dissipation: 37W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC034N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC034N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC035N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 92A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC036NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC037N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC039N06NS | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC040N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC040N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC042N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC042N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC042NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC046N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC0501NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC0503NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC0504NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 66A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 72A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC050N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC050NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A Power dissipation: 28W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC052N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Drain current: 95A Drain-source voltage: 80V Power dissipation: 83W Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC054N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8 On-state resistance: 5.4mΩ Power dissipation: 57W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 81A Drain-source voltage: 40V Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC057N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC057N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC057N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC059N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC059N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC060N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC060P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC061N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC066N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 46W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC070N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC070N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC077N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 98A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC080N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1852 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
BSC082N10LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC084P03NS3EGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
BSC084P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
![]() |
BSC0901NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
BSC0901NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
BSC026N02KSGAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC026N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC026N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC026NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC027N04LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC027N06LS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC028N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC028N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 2.47 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
50+ | 1.44 EUR |
250+ | 1.39 EUR |
BSC030N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC030N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC030N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030N04NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3918 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 2.43 EUR |
32+ | 2.25 EUR |
38+ | 1.93 EUR |
66+ | 1.09 EUR |
71+ | 1.02 EUR |
5000+ | 0.99 EUR |
BSC031N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC031N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC031N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC032N04LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.59 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
73+ | 0.99 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
BSC032NE2LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 84A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC034N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC034N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC035N04LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC035N10NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC037N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC039N06NS |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC040N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC042N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC042N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC046N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC047N08NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0501NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0501NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0501NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0503NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0503NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0503NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0504NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0504NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0504NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N04LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC050N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC050N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050NE2LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 28W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC052N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 83W
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC054N04NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Power dissipation: 57W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 81A
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Power dissipation: 57W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 81A
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N08NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC059N04LS6ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC059N04LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC060N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC060P03NS3EGATMA |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC061N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC061N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC061N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC066N06NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC067N06LS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC070N10NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC070N10NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC072N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC076N06NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC077N12NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC080N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
100+ | 0.72 EUR |
133+ | 0.54 EUR |
166+ | 0.43 EUR |
175+ | 0.41 EUR |
1000+ | 0.4 EUR |
5000+ | 0.39 EUR |
BSC082N10LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC084P03NS3EGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC084P03NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0901NSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0901NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH