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BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA912F8CFA5C11CC&compId=BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=7da60d03f8b4e52d7093e7914fc63ed040d189c3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
313+0.23 EUR
394+0.18 EUR
435+0.16 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C2490D540B6469&compId=BSD235CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=02f2542ad9f8a828aa19eb10d1b08f515b50f21b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
202+0.35 EUR
242+0.3 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
603+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
309+0.23 EUR
360+0.2 EUR
459+0.16 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
9000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF030NE2LQ-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF035NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834 BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 BSF450NE7NH3XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DDAA4129A411C&compId=BSF450NE7NH3-DTE.pdf?ci_sign=c06da7dc27e6cb8fcb421beb0727bad5d85a6bb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
Power dissipation: 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
108+0.67 EUR
216+0.33 EUR
228+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL214N.pdf BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A60A905D42310B&compId=BSL296SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=b3a8e472d0346ab145622f3aa123c2a7e2dbba1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
111+0.65 EUR
247+0.29 EUR
260+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C268337EC5A469&compId=BSL308CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=430b0b1a21988d263243bd67514e95e08e773e1e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
97+0.74 EUR
132+0.54 EUR
169+0.42 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
136+0.53 EUR
152+0.47 EUR
224+0.32 EUR
237+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL372SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A64F3AE83B110B&compId=BSL606SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ff3e05d9020426993f44e3de18cad12bcdd9a49e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
115+0.63 EUR
132+0.54 EUR
178+0.4 EUR
247+0.29 EUR
261+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL802SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL802SN.pdf BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GB60DLC BSM200GB60DLC INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E56EC383BCA469&compId=BSM200GB60DLC.pdf?ci_sign=ad8b4e1a387281680046d25354b2887a6f0ae6de Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 730W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO033N03MSGXUMA1 BSO033N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F1D7BEDEADE11C&compId=BSO033N03MSG-dte.pdf?ci_sign=5e1efb88a7677ffd6bc07010da9d28e08bc4dde9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA914D705F5351CC&compId=BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF?ci_sign=070dfb264d8f488a2ab88956d2ea39533118f6c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF58F3DF29DF1CC&compId=BSO201SPH-DTE.pdf?ci_sign=bd493f72922d454f140551e0cbd8277f6d58d784 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203PHXUMA1 BSO203PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA915F81DAB191CC&compId=BSO203PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=38ed271d24bb707e96be43cb3cb20d02f55b30a9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203SPHXUMA1 BSO203SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91611F5B4851CC&compId=BSO203SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=f36b40706fda76bb40b78ac4bb21317193f2aadb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
224+0.32 EUR
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BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
224+0.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 173
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO303SPHXUMA1 BSO303SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9209F3CB13F1CC&compId=BSO303SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=81198fd7aed0081e5b6b98687ef88223814de38a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO613SPVGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSO613SPVG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae038440c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
94+0.77 EUR
146+0.49 EUR
155+0.46 EUR
250+0.45 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f BSP129H6906XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
109+0.66 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
57+1.26 EUR
117+0.61 EUR
123+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
60+1.21 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
104+0.69 EUR
133+0.54 EUR
235+0.3 EUR
249+0.29 EUR
2000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
135+0.53 EUR
197+0.36 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
95+0.76 EUR
117+0.61 EUR
163+0.44 EUR
167+0.43 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
92+0.79 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.15 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.15 EUR
154+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
94+0.77 EUR
154+0.47 EUR
163+0.44 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.18 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
97+0.74 EUR
106+0.67 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2898 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.08 EUR
27+2.72 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP50H6327XTSA1 BSP50H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586991C042987A469&compId=BSP50H6327XTSA1.pdf?ci_sign=542758f57bfb5844573fe09b784a03254dfb5c91 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP603S2L BSP603S2L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5949351EA6CD16469&compId=BSP603S2L.pdf?ci_sign=f8f722eb04392bc5053d8ee981b89e1032944b05 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
72+1 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
92+0.78 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP61H6327XTSA1 BSP61H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3 Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD214SNH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564
BSD214SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA912F8CFA5C11CC&compId=BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=7da60d03f8b4e52d7093e7914fc63ed040d189c3
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
313+0.23 EUR
394+0.18 EUR
435+0.16 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C2490D540B6469&compId=BSD235CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=02f2542ad9f8a828aa19eb10d1b08f515b50f21b
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
202+0.35 EUR
242+0.3 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1
BSD235NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
603+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3986 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
309+0.23 EUR
360+0.2 EUR
459+0.16 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
9000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQ-DTE.pdf
BSF030NE2LQXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF035NE2LQXUMA1 Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DDAA4129A411C&compId=BSF450NE7NH3-DTE.pdf?ci_sign=c06da7dc27e6cb8fcb421beb0727bad5d85a6bb3
BSF450NE7NH3XUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
Power dissipation: 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363
BSL207SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2861 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
108+0.67 EUR
216+0.33 EUR
228+0.31 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL214NH6327XTSA1 BSL214N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL296SNH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A60A905D42310B&compId=BSL296SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=b3a8e472d0346ab145622f3aa123c2a7e2dbba1a
BSL296SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
111+0.65 EUR
247+0.29 EUR
260+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C268337EC5A469&compId=BSL308CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=430b0b1a21988d263243bd67514e95e08e773e1e
BSL308CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
132+0.54 EUR
169+0.42 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1996 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
136+0.53 EUR
152+0.47 EUR
224+0.32 EUR
237+0.3 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.71 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL372SNH6327XTSA1 INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A64F3AE83B110B&compId=BSL606SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ff3e05d9020426993f44e3de18cad12bcdd9a49e
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
115+0.63 EUR
132+0.54 EUR
178+0.4 EUR
247+0.29 EUR
261+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL802SNH6327XTSA1 BSL802SN.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GB60DLC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E56EC383BCA469&compId=BSM200GB60DLC.pdf?ci_sign=ad8b4e1a387281680046d25354b2887a6f0ae6de
BSM200GB60DLC
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 730W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO033N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F1D7BEDEADE11C&compId=BSO033N03MSG-dte.pdf?ci_sign=5e1efb88a7677ffd6bc07010da9d28e08bc4dde9
BSO033N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA914D705F5351CC&compId=BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF?ci_sign=070dfb264d8f488a2ab88956d2ea39533118f6c5
BSO080P03SHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO150N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797
BSO150N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO201SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF58F3DF29DF1CC&compId=BSO201SPH-DTE.pdf?ci_sign=bd493f72922d454f140551e0cbd8277f6d58d784
BSO201SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA915F81DAB191CC&compId=BSO203PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=38ed271d24bb707e96be43cb3cb20d02f55b30a9
BSO203PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91611F5B4851CC&compId=BSO203SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=f36b40706fda76bb40b78ac4bb21317193f2aadb
BSO203SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2
BSO207PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
224+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2
BSO211PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
224+0.32 EUR
237+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO220N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8
BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205
BSO301SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO303SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9209F3CB13F1CC&compId=BSO303SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=81198fd7aed0081e5b6b98687ef88223814de38a
BSO303SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO613SPVGXUMA1 Infineon-BSO613SPVG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae038440c
BSO613SPVGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
94+0.77 EUR
146+0.49 EUR
155+0.46 EUR
250+0.45 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1 Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP129H6906XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
109+0.66 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
57+1.26 EUR
117+0.61 EUR
123+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
60+1.21 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6906XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
104+0.69 EUR
133+0.54 EUR
235+0.3 EUR
249+0.29 EUR
2000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f
BSP171PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2186 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
135+0.53 EUR
197+0.36 EUR
215+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
95+0.76 EUR
117+0.61 EUR
163+0.44 EUR
167+0.43 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSP315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP317PH6327XTSA1 Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP324H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSP373NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f
BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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46+1.56 EUR
97+0.74 EUR
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BSP452 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7
BSP452
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2898 Stücke:
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43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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BSP50H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586991C042987A469&compId=BSP50H6327XTSA1.pdf?ci_sign=542758f57bfb5844573fe09b784a03254dfb5c91
BSP50H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP603S2L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5949351EA6CD16469&compId=BSP603S2L.pdf?ci_sign=f8f722eb04392bc5053d8ee981b89e1032944b05
BSP603S2L
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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BSP613PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1018 Stücke:
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Anzahl Preis
49+1.49 EUR
72+1 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
92+0.78 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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BSP61H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3
BSP61H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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