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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
130+0.55 EUR
216+0.33 EUR
229+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
134+0.54 EUR
327+0.22 EUR
345+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.94 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
104+0.69 EUR
224+0.32 EUR
236+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C272455EE04469&compId=BSL316CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=14aa7da8dcaaad0b75d5e3d2295a1488451ee071 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.4/-1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
210+0.34 EUR
293+0.24 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
98+0.74 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
111+0.64 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
225+0.32 EUR
237+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
106+0.68 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
111+0.64 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
158+0.45 EUR
200+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.39 EUR
71+1.01 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.23 EUR
67+1.07 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.27 EUR
110+0.65 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
86+0.83 EUR
176+0.41 EUR
186+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
249+0.29 EUR
252+0.28 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
89+0.8 EUR
101+0.71 EUR
162+0.44 EUR
171+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
145+0.5 EUR
182+0.39 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
152+0.47 EUR
161+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
98+0.74 EUR
155+0.46 EUR
163+0.44 EUR
200+0.43 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A752039388310B&compId=BSP372NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a6d7ddd6c52e49955daaad2485cc68445ea0abcb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
95+0.75 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.56 EUR
97+0.74 EUR
106+0.67 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
33+2.22 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
35+2.09 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
29+2.55 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
2500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
46+1.59 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
100+0.96 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.78 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
35+2.09 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
32+2.27 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76899C50F310B&compId=BSP88H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7f9ace14eab967c17352ef0016c7b9645cecf49a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
127+0.56 EUR
131+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
172+0.42 EUR
197+0.36 EUR
216+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
397+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB57E0F870745&compId=BSR315PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ae348073efcde58782a96f46a5f058d78900eb40 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
On-state resistance: 1.3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
145+0.49 EUR
191+0.38 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
168+0.43 EUR
207+0.35 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A788FBF58D710B&compId=BSR802NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=4325177a8cf7e43a5625bdaa700cc9b2cc9e9b4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
159+0.45 EUR
173+0.41 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFAC3D69326745&compId=BSR92PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=cfe038ab9d0326d3e3c745cb156f85fa40ca8969 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -110mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
133+0.54 EUR
182+0.39 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
582+0.12 EUR
658+0.11 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
164+0.43 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
985+0.073 EUR
1097+0.065 EUR
1194+0.06 EUR
1303+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
329+0.22 EUR
404+0.18 EUR
457+0.16 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
150+0.48 EUR
172+0.42 EUR
278+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
230+0.31 EUR
281+0.25 EUR
332+0.22 EUR
391+0.18 EUR
562+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7A747833B910B&compId=BSS131H6327XTSA1.pdf?ci_sign=1a0db14b486c9c03a4ac7e87d14adcf0bc42587e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 14Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
468+0.15 EUR
554+0.13 EUR
625+0.11 EUR
703+0.1 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
410+0.17 EUR
491+0.15 EUR
763+0.094 EUR
905+0.079 EUR
1244+0.057 EUR
1374+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
807+0.089 EUR
910+0.079 EUR
968+0.074 EUR
1053+0.068 EUR
1127+0.063 EUR
1211+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
211+0.34 EUR
376+0.19 EUR
397+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
183+0.39 EUR
236+0.3 EUR
291+0.25 EUR
421+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
197+0.36 EUR
260+0.28 EUR
295+0.24 EUR
350+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA927B55CB5EB1CC&compId=BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf?ci_sign=15b0307eacafb5f99389df84c9a392d42ed54513 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
133+0.54 EUR
176+0.41 EUR
296+0.24 EUR
315+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7C89A92FB310B&compId=BSS205NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9e21e254c345f4f5bd15a7d2d6784307e5ed3846 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
228+0.31 EUR
275+0.26 EUR
379+0.19 EUR
489+0.15 EUR
610+0.12 EUR
910+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3649 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
506+0.14 EUR
689+0.1 EUR
787+0.091 EUR
1069+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7CF1EC57F710B&compId=BSS214NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=3d212ae0b6db65579c46b913210d28885837f077 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
365+0.2 EUR
527+0.14 EUR
612+0.12 EUR
738+0.097 EUR
1223+0.058 EUR
1296+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
538+0.13 EUR
814+0.088 EUR
937+0.076 EUR
1382+0.052 EUR
1462+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363
BSL207SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
130+0.55 EUR
216+0.33 EUR
229+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
134+0.54 EUR
327+0.22 EUR
345+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.94 EUR
275+0.26 EUR
291+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
104+0.69 EUR
224+0.32 EUR
236+0.3 EUR
6000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 104
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C272455EE04469&compId=BSL316CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=14aa7da8dcaaad0b75d5e3d2295a1488451ee071
BSL316CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.4/-1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1532 Stücke:
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BSL606SNH6327XTSA1 Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2
BSO207PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2
BSO211PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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67+1.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
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BSP135H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP149H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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44+1.64 EUR
69+1.05 EUR
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BSP170PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
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Anzahl Preis
59+1.23 EUR
67+1.07 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f
BSP171PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 822 Stücke:
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Anzahl Preis
57+1.27 EUR
110+0.65 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104
BSP295H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1046 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
86+0.83 EUR
176+0.41 EUR
186+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
249+0.29 EUR
252+0.28 EUR
265+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7
BSP297H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
89+0.8 EUR
101+0.71 EUR
162+0.44 EUR
171+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
145+0.5 EUR
182+0.39 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
152+0.47 EUR
161+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
98+0.74 EUR
155+0.46 EUR
163+0.44 EUR
200+0.43 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A752039388310B&compId=BSP372NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a6d7ddd6c52e49955daaad2485cc68445ea0abcb
BSP372NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
95+0.75 EUR
186+0.38 EUR
197+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f
BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
97+0.74 EUR
106+0.67 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7
BSP452
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
43+1.69 EUR
45+1.6 EUR
2000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c
BSP742R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
33+2.22 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de
BSP742T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1567 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
35+2.09 EUR
50+1.44 EUR
53+1.36 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5
BSP752R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
29+2.55 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP762T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.43 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
2500+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4
BSP76E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.59 EUR
62+1.16 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
100+0.96 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP772T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.78 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79
BSP77E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3044 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
35+2.09 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb
BSP78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2518 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
32+2.27 EUR
53+1.37 EUR
55+1.3 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76899C50F310B&compId=BSP88H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7f9ace14eab967c17352ef0016c7b9645cecf49a
BSP88H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
127+0.56 EUR
131+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
172+0.42 EUR
197+0.36 EUR
216+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
397+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB57E0F870745&compId=BSR315PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ae348073efcde58782a96f46a5f058d78900eb40
BSR315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
On-state resistance: 1.3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
145+0.49 EUR
191+0.38 EUR
341+0.21 EUR
360+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
168+0.43 EUR
207+0.35 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A788FBF58D710B&compId=BSR802NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=4325177a8cf7e43a5625bdaa700cc9b2cc9e9b4a
BSR802NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
159+0.45 EUR
173+0.41 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFAC3D69326745&compId=BSR92PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=cfe038ab9d0326d3e3c745cb156f85fa40ca8969
BSR92PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -110mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
133+0.54 EUR
182+0.39 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
582+0.12 EUR
658+0.11 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
164+0.43 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
985+0.073 EUR
1097+0.065 EUR
1194+0.06 EUR
1303+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
329+0.22 EUR
404+0.18 EUR
457+0.16 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
150+0.48 EUR
172+0.42 EUR
278+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de
BSS127H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3361 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
230+0.31 EUR
281+0.25 EUR
332+0.22 EUR
391+0.18 EUR
562+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7A747833B910B&compId=BSS131H6327XTSA1.pdf?ci_sign=1a0db14b486c9c03a4ac7e87d14adcf0bc42587e
BSS131H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 14Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
468+0.15 EUR
554+0.13 EUR
625+0.11 EUR
703+0.1 EUR
944+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d
BSS138NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14386 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
410+0.17 EUR
491+0.15 EUR
763+0.094 EUR
905+0.079 EUR
1244+0.057 EUR
1374+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786
BSS138WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
807+0.089 EUR
910+0.079 EUR
968+0.074 EUR
1053+0.068 EUR
1127+0.063 EUR
1211+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
211+0.34 EUR
376+0.19 EUR
397+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250
BSS159NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
183+0.39 EUR
236+0.3 EUR
291+0.25 EUR
421+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4
BSS169H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
197+0.36 EUR
260+0.28 EUR
295+0.24 EUR
350+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327FTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA927B55CB5EB1CC&compId=BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf?ci_sign=15b0307eacafb5f99389df84c9a392d42ed54513
BSS192PH6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
133+0.54 EUR
176+0.41 EUR
296+0.24 EUR
315+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7C89A92FB310B&compId=BSS205NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9e21e254c345f4f5bd15a7d2d6784307e5ed3846
BSS205NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
228+0.31 EUR
275+0.26 EUR
379+0.19 EUR
489+0.15 EUR
610+0.12 EUR
910+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3649 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
506+0.14 EUR
689+0.1 EUR
787+0.091 EUR
1069+0.067 EUR
1132+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7CF1EC57F710B&compId=BSS214NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=3d212ae0b6db65579c46b913210d28885837f077
BSS214NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
365+0.2 EUR
527+0.14 EUR
612+0.12 EUR
738+0.097 EUR
1223+0.058 EUR
1296+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c
BSS214NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
538+0.13 EUR
814+0.088 EUR
937+0.076 EUR
1382+0.052 EUR
1462+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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