Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (151635) > Seite 1258 nach 2528
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC040N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
BSC042N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC042N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC042NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC046N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0501NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0503NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0504NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 64A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 66A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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BSC050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 72A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC050N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC050NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC052N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC054N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC057N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC057N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC057N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC059N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC059N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC060N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC060P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors |
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BSC061N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC066N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 46W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC070N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC070N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC077N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 98A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC080N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC082N10LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC084P03NS3EGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC084P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0901NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0901NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 4609 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC0904NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0906NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC090N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC0910NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0911NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0923NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0924NDIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC0925NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC093N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 3891 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC098N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.8nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 176A Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 200A Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3630 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC105N10LSFGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 10.5mΩ Drain current: 90A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 10.9mΩ Drain current: 63A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 78W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC110N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 11mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC110N15NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W Mounting: SMD On-state resistance: 11mΩ Drain current: 48A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 150V Pulsed drain current: 304A Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC117N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 11.7mΩ Drain current: 49A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC118N10NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 11.8mΩ Drain current: 71A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 114W Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC120N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12mΩ Drain current: 33A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 28W Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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BSC120N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12mΩ Drain current: 36A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 28W Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
BSC040N10NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC042N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC042N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC042NE7NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC046N10NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC047N08NS3GATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0501NSIATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0501NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0501NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0503NSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0503NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0503NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0504NSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050N04LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC050N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC050N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC050NE2LSATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC050NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC050NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC052N08NS5ATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC054N04NSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC054N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC054N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC057N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC057N08NS3GATMA1 |
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BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC059N04LS6ATMA1 |
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BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC059N04LSGATMA1 |
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BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC060N10NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC060P03NS3EGATMA |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
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BSC061N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC061N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC066N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 46W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC067N06LS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC070N10NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC070N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC070N10NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC072N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC072N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC072N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC076N06NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC077N12NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 98A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 98A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC080N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC080N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC080N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
96+ | 0.75 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
5000+ | 0.39 EUR |
BSC082N10LSGATMA1 |
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BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC084P03NS3EGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
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BSC084P03NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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BSC0901NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0901NSATMA1 SMD N channel transistors
BSC0901NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0901NSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0901NSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0902NSATMA1 |
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BSC0902NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0902NSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
46+ | 1.59 EUR |
95+ | 0.76 EUR |
100+ | 0.72 EUR |
500+ | 0.69 EUR |
BSC0904NSIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0904NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0904NSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0906NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
81+ | 0.89 EUR |
120+ | 0.6 EUR |
156+ | 0.46 EUR |
173+ | 0.41 EUR |
190+ | 0.38 EUR |
BSC0909NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
174+ | 0.41 EUR |
228+ | 0.31 EUR |
241+ | 0.3 EUR |
1000+ | 0.29 EUR |
BSC090N03LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC0910NDIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0911NDATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0923NDIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC0924NDIATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC0925NDATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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BSC093N04LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3891 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
68+ | 1.06 EUR |
129+ | 0.56 EUR |
136+ | 0.53 EUR |
1000+ | 0.51 EUR |
BSC097N06NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC097N06NSATMA1 SMD N channel transistors
BSC097N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC098N10NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC100N06LS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
53+ | 1.37 EUR |
77+ | 0.93 EUR |
88+ | 0.82 EUR |
167+ | 0.43 EUR |
176+ | 0.41 EUR |
BSC105N10LSFGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC109N10NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC110N06NS3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC110N15NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 304A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 304A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.7mΩ
Drain current: 49A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.7mΩ
Drain current: 49A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC118N10NSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.8mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.8mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
BSC120N03LSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
BSC120N03MSGATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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