Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > Alle Produkte des Herstellers INFINEON TECHNOLOGIES (152718) > Seite 1256 nach 2546
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: F5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-off time: 365ns Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 69ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AIMW120R045M1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 114W Case: TO247 Gate-source voltage: -7...20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIPS2051LTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS2052GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS6031RTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIPS7091GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 8A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.12Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET Operating temperature: -40...150°C Power dissipation: 1.25W Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIPS7111STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 10A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: D2PAK-5 On-state resistance: 7.5mΩ Kind of package: reel Technology: Classic PROFET Operating temperature: -40...150°C Power dissipation: 2.5W Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIPS71451GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIR2085STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Case: SO8 Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Kind of package: reel; tape Topology: MOSFET half-bridge Output current: -1...1A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...15V DC Voltage class: 100V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIR3240STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Output current: 0.3A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 1 Supply voltage: 4...36V DC Voltage class: 40V Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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AUIR3241STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIR3242SXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AUIR3242SXUMA1 MOSFET/IGBT drivers |
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AUIR3314STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF1010ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 94A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF1324S-7P | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF1324STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 340A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF1324WL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 382A Power dissipation: 300W Case: TO262WL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.16mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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AUIRF1404S | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRF1404STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF1404ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF2804L | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 160nC On-state resistance: 2mΩ Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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AUIRF2804STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF3205Z | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 76nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AUIRF3710ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF3805S-7P | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF4104STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 68nC Kind of package: reel Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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AUIRF4905S | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -44A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRF540Z | INFINEON TECHNOLOGIES |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AUIRF7103QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7309QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7316QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 98mΩ Gate charge: 23nC Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7341QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 2.4W Gate charge: 29nC Gate-source voltage: ±20V Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7342QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -3.4A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.17Ω Gate charge: 26nC Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7343QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A Power dissipation: 4.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43/95mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7379QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF7640S2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 21A Power dissipation: 30W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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AUIRF7647S2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Power dissipation: 41W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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AUIRF7648M2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 68A Power dissipation: 63W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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AUIRF7665S2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14.4A Power dissipation: 30W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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AUIRF7669L2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 114A Power dissipation: 100W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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AUIRF7675M2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 18A Power dissipation: 45W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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AUIRF7736M2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF7737L2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRF7739L2TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRFB8405 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 163W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AUIRFB8407 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Gate charge: 150nC On-state resistance: 1.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRFB8409 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRFN7107TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRFN8459TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRFR024N | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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AUIRFR3504Z | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRFR4105ZTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 30A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AUIRFR5305TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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AUIRFR5305TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -22A Power dissipation: 110W Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -110A On-state resistance: 65mΩ Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AUIRFR8405TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Power dissipation: 163W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 155nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 804A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AUIRFR9024NTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -8A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -44A Gate charge: 19nC On-state resistance: 0.175Ω Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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AUIRFSL8403 | INFINEON TECHNOLOGIES |
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AUIRFSL8407 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: TO262 Gate charge: 150nC On-state resistance: 1.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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AIKW50N65DF5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIKW75N60CTXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AIMW120R045M1XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AUIPS2051LTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
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Stück im Wert von UAH
AUIPS2052GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
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Stück im Wert von UAH
AUIPS6031RTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIPS7091GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIPS7111STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: D2PAK-5
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 2.5W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: D2PAK-5
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 2.5W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIPS71451GTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS71451GTR Power switches - integrated circuits
AUIPS71451GTR Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIR2085STR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Voltage class: 100V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: reel; tape
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Voltage class: 100V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIR3240STR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Output current: 0.3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4...36V DC
Voltage class: 40V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Output current: 0.3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 4...36V DC
Voltage class: 40V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIR3241STR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR3241STR MOSFET/IGBT drivers
AUIR3241STR MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIR3242SXUMA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR3242SXUMA1 MOSFET/IGBT drivers
AUIR3242SXUMA1 MOSFET/IGBT drivers
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIR3314STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIRF1010ZSTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1324S-7P |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1324STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1324WL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1404S |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1404STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF1404ZSTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF2804L |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF2804STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF3205Z |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF3710ZSTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF3805S-7P |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF4104STRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF4905S |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF540Z |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF540Z THT N channel transistors
AUIRF540Z THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
16+ | 4.65 EUR |
25+ | 2.86 EUR |
500+ | 2.7 EUR |
AUIRF7103QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7309QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7316QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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AUIRF7341QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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AUIRF7342QTR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
AUIRF7343QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
AUIRF7379QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF7379QTR Multi channel transistors
AUIRF7379QTR Multi channel transistors
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Stück im Wert von UAH
AUIRF7640S2TR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7647S2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Power dissipation: 41W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Power dissipation: 41W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7648M2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7665S2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7669L2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Power dissipation: 100W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Power dissipation: 100W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7675M2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7736M2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF7736M2TR SMD N channel transistors
AUIRF7736M2TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7737L2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF7737L2TR SMD N channel transistors
AUIRF7737L2TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7739L2TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF7739L2TR SMD N channel transistors
AUIRF7739L2TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFB8405 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
12+ | 6.09 EUR |
13+ | 5.51 EUR |
AUIRFB8407 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFB8409 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFN7107TR |
![]() ![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFN7107TR SMD N channel transistors
AUIRFN7107TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFN8459TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFN8459TR SMD N channel transistors
AUIRFN8459TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFR024N |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFR3504Z |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFR4105ZTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFR5305TR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFR5305TRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFR8405TRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFR9024NTRL |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.175Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 0.175Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFSL8403 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFSL8403 THT N channel transistors
AUIRFSL8403 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRFSL8407 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO262
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO262
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH