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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSP61H6327XTSA1 BSP61H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3 Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
33+2.22 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742RIXUMA1 BSP742RIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES BSP742T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
29+2.55 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752T BSP752T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697A892C9B98469&compId=BSP752T.pdf?ci_sign=b5ced3c5ed460144b067c1a56ab54b4b2531568d Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752TXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697AB1C4CDAC469&compId=BSP762T.pdf?ci_sign=3e6d8828cac9092b5936c4f21f2326965e7952af Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.20 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-SOT223-4
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.79 EUR
40+1.79 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.53 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
35+2.09 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
32+2.27 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.78 EUR
203+0.35 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
143+0.50 EUR
168+0.43 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
65+1.10 EUR
178+0.40 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72 BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A77D0304ED710B&compId=BSR302NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=bec509c870b45911ebd7f61b3857176c3158df8e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
179+0.40 EUR
221+0.32 EUR
341+0.21 EUR
360+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
169+0.42 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1 BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2067 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
155+0.46 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
544+0.13 EUR
691+0.10 EUR
802+0.09 EUR
942+0.08 EUR
1539+0.05 EUR
1629+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
424+0.17 EUR
491+0.15 EUR
785+0.09 EUR
1191+0.06 EUR
1260+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
241+0.30 EUR
353+0.20 EUR
481+0.15 EUR
581+0.12 EUR
688+0.10 EUR
1254+0.06 EUR
1327+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
133+0.54 EUR
156+0.46 EUR
228+0.31 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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173+0.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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228+0.31 EUR
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498+0.14 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8097 Stücke:
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218+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2273 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7844 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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154+0.47 EUR
180+0.40 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6001 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
288+0.25 EUR
357+0.20 EUR
421+0.17 EUR
502+0.14 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
491+0.15 EUR
578+0.12 EUR
738+0.10 EUR
1071+0.07 EUR
1132+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5605 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
264+0.27 EUR
429+0.17 EUR
484+0.15 EUR
832+0.09 EUR
881+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
241+0.30 EUR
341+0.21 EUR
509+0.14 EUR
587+0.12 EUR
852+0.08 EUR
901+0.08 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2038 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
242+0.30 EUR
348+0.21 EUR
432+0.17 EUR
511+0.14 EUR
715+0.10 EUR
758+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
391+0.18 EUR
455+0.16 EUR
516+0.14 EUR
589+0.12 EUR
962+0.07 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa BSS225H6327FTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 534 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
101+0.71 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 101
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
75000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.52 EUR
166+0.43 EUR
239+0.30 EUR
278+0.26 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
304+0.24 EUR
426+0.17 EUR
497+0.14 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
2500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 4251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
676+0.11 EUR
715+0.10 EUR
75000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6553 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
556+0.13 EUR
738+0.10 EUR
839+0.09 EUR
1471+0.05 EUR
1553+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
191+0.37 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
363+0.20 EUR
506+0.14 EUR
587+0.12 EUR
1038+0.07 EUR
1097+0.07 EUR
1500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2951 Stücke:
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439+0.16 EUR
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989+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
224+0.32 EUR
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587+0.12 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
254+0.28 EUR
327+0.22 EUR
385+0.19 EUR
455+0.16 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
558+0.13 EUR
1214+0.06 EUR
1283+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
247+0.29 EUR
317+0.23 EUR
385+0.19 EUR
468+0.15 EUR
834+0.09 EUR
878+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
481+0.15 EUR
601+0.12 EUR
667+0.11 EUR
769+0.09 EUR
1690+0.04 EUR
1793+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
556+0.13 EUR
711+0.10 EUR
794+0.09 EUR
1534+0.05 EUR
1624+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Case: SOT89-4
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
174+0.41 EUR
211+0.34 EUR
266+0.27 EUR
283+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513 BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP61H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3
BSP61H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c
BSP742R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
33+2.22 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742RIXUMA1 Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t
BSP742RIXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5
BSP752R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
29+2.55 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697A892C9B98469&compId=BSP752T.pdf?ci_sign=b5ced3c5ed460144b067c1a56ab54b4b2531568d
BSP752T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752TXUMA1 Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697AB1C4CDAC469&compId=BSP762T.pdf?ci_sign=3e6d8828cac9092b5936c4f21f2326965e7952af
BSP762T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.20 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4
BSP76E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-SOT223-4
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
40+1.79 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
35+2.09 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb
BSP78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
32+2.27 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.78 EUR
203+0.35 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
143+0.50 EUR
168+0.43 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
65+1.10 EUR
178+0.40 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR202NL6327HTSA1 BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR302NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A77D0304ED710B&compId=BSR302NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=bec509c870b45911ebd7f61b3857176c3158df8e
BSR302NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
179+0.40 EUR
221+0.32 EUR
341+0.21 EUR
360+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1.pdf
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
169+0.42 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2067 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
155+0.46 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
544+0.13 EUR
691+0.10 EUR
802+0.09 EUR
942+0.08 EUR
1539+0.05 EUR
1629+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BSS123NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
424+0.17 EUR
491+0.15 EUR
785+0.09 EUR
1191+0.06 EUR
1260+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
241+0.30 EUR
353+0.20 EUR
481+0.15 EUR
581+0.12 EUR
688+0.10 EUR
1254+0.06 EUR
1327+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 241
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
133+0.54 EUR
156+0.46 EUR
228+0.31 EUR
277+0.26 EUR
291+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSS127H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de
BSS127H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4781 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
300+0.24 EUR
376+0.19 EUR
443+0.16 EUR
511+0.14 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13097 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
319+0.22 EUR
408+0.18 EUR
498+0.14 EUR
604+0.12 EUR
946+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d
BSS138NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8097 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
365+0.20 EUR
593+0.12 EUR
721+0.10 EUR
1539+0.05 EUR
1629+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786
BSS138WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
678+0.11 EUR
806+0.09 EUR
1241+0.06 EUR
1313+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS139H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7844 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
379+0.19 EUR
400+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
250+0.29 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4
BSS169H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
110+0.65 EUR
156+0.46 EUR
404+0.18 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 110
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.47 EUR
180+0.40 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6001 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
288+0.25 EUR
357+0.20 EUR
421+0.17 EUR
502+0.14 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4054 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
491+0.15 EUR
578+0.12 EUR
738+0.10 EUR
1071+0.07 EUR
1132+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c
BSS214NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2161 Stücke:
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341+0.21 EUR
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587+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
173+0.41 EUR
242+0.30 EUR
348+0.21 EUR
432+0.17 EUR
511+0.14 EUR
715+0.10 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
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455+0.16 EUR
516+0.14 EUR
589+0.12 EUR
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1000+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS225H6327FTSA1 Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS225H6327FTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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725+0.10 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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139+0.52 EUR
166+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3024 Stücke:
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304+0.24 EUR
426+0.17 EUR
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962+0.07 EUR
2500+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 4251 Stücke:
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136+0.53 EUR
676+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6553 Stücke:
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Anzahl Preis
313+0.23 EUR
556+0.13 EUR
738+0.10 EUR
839+0.09 EUR
1471+0.05 EUR
1553+0.05 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
191+0.37 EUR
319+0.22 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2032 Stücke:
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Anzahl Preis
228+0.31 EUR
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506+0.14 EUR
587+0.12 EUR
1038+0.07 EUR
1097+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
439+0.16 EUR
933+0.08 EUR
989+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
224+0.32 EUR
307+0.23 EUR
587+0.12 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4129 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
254+0.28 EUR
327+0.22 EUR
385+0.19 EUR
455+0.16 EUR
770+0.09 EUR
820+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3579 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
407+0.18 EUR
558+0.13 EUR
1214+0.06 EUR
1283+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241
BSS83PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
247+0.29 EUR
317+0.23 EUR
385+0.19 EUR
468+0.15 EUR
834+0.09 EUR
878+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
481+0.15 EUR
601+0.12 EUR
667+0.11 EUR
769+0.09 EUR
1690+0.04 EUR
1793+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90
BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
556+0.13 EUR
711+0.10 EUR
794+0.09 EUR
1534+0.05 EUR
1624+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Case: SOT89-4
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
174+0.41 EUR
211+0.34 EUR
266+0.27 EUR
283+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV236SPH6327XTSA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
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