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BFS481H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfs481.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be BFS481H6327XTSA1 NPN SMD transistors
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BFS483H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfs483.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142710876006c5 BFS483H6327 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2741 Stücke:
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67+1.07 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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BGA524N6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGS12P2L6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSLP-6-4
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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BGS12SN6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Number of channels: 2
Case: TSNP6
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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BGS13S4N9E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS13S4N9-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe016248809d333d02 BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
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BGS14MPA9E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGS14MPA9E6327.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGSA14GN10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGSA14GN10-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e9e3e86f09ff Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
Anzahl je Verpackung: 7500 Stücke
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BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGSX22G2A10.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
67+1.07 EUR
100+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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BGSX22G5A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGSX22G5A10-DataSheet-v08_06-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd830176232e4ff77add BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
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BGSX24MU16E6327XUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGSX24MU16-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017468b01dad7214 BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
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BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11N16E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24LTR11.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BGT24MTR11E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR11_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139def491930214 BGT24MTR11 Integrated circuits - others
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BGT24MTR12E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR12_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139df108e75025b BGT24MTR12 Integrated circuits - others
auf Bestellung 476 Stücke:
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5+14.56 EUR
6+14.00 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BGX50AE6327 BGX50AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1086 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
414+0.17 EUR
468+0.15 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 414
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BSB008NE2LXXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C1FC2A5FA9011C&compId=BSB013NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=aba356e0bd6bc82ad911453ce9c6ebac3f41cad2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB014N04LX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB015N04NX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838 BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB044N08NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4 BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB056N10NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459 BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB104N08NP3GXUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSB104N08NP3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
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BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB165N15NZ3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB280N15NZ3+G+Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b0b544c3852 BSB280N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSC007N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815 BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C232ADC6DE811C&compId=BSC009NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=474c14cd09ac2b54f5c408db185963e09191a5c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D674C41301011C&compId=BSC010N04LS-DTE.pdf?ci_sign=d42a193b95255dc1f0aefdcdc81acdbfe54a88bf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D67EF5A7A1411C&compId=BSC010N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=720cdb79dd60710691892f7034e3197c240f61f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD29AC7BFD011C&compId=BSC010NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=4037dffe638488c62f3a77b32205acbf9b96de48 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD40EAD5E9A11C&compId=BSC010NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=ab0e926d776d7e5a1947b6a42d0ee3b7e575e2bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC014N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25A9939DDA11C&compId=BSC014N04LS-DTE.pdf?ci_sign=702ca4986b6c1f5e5d8f755d7d5c4d74798c8fd0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25D852524411C&compId=BSC014N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=53868b51fbb5ec3ed88489a6d0c056d375046e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25F431FB8811C&compId=BSC014N06NS-DTE.pdf?ci_sign=89be9cef3c84b02cc52bd76782f1cbbbafd2f7d6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
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BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C261A139DAE11C&compId=BSC014NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=0a69ffadf1ecef5f2deecb3baae5b5493d0cb0ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC017N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236 BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC018N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808 BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N02KSGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N02KS+G+Rev1.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c0dc9c0001&fileId=db3a3043163797a6011637c16cdf0002 BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C276C164B8C11C&compId=BSC019N04LS-DTE.pdf?ci_sign=24f98007f7062467d0d86250c8fc347c8ca5891a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC019N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832 BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA80AD83367A3120C4&compId=BSC022N04LS6ATMA1.pdf?ci_sign=e2229754fae00c68648b3afc496feb6389ec8b62 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD7287EF0E811C&compId=BSC024NE2LS-dte.pdf?ci_sign=02f2819344fa6536fccc816908b39ac8866af181 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N02KSGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC026N02KS+G+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a3043163797a6011637c2a4280019 BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N04LSATMA1 BSC026N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28471E353E11C&compId=BSC026N04LS-DTE.pdf?ci_sign=95197db971ae602846dd7418207997742f7e4fba Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026NE2LS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C287232F8F811C&compId=BSC026NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=9ba57efedcf67f25fbe19cd1bedc471bcf370d94 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFS481H6327XTSA1 bfs481.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS481H6327XTSA1 NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFS483H6327XTSA1 bfs483.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142710876006c5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS483H6327 NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA524N6E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Case: TSLP-6-4
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGS12SN6E6327XTSA1 Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Number of channels: 2
Case: TSNP6
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGS13S4N9E6327XTSA1 Infineon-BGS13S4N9-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe016248809d333d02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
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BGS14MPA9E6327XTSA1 BGS14MPA9E6327.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BGSA14GN10E6327XTSA1 Infineon-BGSA14GN10-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e9e3e86f09ff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
Anzahl je Verpackung: 7500 Stücke
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BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10.pdf
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
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BGSX22G5A10E6327XTSA1 Infineon-BGSX22G5A10-DataSheet-v08_06-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd830176232e4ff77add
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
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BGSX24MU16E6327XUSA1 Infineon-BGSX24MU16-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017468b01dad7214
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
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BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11.pdf
BGT24LTR11N16E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BGT24MTR11E6327XUMA1 BGT24MTR11_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139def491930214
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
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BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139df108e75025b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
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BGX50AE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b
BGX50AE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
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BSB008NE2LXXUMA1 Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB012NE2LXIXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009
BSB012NE2LXIXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB013NE2LXIXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C1FC2A5FA9011C&compId=BSB013NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=aba356e0bd6bc82ad911453ce9c6ebac3f41cad2
BSB013NE2LXIXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3G-DTE.pdf
BSB014N04LX3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
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BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3G-DTE.pdf
BSB015N04NX3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB104N08NP3GXUSA1 Infineon-BSB104N08NP3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
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BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3G-DTE.pdf
BSB165N15NZ3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
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BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3+G+Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b0b544c3852
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB280N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSC007N04LS6ATMA1 Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5I-DTE.pdf
BSC009NE2LS5IATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC009NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C232ADC6DE811C&compId=BSC009NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=474c14cd09ac2b54f5c408db185963e09191a5c0
BSC009NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D674C41301011C&compId=BSC010N04LS-DTE.pdf?ci_sign=d42a193b95255dc1f0aefdcdc81acdbfe54a88bf
BSC010N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D67EF5A7A1411C&compId=BSC010N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=720cdb79dd60710691892f7034e3197c240f61f0
BSC010N04LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD29AC7BFD011C&compId=BSC010NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=4037dffe638488c62f3a77b32205acbf9b96de48
BSC010NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010NE2LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD40EAD5E9A11C&compId=BSC010NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=ab0e926d776d7e5a1947b6a42d0ee3b7e575e2bc
BSC010NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520
BSC011N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d
BSC011N03LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25A9939DDA11C&compId=BSC014N04LS-DTE.pdf?ci_sign=702ca4986b6c1f5e5d8f755d7d5c4d74798c8fd0
BSC014N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25D852524411C&compId=BSC014N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=53868b51fbb5ec3ed88489a6d0c056d375046e73
BSC014N04LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25F431FB8811C&compId=BSC014N06NS-DTE.pdf?ci_sign=89be9cef3c84b02cc52bd76782f1cbbbafd2f7d6
BSC014N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C261A139DAE11C&compId=BSC014NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=0a69ffadf1ecef5f2deecb3baae5b5493d0cb0ab
BSC014NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSG-DTE.pdf
BSC016N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSG-DTE.pdf
BSC016N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586
BSC016N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC017N04NSGATMA1 BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KS+G+Rev1.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c0dc9c0001&fileId=db3a3043163797a6011637c16cdf0002
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C276C164B8C11C&compId=BSC019N04LS-DTE.pdf?ci_sign=24f98007f7062467d0d86250c8fc347c8ca5891a
BSC019N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1 Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LS6ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA80AD83367A3120C4&compId=BSC022N04LS6ATMA1.pdf?ci_sign=e2229754fae00c68648b3afc496feb6389ec8b62
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C27F07B750811C&compId=BSC022N04LS-dte.pdf?ci_sign=125ecfb34873602b4a13f421a132720c70763d0b
BSC022N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD7287EF0E811C&compId=BSC024NE2LS-dte.pdf?ci_sign=02f2819344fa6536fccc816908b39ac8866af181
BSC024NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 25A; 48W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 25A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N02KS+G+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a3043163797a6011637c2a4280019
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28471E353E11C&compId=BSC026N04LS-DTE.pdf?ci_sign=95197db971ae602846dd7418207997742f7e4fba
BSC026N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 63W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC026N08NS5ATMA1 Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026NE2LS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C287232F8F811C&compId=BSC026NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=9ba57efedcf67f25fbe19cd1bedc471bcf370d94
BSC026NE2LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 66A; 29W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 66A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG-DTE.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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