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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFP460H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 BFP460H6327XTSA1 NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP520H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 BFP520H6327XTSA1 NPN SMD transistors
auf Bestellung 2136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.60 EUR
323+0.22 EUR
343+0.21 EUR
1000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A0EDC5C0EE5DD820&compId=Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf?ci_sign=8598667148023825c70ff370d5b13105b6eb907b Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
114+0.63 EUR
145+0.49 EUR
182+0.39 EUR
243+0.30 EUR
257+0.28 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP650FH6327 BFP650FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP650FH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4
Mounting: SMD
Case: TSFP-4
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
218+0.33 EUR
229+0.31 EUR
240+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP650H6327 BFP650H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP650H6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
105+0.68 EUR
119+0.60 EUR
137+0.52 EUR
145+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90E3A3FC1DD6E0D3&compId=BFP740.pdf?ci_sign=ce7cc8cf4d74db6dfea95f584e1a2362c567feed Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
198+0.36 EUR
221+0.32 EUR
231+0.31 EUR
249+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 198
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90FA0EABC59E80D3&compId=BFP760.pdf?ci_sign=1929f603bc546f8a545134befdd1ff3f3e6f452c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
209+0.34 EUR
232+0.31 EUR
241+0.30 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFQ19SH6327XTSA1 BFQ19SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C0C542C2A11C&compId=BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=308d2c563328e90936001c00c9e93dc4a527b52a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
113+0.64 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
236+0.30 EUR
309+0.23 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A313F6F3849820&compId=BFR181.pdf?ci_sign=38a950279fd876c36adcfab0661237d340b91310 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Frequency: 8GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
186+0.38 EUR
240+0.30 EUR
358+0.20 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
258+0.28 EUR
376+0.19 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
658+0.11 EUR
705+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
562+0.13 EUR
642+0.11 EUR
705+0.10 EUR
758+0.09 EUR
834+0.09 EUR
878+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193E6327 BFR193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191CF209426011C&compId=BFR193E6327-dte.pdf?ci_sign=4c5307a786cc21bca7483237e4b4a15904a55f4d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
226+0.32 EUR
350+0.20 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193FH6327 BFR193FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
304+0.24 EUR
424+0.17 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D61F8F1C611C&compId=BFR193L3E6327-dte.pdf?ci_sign=159eb82f3466f047c6bf832485697538eb140a55 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
280+0.26 EUR
285+0.25 EUR
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
175+0.41 EUR
302+0.24 EUR
358+0.20 EUR
506+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR35APE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BFR35APE6327HTSA1 NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR360F.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Current gain: 90...160
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
232+0.31 EUR
336+0.21 EUR
391+0.18 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR380FH6327 BFR380FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR380FH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
197+0.36 EUR
329+0.22 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR380L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.30 EUR
315+0.23 EUR
447+0.16 EUR
676+0.11 EUR
715+0.10 EUR
10000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR740L3RHE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFR740L3RH-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896ffd44ecb BFR740L3RHE6327 NPN SMD transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
329+0.22 EUR
488+0.15 EUR
847+0.09 EUR
895+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C30483FF811C&compId=BFR93AE6327-dte.pdf?ci_sign=4976f0bcbdde1e8f6f5441178f01c8ea32474540 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
167+0.43 EUR
250+0.29 EUR
807+0.09 EUR
848+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C52D96F5811C&compId=BFR93AWH6327-dte.pdf?ci_sign=f5dad9dcde5007a2b1c25553281c2232de027f10 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
625+0.11 EUR
752+0.10 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
12000+0.07 EUR
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BFS483H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfs483.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142710876006c5 BFS483H6327 NPN SMD transistors
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BGA524N6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
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BGS12P2L6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Bandwidth: 0.05...6GHz
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BGS12SN6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSNP6
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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BGS13S4N9E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS13S4N9-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe016248809d333d02 BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
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BGS14MPA9E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGS14MPA9E6327.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
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BGSA14GN10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGSA14GN10-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e9e3e86f09ff Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
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BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGSX22G2A10.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
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BGSX22G5A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGSX22G5A10-DataSheet-v08_06-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd830176232e4ff77add BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
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BGSX24MU16E6327XUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGSX24MU16-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017468b01dad7214 BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
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BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11N16E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24LTR11.pdf Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
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BGT24MTR11E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR11_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139def491930214 BGT24MTR11 Integrated circuits - others
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BGT24MTR12E6327XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGT24MTR12_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139df108e75025b BGT24MTR12 Integrated circuits - others
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BGX50AE6327 BGX50AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
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BSB008NE2LXXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB012NE2LXIXUMA1 BSB012NE2LXIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB013NE2LXIXUMA1 BSB013NE2LXIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C1FC2A5FA9011C&compId=BSB013NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=aba356e0bd6bc82ad911453ce9c6ebac3f41cad2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB014N04LX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB015N04NX3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838 BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB044N08NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4 BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB056N10NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459 BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB104N08NP3GXUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSB104N08NP3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
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BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB165N15NZ3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB280N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB280N15NZ3+G+Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b0b544c3852 BSB280N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSC007N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815 BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS5I-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C232ADC6DE811C&compId=BSC009NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=474c14cd09ac2b54f5c408db185963e09191a5c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D674C41301011C&compId=BSC010N04LS-DTE.pdf?ci_sign=d42a193b95255dc1f0aefdcdc81acdbfe54a88bf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D67EF5A7A1411C&compId=BSC010N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=720cdb79dd60710691892f7034e3197c240f61f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD29AC7BFD011C&compId=BSC010NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=4037dffe638488c62f3a77b32205acbf9b96de48 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD40EAD5E9A11C&compId=BSC010NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=ab0e926d776d7e5a1947b6a42d0ee3b7e575e2bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BFP460H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFP460H6327XTSA1 NPN SMD transistors
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BFP520H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFP520H6327XTSA1 NPN SMD transistors
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BFP640H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2825 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
114+0.63 EUR
145+0.49 EUR
182+0.39 EUR
243+0.30 EUR
257+0.28 EUR
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP650FH6327 BFP650FH6327-dte.pdf
BFP650FH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4
Mounting: SMD
Case: TSFP-4
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
218+0.33 EUR
229+0.31 EUR
240+0.30 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP650H6327 BFP650H6327-DTE.pdf
BFP650H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2583 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
105+0.68 EUR
119+0.60 EUR
137+0.52 EUR
145+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP740H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90E3A3FC1DD6E0D3&compId=BFP740.pdf?ci_sign=ce7cc8cf4d74db6dfea95f584e1a2362c567feed
BFP740H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2541 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
198+0.36 EUR
221+0.32 EUR
231+0.31 EUR
249+0.29 EUR
500+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 198
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFP760H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90FA0EABC59E80D3&compId=BFP760.pdf?ci_sign=1929f603bc546f8a545134befdd1ff3f3e6f452c
BFP760H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2294 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
209+0.34 EUR
232+0.31 EUR
241+0.30 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFQ19SH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C0C542C2A11C&compId=BFQ19SH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=308d2c563328e90936001c00c9e93dc4a527b52a
BFQ19SH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 722 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
113+0.64 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR106E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0
BFR106E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1801 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
236+0.30 EUR
309+0.23 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A313F6F3849820&compId=BFR181.pdf?ci_sign=38a950279fd876c36adcfab0661237d340b91310
BFR181E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Frequency: 8GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
186+0.38 EUR
240+0.30 EUR
358+0.20 EUR
544+0.13 EUR
575+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
258+0.28 EUR
376+0.19 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
658+0.11 EUR
705+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR182WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025
BFR182WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1412 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
562+0.13 EUR
642+0.11 EUR
705+0.10 EUR
758+0.09 EUR
834+0.09 EUR
878+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191CF209426011C&compId=BFR193E6327-dte.pdf?ci_sign=4c5307a786cc21bca7483237e4b4a15904a55f4d
BFR193E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2074 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
226+0.32 EUR
350+0.20 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193FH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D0E2A79A611C&compId=BFR193FH6327-dte.pdf?ci_sign=36a79ff6ce9c25acd1f0aac379677a9982028e7d
BFR193FH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1376 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
304+0.24 EUR
424+0.17 EUR
603+0.12 EUR
633+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193L3E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D61F8F1C611C&compId=BFR193L3E6327-dte.pdf?ci_sign=159eb82f3466f047c6bf832485697538eb140a55
BFR193L3E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
280+0.26 EUR
285+0.25 EUR
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR193WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a
BFR193WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
143+0.50 EUR
175+0.41 EUR
302+0.24 EUR
358+0.20 EUR
506+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR35APE6327HTSA1 INFNS22473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR35APE6327HTSA1 NPN SMD transistors
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BFR360FH6327XTSA1 BFR360F.pdf
BFR360FH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Current gain: 90...160
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
232+0.31 EUR
336+0.21 EUR
391+0.18 EUR
562+0.13 EUR
596+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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BFR380FH6327 BFR380FH6327-dte.pdf
BFR380FH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
197+0.36 EUR
329+0.22 EUR
443+0.16 EUR
468+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327-dte.pdf
BFR380L3E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.30 EUR
315+0.23 EUR
447+0.16 EUR
676+0.11 EUR
715+0.10 EUR
10000+0.10 EUR
15000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR740L3RHE6327XTSA1 Infineon-BFR740L3RH-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896ffd44ecb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR740L3RHE6327 NPN SMD transistors
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BFR92PE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9
BFR92PE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
329+0.22 EUR
488+0.15 EUR
847+0.09 EUR
895+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C30483FF811C&compId=BFR93AE6327-dte.pdf?ci_sign=4976f0bcbdde1e8f6f5441178f01c8ea32474540
BFR93AE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
167+0.43 EUR
250+0.29 EUR
807+0.09 EUR
848+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR93AWH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C52D96F5811C&compId=BFR93AWH6327-dte.pdf?ci_sign=f5dad9dcde5007a2b1c25553281c2232de027f10
BFR93AWH6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 6GHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
625+0.11 EUR
752+0.10 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
12000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BFS481H6327XTSA1 bfs481.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114270d383406be
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS481H6327XTSA1 NPN SMD transistors
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BFS483H6327XTSA1 bfs483.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142710876006c5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS483H6327 NPN SMD transistors
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BGA524N6E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGS12P2L6E6327XTSA1 Infineon-BGS12P2L6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d4487d53603ce
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Bandwidth: 0.05...6GHz
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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BGS12SN6E6327XTSA1 Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSNP6
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Anzahl je Verpackung: 15000 Stücke
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BGS13S4N9E6327XTSA1 Infineon-BGS13S4N9-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262475fbe016248809d333d02
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
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BGS14MPA9E6327XTSA1 BGS14MPA9E6327.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGSA14GN10E6327XTSA1 Infineon-BGSA14GN10-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e9e3e86f09ff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
Anzahl je Verpackung: 7500 Stücke
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BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10.pdf
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BGSX22G5A10E6327XTSA1 Infineon-BGSX22G5A10-DataSheet-v08_06-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd830176232e4ff77add
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
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BGSX24MU16E6327XUSA1 Infineon-BGSX24MU16-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b017468b01dad7214
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
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BGT24LTR11N16E6327XTSA1 BGT24LTR11.pdf
BGT24LTR11N16E6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BGT24MTR11E6327XUMA1 BGT24MTR11_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139def491930214
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
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BGT24MTR12E6327XUMA1 BGT24MTR12_v3.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304339dcf4b10139df108e75025b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
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BGX50AE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB833A719C42469&compId=BGX50AE6327.pdf?ci_sign=31c8574b03909b1c4b15ea8d7da7173be948042b
BGX50AE6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSB008NE2LXXUMA1 Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB012NE2LXIXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D59F589818A11C&compId=BSB012NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=b06e7e426630df7168b8da6aeb6903e969bd1009
BSB012NE2LXIXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB013NE2LXIXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C1FC2A5FA9011C&compId=BSB013NE2LXI-DTE.pdf?ci_sign=aba356e0bd6bc82ad911453ce9c6ebac3f41cad2
BSB013NE2LXIXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3G-DTE.pdf
BSB014N04LX3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3G-DTE.pdf
BSB015N04NX3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB104N08NP3GXUSA1 Infineon-BSB104N08NP3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
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BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3G-DTE.pdf
BSB165N15NZ3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3+G+Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b0b544c3852
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB280N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSC007N04LS6ATMA1 Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LS5I-DTE.pdf
BSC009NE2LS5IATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C232ADC6DE811C&compId=BSC009NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=474c14cd09ac2b54f5c408db185963e09191a5c0
BSC009NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D674C41301011C&compId=BSC010N04LS-DTE.pdf?ci_sign=d42a193b95255dc1f0aefdcdc81acdbfe54a88bf
BSC010N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010N04LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D67EF5A7A1411C&compId=BSC010N04LSI-DTE.pdf?ci_sign=720cdb79dd60710691892f7034e3197c240f61f0
BSC010N04LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD29AC7BFD011C&compId=BSC010NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=4037dffe638488c62f3a77b32205acbf9b96de48
BSC010NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010NE2LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD40EAD5E9A11C&compId=BSC010NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=ab0e926d776d7e5a1947b6a42d0ee3b7e575e2bc
BSC010NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC011N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520
BSC011N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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