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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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AUIRF7379QTR AUIRF7379QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7464F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7379q.pdf?ci_sign=b23d50bc5b963af5978a81d146c110175c10ccaf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38/70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7640s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7647s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7648M2TR AUIRF7648M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7648m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7665S2TR AUIRF7665S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7665s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7669l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7675m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 45W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7737l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7739L2TR AUIRF7739L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7739l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8405 AUIRFB8405 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFB8405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.09 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8407 AUIRFB8407 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBEF63752B5EA&compId=AUIRFB8407.pdf?ci_sign=77c7432b80b269846f5e47385d4aa9b20e3cd3ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8409 AUIRFB8409 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFB8409.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E89CC18E454A143&compId=auirfn7107.pdf?ci_sign=34117ebffd8b16428073bda1d9cdede2ef85df1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 300W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 300W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN8459TR AUIRFN8459TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E89D173ACBD6143&compId=AUIRFN8459.pdf?ci_sign=304ac1cc3debdf638fcaa4718a18ba27a1952b55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540D61F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr024n.pdf?ci_sign=ad8d4298fb54861854d9871cb66091ace3859e24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES auirfr3504.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 150 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4105ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr4105.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR8405TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR9024NTRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8403 AUIRFSL8403 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFSL8403.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; 99W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 99W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBE382C02195EA&compId=AUIRFSL8407.pdf?ci_sign=4c0550a9897f895e27738a49f082a991e26f4267 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44VZS INFINEON TECHNOLOGIES auirfz44vzs.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f03f1507 AUIRFZ44VZS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC7325BAA9773D7&compId=AUIRGP35B60PD.pdf?ci_sign=a814561838fdc4c27889b131942746e92013c0b3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP4062D AUIRGP4062D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC726401B1413D7&compId=AUIRGP4062D.pdf?ci_sign=abe2566713006bbfdcfca57c4d542d338b09fdab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP4066D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGSL4062D1 AUIRGSL4062D1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGx4062D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 72A
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 123W
Gate charge: 77nC
Technology: Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
50+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E85F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl1404s.pdf?ci_sign=b327d0b23e37d769d8b62015833a0041e3f77431 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7732S2TR AUIRL7732S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirl7732s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirl7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRL7766M2TR INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298803-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRL7766M2TR SMD N channel transistors
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AUIRLR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLR2905Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8B1A083EA96143&compId=AUIRLS3034.pdf?ci_sign=ff5db222f1e89365072581b30ecf44c64c41980f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
485+0.15 EUR
510+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
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BA885E6327 BA885E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAx95-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.19...0.45pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1064+0.07 EUR
1087+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1064
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Case: SC79
Capacitance: 0.6...1.4pF
Max. off-state voltage: 35V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
582+0.12 EUR
962+0.07 EUR
1260+0.06 EUR
1707+0.04 EUR
1806+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 582
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BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Mounting: SMD
Case: SC79
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
271+0.26 EUR
339+0.21 EUR
543+0.13 EUR
1011+0.07 EUR
1069+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
311+0.23 EUR
412+0.17 EUR
635+0.11 EUR
827+0.09 EUR
910+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT323; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
435+0.16 EUR
582+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BAR6403WE6327HTSA1 BAR6403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
618+0.12 EUR
667+0.11 EUR
695+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 334
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BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
296+0.24 EUR
384+0.19 EUR
573+0.12 EUR
884+0.08 EUR
933+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Capacitance: 0.5pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 12A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.40 EUR
252+0.28 EUR
353+0.20 EUR
414+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 80ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
177+0.41 EUR
199+0.36 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS116E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
421+0.17 EUR
537+0.13 EUR
767+0.09 EUR
1374+0.05 EUR
1450+0.05 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS116E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bas116series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141c76732b0451 BAS116E6433 SMD universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS12504WH6327XTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
114+0.63 EUR
222+0.32 EUR
235+0.30 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS12507WH6327XTSA1 BAS12507WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS140WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6911 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
277+0.26 EUR
508+0.14 EUR
1137+0.06 EUR
1202+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7CC646E270469&compId=BAS1602VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9415141bb43cbdd448b57243d992c4e3a4580712 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
625+0.11 EUR
807+0.09 EUR
893+0.08 EUR
1064+0.07 EUR
1183+0.06 EUR
1299+0.06 EUR
1374+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 625
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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410+0.17 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13571 Stücke:
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777+0.09 EUR
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1211+0.06 EUR
1306+0.06 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7E23E4A19C469&compId=BAS16SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a904eb5d3264ef100a93b9fe2e434293d824a621 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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417+0.17 EUR
455+0.16 EUR
491+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS170WE6327HTSA1 BAS170WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS170WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3038 Stücke:
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162+0.44 EUR
280+0.26 EUR
377+0.19 EUR
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560+0.13 EUR
889+0.08 EUR
939+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7379QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7464F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7379q.pdf?ci_sign=b23d50bc5b963af5978a81d146c110175c10ccaf
AUIRF7379QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38/70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7640S2TR auirf7640s2.pdf
AUIRF7640S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7647S2TR auirf7647s2.pdf
AUIRF7647S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7648M2TR auirf7648m2.pdf
AUIRF7648M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7665S2TR auirf7665s2.pdf
AUIRF7665S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7669L2TR auirf7669l2.pdf
AUIRF7669L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7675M2TR auirf7675m2.pdf
AUIRF7675M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 45W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7736M2TR auirf7736m2.pdf
AUIRF7736M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7737L2TR auirf7737l2.pdf
AUIRF7737L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7739L2TR auirf7739l2.pdf
AUIRF7739L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8405 AUIRFB8405.pdf
AUIRFB8405
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.09 EUR
14+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8407 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBEF63752B5EA&compId=AUIRFB8407.pdf?ci_sign=77c7432b80b269846f5e47385d4aa9b20e3cd3ad
AUIRFB8407
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8409 AUIRFB8409.pdf
AUIRFB8409
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN7107TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E89CC18E454A143&compId=auirfn7107.pdf?ci_sign=34117ebffd8b16428073bda1d9cdede2ef85df1d
AUIRFN7107TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 300W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 300W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN8459TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E89D173ACBD6143&compId=AUIRFN8459.pdf?ci_sign=304ac1cc3debdf638fcaa4718a18ba27a1952b55
AUIRFN8459TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540D61F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr024n.pdf?ci_sign=ad8d4298fb54861854d9871cb66091ace3859e24
AUIRFR024N
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR3504Z auirfr3504.pdf
AUIRFR3504Z
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 150 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4105ZTRL auirfr4105.pdf
AUIRFR4105ZTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2
AUIRFR5305TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR8405TRL auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR9024NTRL INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8403 AUIRFSL8403.pdf
AUIRFSL8403
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; 99W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 99W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8407 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBE382C02195EA&compId=AUIRFSL8407.pdf?ci_sign=4c0550a9897f895e27738a49f082a991e26f4267
AUIRFSL8407
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44VZS auirfz44vzs.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f03f1507
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFZ44VZS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRG4PH50S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019
AUIRG4PH50S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP35B60PD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC7325BAA9773D7&compId=AUIRGP35B60PD.pdf?ci_sign=a814561838fdc4c27889b131942746e92013c0b3
AUIRGP35B60PD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP4062D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC726401B1413D7&compId=AUIRGP4062D.pdf?ci_sign=abe2566713006bbfdcfca57c4d542d338b09fdab
AUIRGP4062D
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1.pdf
AUIRGP4066D1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGSL4062D1 AUIRGx4062D1.pdf
AUIRGSL4062D1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 72A
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 123W
Gate charge: 77nC
Technology: Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
50+4.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E85F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl1404s.pdf?ci_sign=b327d0b23e37d769d8b62015833a0041e3f77431
AUIRL1404ZSTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7732S2TR auirl7732s2.pdf
AUIRL7732S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7736M2TR auirl7736m2.pdf
AUIRL7736M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7766M2TR INFN-S-A0002298803-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRL7766M2TR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905Z.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLS3034 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8B1A083EA96143&compId=AUIRLS3034.pdf?ci_sign=ff5db222f1e89365072581b30ecf44c64c41980f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 243A; 375W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 243A
Power dissipation: 375W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA592E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA592E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
485+0.15 EUR
510+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA592E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA592E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
485+0.15 EUR
510+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA885E6327 BAx95-DTE.pdf
BA885E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.19...0.45pF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1064+0.07 EUR
1087+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1064
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA89202VH6127XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA89202VH6127XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Case: SC79
Capacitance: 0.6...1.4pF
Max. off-state voltage: 35V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
582+0.12 EUR
962+0.07 EUR
1260+0.06 EUR
1707+0.04 EUR
1806+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 582
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6302VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Mounting: SMD
Case: SC79
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
271+0.26 EUR
339+0.21 EUR
543+0.13 EUR
1011+0.07 EUR
1069+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6303WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6303WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
311+0.23 EUR
412+0.17 EUR
635+0.11 EUR
827+0.09 EUR
910+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6402VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6405WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6405WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT323; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
298+0.24 EUR
435+0.16 EUR
582+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6402VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
650+0.11 EUR
685+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6403WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6403WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
618+0.12 EUR
667+0.11 EUR
695+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6404E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1
BAR6404E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1798 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
296+0.24 EUR
384+0.19 EUR
573+0.12 EUR
884+0.08 EUR
933+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6502VH6327XTSA1 bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Capacitance: 0.5pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR66E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38
BAR66E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 12A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
252+0.28 EUR
353+0.20 EUR
414+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR81WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755
BAR81WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 80ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
177+0.41 EUR
199+0.36 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327.pdf
BAS116E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
421+0.17 EUR
537+0.13 EUR
767+0.09 EUR
1374+0.05 EUR
1450+0.05 EUR
24000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS116E6433HTMA1 bas116series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141c76732b0451
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS116E6433 SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS12504WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00
BAS12504WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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77+0.93 EUR
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BAS12507WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1.pdf
BAS140WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BAS1602VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7CC646E270469&compId=BAS1602VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9415141bb43cbdd448b57243d992c4e3a4580712
BAS1602VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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625+0.11 EUR
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1299+0.06 EUR
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BAS1603WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884
BAS1603WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Anzahl Preis
410+0.17 EUR
895+0.08 EUR
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1200+0.06 EUR
1270+0.06 EUR
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BAS16E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884
BAS16E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13571 Stücke:
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777+0.09 EUR
893+0.08 EUR
1087+0.07 EUR
1211+0.06 EUR
1306+0.06 EUR
1484+0.05 EUR
1573+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 777
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BAS16UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7E23E4A19C469&compId=BAS16SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a904eb5d3264ef100a93b9fe2e434293d824a621
BAS16UE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4750 Stücke:
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417+0.17 EUR
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491+0.15 EUR
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BAS170WE6327HTSA1 BAS170WE6327HTSA1.pdf
BAS170WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Mounting: SMD
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auf Bestellung 3038 Stücke:
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280+0.26 EUR
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466+0.15 EUR
560+0.13 EUR
889+0.08 EUR
939+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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