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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC011N03LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 BSC011N03LSIATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC014NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 BSC014NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC017N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236 BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC018N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N02KSGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N02KS+G+Rev1.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c0dc9c0001&fileId=db3a3043163797a6011637c16cdf0002 BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 BSC019N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC019N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832 BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b BSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC025N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC026N02KS+G+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a3043163797a6011637c2a4280019 BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d BSC026N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3 BSC026NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.80 EUR
31+2.32 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
500+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC031N06NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC032N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
59+1.23 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 BSC032NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 BSC035N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC035N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC039N06NS INFINEON TECHNOLOGIES BSC039N06NS SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC040N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7 BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC042N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC042N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de62ba090366 BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC047N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611 BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0501NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0503NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0504NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 64A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 57W
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC050NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d BSC050NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40 BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC054N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC057N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC057N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274af23bf7 BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC057N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC057N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de68c6ce037a BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC057N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616 BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LS-DTE.pdf
BSC014N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI-DTE.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS-DTE.pdf
BSC014N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSG-DTE.pdf
BSC016N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC016N03MSGATMA1 BSC016N03MSG-DTE.pdf
BSC016N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NS-DTE.pdf
BSC016N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC017N04NSGATMA1 BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSG-DTE.pdf
BSC018N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KS+G+Rev1.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c0dc9c0001&fileId=db3a3043163797a6011637c16cdf0002
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04LSATMA1 Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04NSGATMA1 Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LS-dte.pdf
BSC022N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N02KS+G+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a3043163797a6011637c2a4280019
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC026N04LSATMA1 Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N08NS5ATMA1 Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG-DTE.pdf
BSC027N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NS-DTE.pdf
BSC028N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.80 EUR
31+2.32 EUR
47+1.53 EUR
50+1.44 EUR
500+1.40 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSG-DTE.pdf
BSC030N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSG-DTE.pdf
BSC030N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5-DTE.pdf
BSC030N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1-DTE.pdf
BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3G-DTE.pdf
BSC031N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LS-DTE.pdf
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC032NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NS-DTE.pdf
BSC034N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC035N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5-DTE.pdf
BSC035N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC039N06NS
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC039N06NS SMD N channel transistors
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BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5-DTE.pdf
BSC040N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC042N03LSGATMA1 dgdl?fileId=db3a304319c6f18c0119e17c202f5ff7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC042N03MSGATMA1 Infineon-BSC042N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de62ba090366
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3G_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a5f8baf30c25
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC046N10NS3GATMA1 BSC046N10NS3G.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSI-DTE.pdf
BSC0501NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSI-DTE.pdf
BSC0503NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSI-DTE.pdf
BSC0504NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 64A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSG-DTE.pdf
BSC050N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSG-DTE.pdf
BSC050N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSG-DTE.pdf
BSC050N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 71A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 57W
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 71A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC050NE2LSATMA1 BSC050NE2LS_Rev+2.1_.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb5ce0cb3f2d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC050NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC052N08NS5ATMA1 Infineon-BSC052N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae38fc94f2b40
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSG-DTE.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N03LSGATMA1 Infineon-BSC057N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274af23bf7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC057N03MSGATMA1 Infineon-BSC057N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de68c6ce037a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC057N08NS3GATMA1 BSC057N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae803c9345616
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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