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BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2 BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ019N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ025N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ028N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ034N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2444 Stücke:
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52+1.40 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ042N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0506NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0506NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ058N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ065N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6 BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ068N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ084N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0902NSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308e38cc9c33f9 BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ097N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
89+0.81 EUR
106+0.68 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0994NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9 BSZ0994NS SMD N channel transistors
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BSZ099N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ099N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e5d71c9f4f8e BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
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BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N06LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ105N04NSG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSDSON-8
Gate charge: 13nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ123N08NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ12DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ150N10LS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
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BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370 BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ180P03NS3EGATMA BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ22DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ240N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ240N12NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432a40a650012a42f3057a0038 BSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ340N08NS3G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501206626660b6c72 BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ42DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.84 EUR
68+1.05 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 39
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BSZ520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0dd612226c BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3066 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.15 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSZ900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.02 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
5000+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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43+1.69 EUR
70+1.03 EUR
74+0.97 EUR
5000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LS-DTE.pdf
BSZ025N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LS-DTE.pdf
BSZ028N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LS-DTE.pdf
BSZ034N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSG-DTE.pdf
BSZ035N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSG-DTE.pdf
BSZ035N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSG_rev1.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643b9e30f067b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.40 EUR
93+0.78 EUR
98+0.74 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NS-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSG-DTE.pdf
BSZ050N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSG-DTE.pdf
BSZ050N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LS-DTE.pdf
BSZ065N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ068N06NSATMA1 Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ086P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf
BSZ086P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSG-DTE.pdf
BSZ088N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSG-DTE.pdf
BSZ088N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NS-DTE.pdf
BSZ0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSI-DTE.pdf
BSZ0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308e38cc9c33f9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0994NSATMA1 Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0994NS SMD N channel transistors
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BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ099N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e5d71c9f4f8e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
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BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSG-DTE.pdf
BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG-DTE.pdf
BSZ100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3G-DTE.pdf
BSZ100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NS-DTE.pdf
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSG.pdf
BSZ105N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSDSON-8
Gate charge: 13nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5-DTE.pdf
BSZ110N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3G-DTE.pdf
BSZ123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSG-DTE.pdf
BSZ130N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSG-DTE.pdf
BSZ130N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3G-DTE.pdf
BSZ150N10LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ180P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf
BSZ180P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ240N12NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432a40a650012a42f3057a0038
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon-BSZ340N08NS3G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501206626660b6c72
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.84 EUR
68+1.05 EUR
102+0.71 EUR
107+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0dd612226c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3066 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
100+0.72 EUR
106+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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55+1.32 EUR
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