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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
AIKB40N65DH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW40N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972f3891f03 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW40N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH40N65WR6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKWH40N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63a0e76fd7 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50R500CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Gate charge: 18.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3004TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 400A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 400A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65H5XKSA1 IKW30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ikw30n65h5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector current: 35A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65EL5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector current: 62A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.34 EUR
16+5.55 EUR
20+4.28 EUR
22+3.88 EUR
30+3.65 EUR
60+3.32 EUR
120+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4013SXI-411T INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP50H6327XTSA1 BSP50H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP50H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQE006NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b11f53c1aa7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IQE006NE2LM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c84bdaa41805 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN01N60RC2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ikn01n60rc2-datasheet-en.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V20A-DGQ FM25V20A-DGQ INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DGQ-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V20A-DG FM25V20A-DG INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DG-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V20A-G FM25V20A-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A-DG-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 2Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 256kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V20A-PG INFINEON TECHNOLOGIES FM25V20A_PDIP_RevE_2-9-24.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 795 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V01A-G FM25V01A-G INFINEON TECHNOLOGIES FM25V01A-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; SPI; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V02A-DGQ FM25V02A-DGQ INFINEON TECHNOLOGIES FM25V02A-DGQ-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V10-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBF IRFB7734PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7734PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R022M1HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMT65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b265b71bb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R022CFD7AXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW65R022CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccdff29c02d5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7SXKSA1 IPA60R280P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3c00794f033f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
On-state resistance: 214mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R450P7XKSA1 IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 7.4mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTC011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e988ff2f7436 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG011N08NM5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPTG011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f5c9e7d54 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH04SG60CXKSA2 IDH04SG60CXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDH04SG60C_rev2.2_.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30431f848401011ff4cbbf635316 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 25uA
Max. forward impulse current: 18A
Max. forward voltage: 2.3V
Technology: CoolSiC™; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Case: PG-TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.5 EUR
64+1.34 EUR
69+1.24 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 80nC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
48+1.81 EUR
50+1.74 EUR
52+1.67 EUR
58+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+3 EUR
43+2.01 EUR
52+1.67 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs52n15d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.99 EUR
35+2.5 EUR
36+2.37 EUR
39+2.23 EUR
50+2.14 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.57 EUR
41+2.09 EUR
46+1.89 EUR
51+1.69 EUR
56+1.54 EUR
100+1.39 EUR
250+1.3 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP30E120XKSA1 IDP30E120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP30E120XKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.71 EUR
38+2.25 EUR
44+1.98 EUR
50+1.7 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP18E120XKSA1 IDP18E120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP18E120XKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 18A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.53 EUR
36+2.4 EUR
38+2.3 EUR
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDV15E65D2XKSA1 IDV15E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDV15E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220FP-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW15E65D2FKSA1 IDW15E65D2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW15E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; Ifsm: 100A; TO247-3; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP15E65D2XKSA1 IDP15E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP15E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220-2; tube; 47ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 47ns
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+1.67 EUR
60+1.42 EUR
67+1.29 EUR
83+1.04 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP40E65D2XKSA1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO220-2; tube; 36ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 36ns
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.65 EUR
41+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IDV08E65D2XKSA1 IDV08E65D2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDV08E65D2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 8A; Ifsm: 60A; TO220FP-2; tube; 40ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.12 EUR
87+0.98 EUR
91+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS140WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Produkt ist nicht verfügbar
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4DIR0400HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436 Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0400HXUMA1
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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4DIR0401HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436 Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0401HXUMA1
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IPG20N10S4L22ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IPB35N10S3L26ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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ISC035N10NM5LF2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BGA614H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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TT330N16KOF TT330N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT330N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+411.98 EUR
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TD330N16KOFHPSA2 TD330N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TD330N16KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
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T1330N22TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1330N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08a0734036 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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TD330N16AOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT330N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54 Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TD330N16KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT330N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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TD330N18AOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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S29CD016J0MQFM010 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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BCW68FE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 42000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0812NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0812ND-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3bb3125562b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW40N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972f3891f03
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKFW40N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKWH40N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH40N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63a0e76fd7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CE.pdf
IPD50R500CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Gate charge: 18.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFS3004TRL7PP irfs3004-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563631632147
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 400A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 400A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65H5XKSA1 ikw30n65h5.pdf
IKW30N65H5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector current: 35A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IKW30N65EL5XKSA1 IKW30N65EL5.pdf
IKW30N65EL5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Collector current: 62A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.34 EUR
16+5.55 EUR
20+4.28 EUR
22+3.88 EUR
30+3.65 EUR
60+3.32 EUR
120+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5.pdf
IKW30N65WR5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CY8C4013SXI-411T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP50H6327XTSA1 BSP50H6327XTSA1.pdf
BSP50H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5ATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b08cb821aa4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5CGATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f8b11f53c1aa7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon-IQE006NE2LM5SC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c84bdaa41805
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKN01N60RC2ATMA1 infineon-ikn01n60rc2-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V20A-DGQ FM25V20A-DGQ-DTE.pdf
FM25V20A-DGQ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V20A-DG FM25V20A-DG-DTE.pdf
FM25V20A-DG
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: DFN8
Interface: SPI
Produkt ist nicht verfügbar
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FM25V20A-G FM25V20A-DG-DTE.pdf
FM25V20A-G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 2Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 256kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V20A-PG FM25V20A_PDIP_RevE_2-9-24.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 795 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V01A-G FM25V01A-DTE.pdf
FM25V01A-G
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 128kbFRAM; SPI; 16kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 128kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 16kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V02A-DGQ FM25V02A-DGQ-DTE.pdf
FM25V02A-DGQ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; SPI; 32kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V10-DGTR Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB7734PBF IRFB7734PBF.pdf
IRFB7734PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 183A
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMT65R022M1HXUMA1 Infineon-IMT65R022M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b265b71bb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPW65R022CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R022CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccdff29c02d5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R280P7SXKSA1 Infineon-IPA60R280P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3c00794f033f
IPA60R280P7SXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
On-state resistance: 214mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
IPP80R450P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013
IAUC70N08S5N074ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 7.4mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon-IPTC011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e988ff2f7436
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon-IPTG011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f5c9e7d54
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH04SG60CXKSA2 IDH04SG60C_rev2.2_.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dbeca72db281a&fileId=db3a30431f848401011ff4cbbf635316
IDH04SG60CXKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 25uA
Max. forward impulse current: 18A
Max. forward voltage: 2.3V
Technology: CoolSiC™; SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 25µA
Case: PG-TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+1.5 EUR
64+1.34 EUR
69+1.24 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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IRFI1310NPBF irfi1310n.pdf
IRFI1310NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 45W
Gate charge: 80nC
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+1.94 EUR
48+1.81 EUR
50+1.74 EUR
52+1.67 EUR
58+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+3 EUR
43+2.01 EUR
52+1.67 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFB52N15DPBF irfs52n15d.pdf
IRFB52N15DPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+3.99 EUR
35+2.5 EUR
36+2.37 EUR
39+2.23 EUR
50+2.14 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IRFB7534PBF irfs7534pbf.pdf
IRFB7534PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+2.57 EUR
41+2.09 EUR
46+1.89 EUR
51+1.69 EUR
56+1.54 EUR
100+1.39 EUR
250+1.3 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP30E120XKSA1 IDP30E120XKSA1.pdf
IDP30E120XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.71 EUR
38+2.25 EUR
44+1.98 EUR
50+1.7 EUR
100+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IDP18E120XKSA1 IDP18E120XKSA1.pdf
IDP18E120XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 18A; TO220-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 18A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
auf Bestellung 731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+2.53 EUR
36+2.4 EUR
38+2.3 EUR
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDV15E65D2XKSA1 IDV15E65D2.pdf
IDV15E65D2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220FP-2; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDW15E65D2FKSA1 IDW15E65D2.pdf
IDW15E65D2FKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 30A; Ifsm: 100A; TO247-3; tube
Type of diode: rectifying
Case: TO247-3
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP15E65D2XKSA1 IDP15E65D2.pdf
IDP15E65D2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 100A; TO220-2; tube; 47ns
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 47ns
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+1.67 EUR
60+1.42 EUR
67+1.29 EUR
83+1.04 EUR
100+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP40E65D2XKSA1 IDP40E65D2XKSA1.pdf
IDP40E65D2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 40A; Ifsm: 250A; TO220-2; tube; 36ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 250A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 36ns
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+2.65 EUR
41+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDV08E65D2XKSA1 IDV08E65D2.pdf
IDV08E65D2XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 8A; Ifsm: 60A; TO220FP-2; tube; 40ns
Type of diode: rectifying
Case: TO220FP-2
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 40ns
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+1.12 EUR
87+0.98 EUR
91+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1.pdf
BAS140WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4DIR0400HXUMA1 Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0400HXUMA1
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4DIR0401HXUMA1 Infineon-Datasheet_ISOFACE(TM)_4DIRx4xxH_family-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d01899cc3b5175436
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - Unclassified
Description: 4DIR0401HXUMA1
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22AATMA1 IPG20N10S4L-22A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f76fc25c0a21&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_22-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffbdf9504fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB35N10S3L26ATMA2 Infineon-IPB35N10S3L-26-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC035N10NM5LF2ATMA1 Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA614H6327XTSA1 BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT330N16KOF TT330N16KOF.pdf
TT330N16KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+411.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16KOFHPSA2 TD330N16KOF.pdf
TD330N16KOFHPSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1330N22TOFVTXPSA1 Infineon-T1330N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08a0734036
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16AOFHPSA1 Infineon-TT330N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16KOFTIMHPSA1 Infineon-TT330N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N18AOFHPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29CD016J0MQFM010 download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
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Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW68FE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
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Mindestbestellmenge: 42000 Stücke
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BSG0812NDATMA1 Infineon-BSG0812ND-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3bb3125562b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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