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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC035N10NM5LF2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA614H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TT330N16KOF TT330N16KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT330N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+411.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16KOFHPSA2 TD330N16KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES TD330N16KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1330N22TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T1330N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08a0734036 Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16AOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT330N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54 Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16KOFTIMHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TT330N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N18AOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29CD016J0MQFM010 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
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 Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW68FE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
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 Mindestbestellmenge: 42000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0812NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0812ND-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3bb3125562b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1504WH2110XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-04W-DS-v01_00-EN.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
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 Mindestbestellmenge: 90000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSG0811ND-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 31A
Power dissipation: 6.25W
Case: PG-TISON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0813NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2235JPbF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 1134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2235JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2135JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c890ba169f IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04I06PTXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 13...17.5V
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2085STRPBF IR2085STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Output current: -1...1A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 100V
Power: 1W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2085STRPBFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR2085STR AUIR2085STR INFINEON TECHNOLOGIES auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.43 EUR
56+1.55 EUR
100+1.06 EUR
250+0.92 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R060P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.93 EUR
15+5.74 EUR
17+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa60r060p7-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.41 EUR
15+5.78 EUR
50+5.34 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R060P7 IPA60R060P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R060P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R060P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847PNH6727XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846pn_bc846upn_bc847pn.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca389011542293b9d1733 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP15E65D1XKSA1 IDP15E65D1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDP15E65D1.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 120A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD42DP15LMATMA1 IPD42DP15LMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD42DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde11d69b1bb1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.42Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC16DP15LMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC16DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a9e49c5036e5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ75DP15LMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ75DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185aa002bcd3702 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 SPP15P10PLHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.77 EUR
30+2.93 EUR
34+2.57 EUR
50+1.93 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX70HE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX70HE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3171-24LQXQT CYPD3171-24LQXQT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD(TM)_CCG3PA_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee438366ac0 Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; I2C,SPI,UART,USB 3.0; USB controller; 3.3VDC
Type of integrated circuit: USB interface
Case: QFN24
Interface: I2C; SPI; UART; USB 3.0
Kind of integrated circuit: USB controller
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3V DC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3177-24LQXQT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-32LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_CCG3_USB_Type-C_Controller_with_Power_Delivery-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8b45c5a56 Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-32LQXQT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_CCG3_USB_Type-C_Controller_with_Power_Delivery-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8b45c5a56 Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-40LQXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-40LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD_CCG3_USB_Type-C_Controller_with_Power_Delivery-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8b45c5a56 Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
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 Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
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CYPD3171-24LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EZ-PD(TM)_CCG3PA_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee438366ac0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
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 Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
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BTS50081EKBXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS5008-1EKB-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a85189c1a7779 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
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IKQ100N60TXKSA1 IKQ100N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ100N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 610nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 68ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 321ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ100N60CTXKSA1 AIKQ100N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ100N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 610nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 68ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 321ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
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D3041N65TXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-D3041N-DS-v04_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f9c084c6b Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
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TDB6HK360N16PBOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK360N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee13511f5228 Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; 1.6kV; If: 210A; AG-ECONO4-1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Load current: 210A
Case: AG-ECONO4-1
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 100mA
Version: module
Features of semiconductor devices: with thermistor (NTC)
Max. off-state voltage: 1.6kV
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA041N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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54+1.61 EUR
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IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP04CN10NG.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
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TLD5045EJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD5045EJ.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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TLD5095ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD5095EL_TLD5098EL_Product_Brief.pdf?fileId=db3a30432c59a87e012c5e9d1deb3520 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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TLD5098ELXUMA1 TLD5098ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLD5098EL-Data-Sheet-11-Infineon.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432c59a87e012c5e98d2853514&ack=t Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost,buck,buck-boost,flyback,SEPIC; PG-SSOP-14-EP
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...45V
Type of integrated circuit: driver
Application: automotive industry
Output voltage: 4.5...5.5V
Case: PG-SSOP-14-EP
Frequency: 100...500kHz
Topology: boost; buck; buck-boost; flyback; SEPIC
Mounting: SMD
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD5099EPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD5099EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701fd7e6fc40d4 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3077pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5416H6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp54_bcp55_bcp56.pdf?fileId=db3a304314dca3890115475f01a81a0d Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC857BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
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ISC035N10NM5LF2ATMA1 Infineon-ISC035N10NM5LF2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018be59ac2cd3bef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BGA614H6327XTSA1 BGA614.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418ffd35163a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
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TT330N16KOF TT330N16KOF.pdf
TT330N16KOF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 10kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
auf Bestellung 2 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16KOFHPSA2 TD330N16KOF.pdf
TD330N16KOFHPSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; BG-PB50AT-1; Ufmax: 1.28V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 330A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
T1330N22TOFVTXPSA1 Infineon-T1330N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08a0734036
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 2.2kV; Ifmax: 2.6kA; 1.33kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 1.33kA
Case: TO200AC
Max. forward impulse current: 26.5kA
Gate current: 250mA
Mounting: Press-Pack
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Body dimensions: Ø75/Ø50mm
Max. load current: 2.6kA
Kind of package: in-tray
Type of thyristor: hockey-puck
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16AOFHPSA1 Infineon-TT330N-DataSheet-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N16KOFTIMHPSA1 Infineon-TT330N-DS-v03_04-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0c69cb4f4b54
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 330A; Ufmax: 1.28V; Ifsm: 12.5kA
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 330A
Max. forward voltage: 1.28V
Max. forward impulse current: 12.5kA
Gate current: 200mA
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD330N18AOFHPSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor
Type of semiconductor module: thyristor
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
S29CD016J0MQFM010 download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 56MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 56MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCW68FE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 42000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0812NDATMA1 Infineon-BSG0812ND-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d3bb3125562b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf
BSZ180P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ180P03NS3EGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -39.6A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAT1504WH2110XTSA1 Infineon-BAT15-04W-DS-v01_00-EN.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 90000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811ND-DTE.pdf
BSG0811NDATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 31A; 6.25W; PG-TISON-8-4
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 31A
Power dissipation: 6.25W
Case: PG-TISON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0813NDIATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2235JPbF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2235JTRPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2135JTRPBF Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c890ba169f IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 13...17.5V
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2085STRPBF Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828
IR2085STRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Output current: -1...1A
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 100V
Power: 1W
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Number of channels: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2085STRPBFXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR2085STR auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f
AUIR2085STR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -1...1A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf
IRF7853TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+2.43 EUR
56+1.55 EUR
100+1.06 EUR
250+0.92 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205
IAUC50N08S5L096ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 16A; Idm: 200A; 60W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 60W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB60R060P7ATMA1 IPB60R060P7.pdf
IPB60R060P7ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+6.93 EUR
15+5.74 EUR
17+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R060P7XKSA1 infineon-ipa60r060p7-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.41 EUR
15+5.78 EUR
50+5.34 EUR
100+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA60R060P7 IPA60R060P7.pdf
IPA60R060P7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7.pdf
IPZA60R060P7XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847PNH6727XTSA1 bc846pn_bc846upn_bc847pn.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca389011542293b9d1733
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDP15E65D1XKSA1 IDP15E65D1.pdf
IDP15E65D1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 650V; 15A; Ifsm: 120A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: rectifying
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD42DP15LMATMA1 Infineon-IPD42DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde11d69b1bb1
IPD42DP15LMATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -9A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.42Ω
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC16DP15LMATMA1 Infineon-ISC16DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a9e49c5036e5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ75DP15LMATMA1 Infineon-ISZ75DP15LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185aa002bcd3702
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SPP15P10PLHXKSA1 SPP15P10PLHXKSA1-DTE.pdf
SPP15P10PLHXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.77 EUR
30+2.93 EUR
34+2.57 EUR
50+1.93 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX70HE6327HTSA1 BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCX70HE6433HTMA1 BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
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Mindestbestellmenge: 50000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3171-24LQXQT Infineon-EZ-PD(TM)_CCG3PA_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee438366ac0
CYPD3171-24LQXQT
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; I2C,SPI,UART,USB 3.0; USB controller; 3.3VDC
Type of integrated circuit: USB interface
Case: QFN24
Interface: I2C; SPI; UART; USB 3.0
Kind of integrated circuit: USB controller
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3V DC
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3177-24LQXQT Infineon-EZ-PD_BCR_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller_for_Power_Sinks-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ce9d70ad
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-32LQXQ Infineon-EZ-PD_CCG3_USB_Type-C_Controller_with_Power_Delivery-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8b45c5a56
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-32LQXQT Infineon-EZ-PD_CCG3_USB_Type-C_Controller_with_Power_Delivery-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8b45c5a56
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-40LQXI download
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3135-40LQXQ Infineon-EZ-PD_CCG3_USB_Type-C_Controller_with_Power_Delivery-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8b45c5a56
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CYPD3171-24LQXQ Infineon-EZ-PD(TM)_CCG3PA_Datasheet_USB_Type-C_Port_Controller-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee438366ac0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS50081EKBXUMA1 Infineon-BTS5008-1EKB-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a85189c1a7779
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKQ100N60TXKSA1 IKQ100N60T.pdf
IKQ100N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 610nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 68ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 321ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKQ100N60CTXKSA1 AIKQ100N60CT.pdf
AIKQ100N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 610nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 68ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 321ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
D3041N65TXPSA1 Infineon-D3041N-DS-v04_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f9c084c6b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TDB6HK360N16PBOSA1 Infineon-TDB6HK360N16P-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124ee13511f5228
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; 1.6kV; If: 210A; AG-ECONO4-1
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Load current: 210A
Case: AG-ECONO4-1
Type of bridge rectifier: half-controlled
Gate current: 100mA
Version: module
Features of semiconductor devices: with thermistor (NTC)
Max. off-state voltage: 1.6kV
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NG-DTE.pdf
IPA041N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+2.93 EUR
54+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04NG-DTE.pdf
IPP048N04NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP05CN10NGXKSA1 Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPP04CN10NGXKSA1 IPP04CN10NG.pdf
IPP04CN10NGXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD5045EJXUMA1 TLD5045EJ.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD5095ELXUMA1 TLD5095EL_TLD5098EL_Product_Brief.pdf?fileId=db3a30432c59a87e012c5e9d1deb3520
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD5098ELXUMA1 TLD5098EL-Data-Sheet-11-Infineon.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432c59a87e012c5e98d2853514&ack=t
TLD5098ELXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost,buck,buck-boost,flyback,SEPIC; PG-SSOP-14-EP
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...45V
Type of integrated circuit: driver
Application: automotive industry
Output voltage: 4.5...5.5V
Case: PG-SSOP-14-EP
Frequency: 100...500kHz
Topology: boost; buck; buck-boost; flyback; SEPIC
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TLD5099EPXUMA1 Infineon-TLD5099EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601701fd7e6fc40d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP3077PBF irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 340W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP5416H6433XTMA1 bcp54_bcp55_bcp56.pdf?fileId=db3a304314dca3890115475f01a81a0d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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BC857BE6327HTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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