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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSM200GB60DLC BSM200GB60DLC INFINEON TECHNOLOGIES BSM200GB60DLC.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO033N03MSGXUMA1 BSO033N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F1D7BEDEADE11C&compId=BSO033N03MSG-dte.pdf?ci_sign=5e1efb88a7677ffd6bc07010da9d28e08bc4dde9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA914D705F5351CC&compId=BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF?ci_sign=070dfb264d8f488a2ab88956d2ea39533118f6c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF58F3DF29DF1CC&compId=BSO201SPH-DTE.pdf?ci_sign=bd493f72922d454f140551e0cbd8277f6d58d784 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203PHXUMA1 BSO203PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA915F81DAB191CC&compId=BSO203PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=38ed271d24bb707e96be43cb3cb20d02f55b30a9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203SPHXUMA1 BSO203SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91611F5B4851CC&compId=BSO203SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=f36b40706fda76bb40b78ac4bb21317193f2aadb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
224+0.32 EUR
236+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO303SPHXUMA1 BSO303SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9209F3CB13F1CC&compId=BSO303SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=81198fd7aed0081e5b6b98687ef88223814de38a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO613SPVGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSO613SPVG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae038440c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
94+0.77 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
250+0.45 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6906XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
250+0.57 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.87 EUR
57+1.26 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.62 EUR
60+1.21 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
81+0.89 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
135+0.53 EUR
197+0.36 EUR
213+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
95+0.76 EUR
117+0.61 EUR
163+0.44 EUR
167+0.43 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2 BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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46+1.56 EUR
97+0.74 EUR
106+0.67 EUR
139+0.52 EUR
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BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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27+2.72 EUR
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BSP50H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bsp50_bsp51_bsp52.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445dd10f90189 BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
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BSP603S2L INFINEON TECHNOLOGIES BSP603S2L SMD N channel transistors
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BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP61H6327XTSA1 BSP61H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3 Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
33+2.22 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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BSP742RIXUMA1 BSP742RIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES BSP742T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.22 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.86 EUR
29+2.55 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BSP752T BSP752T INFINEON TECHNOLOGIES BSP752T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSP752TXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
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BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697AB1C4CDAC469&compId=BSP762T.pdf?ci_sign=3e6d8828cac9092b5936c4f21f2326965e7952af Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.20 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-SOT223-4
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.79 EUR
40+1.79 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.53 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.23 EUR
35+2.09 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
32+2.27 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.78 EUR
203+0.35 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
143+0.50 EUR
168+0.43 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
65+1.10 EUR
178+0.40 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72 BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A77D0304ED710B&compId=BSR302NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=bec509c870b45911ebd7f61b3857176c3158df8e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
179+0.40 EUR
221+0.32 EUR
341+0.21 EUR
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1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
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107+0.67 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1 BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 423 Stücke:
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BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2067 Stücke:
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123+0.58 EUR
338+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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155+0.46 EUR
725+0.10 EUR
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9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1668 Stücke:
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278+0.26 EUR
544+0.13 EUR
691+0.10 EUR
802+0.09 EUR
942+0.08 EUR
1539+0.05 EUR
1629+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26539 Stücke:
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295+0.24 EUR
424+0.17 EUR
491+0.15 EUR
785+0.09 EUR
1191+0.06 EUR
1260+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GB60DLC BSM200GB60DLC.pdf
BSM200GB60DLC
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO033N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F1D7BEDEADE11C&compId=BSO033N03MSG-dte.pdf?ci_sign=5e1efb88a7677ffd6bc07010da9d28e08bc4dde9
BSO033N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA914D705F5351CC&compId=BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF?ci_sign=070dfb264d8f488a2ab88956d2ea39533118f6c5
BSO080P03SHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO150N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797
BSO150N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO201SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF58F3DF29DF1CC&compId=BSO201SPH-DTE.pdf?ci_sign=bd493f72922d454f140551e0cbd8277f6d58d784
BSO201SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA915F81DAB191CC&compId=BSO203PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=38ed271d24bb707e96be43cb3cb20d02f55b30a9
BSO203PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91611F5B4851CC&compId=BSO203SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=f36b40706fda76bb40b78ac4bb21317193f2aadb
BSO203SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2
BSO207PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2
BSO211PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
224+0.32 EUR
236+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO220N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8
BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205
BSO301SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO303SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9209F3CB13F1CC&compId=BSO303SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=81198fd7aed0081e5b6b98687ef88223814de38a
BSO303SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO613SPVGXUMA1 Infineon-BSO613SPVG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae038440c
BSO613SPVGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
88+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1719 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
94+0.77 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
250+0.45 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1.pdf
BSP129H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
76+0.94 EUR
250+0.57 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.87 EUR
57+1.26 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.62 EUR
60+1.21 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6906XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
81+0.89 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f
BSP171PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
135+0.53 EUR
197+0.36 EUR
213+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
95+0.76 EUR
117+0.61 EUR
163+0.44 EUR
167+0.43 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
92+0.79 EUR
212+0.34 EUR
224+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 Infineon-BSP316P-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b603f524159c2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
211+0.34 EUR
224+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.15 EUR
154+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
94+0.77 EUR
154+0.47 EUR
163+0.44 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.18 EUR
141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f
BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
46+1.56 EUR
97+0.74 EUR
106+0.67 EUR
139+0.52 EUR
147+0.49 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7
BSP452
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3048 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.08 EUR
27+2.72 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
2000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP50H6327XTSA1 bsp50_bsp51_bsp52.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445dd10f90189
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP603S2L
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP603S2L SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1188 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
72+1.00 EUR
87+0.83 EUR
91+0.79 EUR
92+0.78 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP61H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41BD026CC2469&compId=BSP61H6327XTSA1.pdf?ci_sign=bdb42bb791201e5bc12ff09ef1455f4fa39a9bf3
BSP61H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c
BSP742R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1747 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.39 EUR
33+2.22 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
2500+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742RIXUMA1 Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t
BSP742RIXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742T Power switches - integrated circuits
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+2.22 EUR
50+1.43 EUR
53+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R BSP752R.pdf
BSP752R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.86 EUR
29+2.55 EUR
43+1.67 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752T BSP752T.pdf
BSP752T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752TXUMA1 Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697AB1C4CDAC469&compId=BSP762T.pdf?ci_sign=3e6d8828cac9092b5936c4f21f2326965e7952af
BSP762T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.20 EUR
41+1.77 EUR
43+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4
BSP76E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-SOT223-4
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+2.79 EUR
40+1.79 EUR
69+1.04 EUR
73+0.99 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T BSP772T.pdf
BSP772T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.53 EUR
32+2.25 EUR
34+2.12 EUR
500+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3753 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.23 EUR
35+2.09 EUR
62+1.16 EUR
65+1.10 EUR
2000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb
BSP78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.47 EUR
32+2.27 EUR
53+1.37 EUR
55+1.30 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 343 Stücke:
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Anzahl Preis
93+0.78 EUR
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214+0.33 EUR
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BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
143+0.50 EUR
168+0.43 EUR
197+0.36 EUR
208+0.34 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 14 Stücke:
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Anzahl Preis
14+5.11 EUR
65+1.10 EUR
178+0.40 EUR
10000+0.24 EUR
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BSR202NL6327HTSA1 BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2880 Stücke:
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100+0.72 EUR
258+0.28 EUR
274+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSR302NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A77D0304ED710B&compId=BSR302NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=bec509c870b45911ebd7f61b3857176c3158df8e
BSR302NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2400 Stücke:
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Anzahl Preis
125+0.57 EUR
179+0.40 EUR
221+0.32 EUR
341+0.21 EUR
360+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1.pdf
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
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Anzahl Preis
107+0.67 EUR
169+0.42 EUR
260+0.28 EUR
275+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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BSR802NL6327HTSA1 BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 423 Stücke:
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Anzahl Preis
100+0.72 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2067 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
123+0.58 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
155+0.46 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1668 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
544+0.13 EUR
691+0.10 EUR
802+0.09 EUR
942+0.08 EUR
1539+0.05 EUR
1629+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BSS123NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
424+0.17 EUR
491+0.15 EUR
785+0.09 EUR
1191+0.06 EUR
1260+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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