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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA7DB6BC51B820&compId=AIKQ120N60CT.pdf?ci_sign=b3d260d053566763d4d058bcc2c0c4e1c33ab1e5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA837B61DA3820&compId=AIKW20N60CT.pdf?ci_sign=bc5c3a55a4b42dfdc8268e530996ecdd9600c065 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA88A350E5F820&compId=AIKW30N60CT.pdf?ci_sign=6968bf3033f29af22d372328b518782c7464a095 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA8ECB779AF820&compId=AIKW40N65DF5.pdf?ci_sign=30e5760d338ea5f7c09287ec1f507604de3d7c43 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA097324C1820&compId=AIKW40N65DH5.pdf?ci_sign=eb08576828ba5aea9692fc921bdf5039bc724b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA679466D1820&compId=AIKW50N65DF5.pdf?ci_sign=97e27e3a2e7352d95a29911a7e8d059db1bf6cc4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC3370BE19F8BF&compId=AIKW50N65DH5XKSA1.pdf?ci_sign=bcc286be62106bf26a5c396e0d7ffde52e3a8210 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD099C05C2A047E20E1&compId=AIMW120R045M1.pdf?ci_sign=eb65a8a826fd80ca86266faf7df04256ef0a5a60 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS2051LTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51 AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS2052GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51 AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS6031RTRL INFINEON TECHNOLOGIES auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311 AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS7091GTR AUIPS7091GTR INFINEON TECHNOLOGIES auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS7111STRL INFINEON TECHNOLOGIES auips7111s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c94e1326 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
Kind of package: reel
Operating temperature: -40...150°C
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: D2PAK-5
On-state resistance: 7.5mΩ
Output current: 10A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.5W
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS71451GTR INFINEON TECHNOLOGIES auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332 AUIPS71451GTR Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR2085STR INFINEON TECHNOLOGIES auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f AUIR2085STR MOSFET/IGBT drivers
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3240STR AUIR3240STR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBF3AAF61BAF8BF&compId=AUIR3240S.pdf?ci_sign=7576fdee7207b3be02f35991f19453ba01efc0d4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.3A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4...36V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3241STR AUIR3241STR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFCCE9664BFD3D1&compId=AUIR3241STR.pdf?ci_sign=ab8f41b566193fceae01564ad4999679f389eec2 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3242SXUMA1 AUIR3242SXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBF3D7C4CCD58BF&compId=AUIR3242S.pdf?ci_sign=d75be44e9e78f376970f436c3ecddc58d6354d5a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Voltage class: 40V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3314STRL INFINEON TECHNOLOGIES auir3314.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a846b8134a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 18A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
On-state resistance: 12mΩ
Output current: 18A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Application: automotive industry
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Case: D2PAK-5
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1010ZSTRL AUIRF1010ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4853697639C4A16&compId=auirf1010z.pdf?ci_sign=dd32231763cd3a6e3872bd436d500a04346ee82c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1324S-7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf1324s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8ba81136e AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1324STRL AUIRF1324STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3A3FAA0BC9C7969E4&compId=AUIRF1324STRL.pdf?ci_sign=27b5c15d4666262949c44068c31395577e196a0d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1324WL AUIRF1324WL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F46DF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1324wl.pdf?ci_sign=ee1cb2e176d095f29d80ce110d4f3ed9bce65211 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1404S AUIRF1404S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2804L AUIRF2804L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04DFEC1617BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804.pdf?ci_sign=1a9d3c5de401577578ccc09d152c5c33c6d2dbde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51A6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf2804.pdf?ci_sign=48273ccb52c8944e4920d69227ea85c7a621f551 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3805S-7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf3805s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355aca8a713b3 AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104STRL AUIRF4104STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5255F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf4104.pdf?ci_sign=925a57986ee2188c36cc97181d621bea692e9156 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905S AUIRF4905S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E897E706B82C143&compId=auirf4905s.pdf?ci_sign=b0e4517baaab923e6fdcc43192bce8335138272b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540Z AUIRF540Z INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5278F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf540z.pdf?ci_sign=dcd4031d8e0c9a9a6e63edd15265d106dcb29c64 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D742CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7316q.pdf?ci_sign=af9bd21a38321e4c969ec22e73714e95cc759dd5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7456F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7343q.pdf?ci_sign=5951c580d1ae312f0ff808d6dd1ff22fd4d1e9c4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7379QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7379q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad4d7713e2 AUIRF7379QTR Multi channel transistors
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AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7480F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7640s2.pdf?ci_sign=d080479f8227fc8010aaf755fcbe73634e14b94a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D748EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7647s2.pdf?ci_sign=a5ade660db264cb9e00cb8ccb2dffd04e4723d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7648M2TR AUIRF7648M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D749CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7648m2.pdf?ci_sign=ebc60ccc8adf31a6563568cfeee5902d69161772 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7665S2TR AUIRF7665S2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7665s2.pdf?ci_sign=2dfdc926c8068713a22a7ec5c3a3577b51d331dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74B8F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7669l2.pdf?ci_sign=dbff2b847d938d04165ecc80e0288b271c038e6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7675m2.pdf?ci_sign=6f2fdedd9b7a7dd5fc79b040865f7cc6be687d64 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 45W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7736m2.pdf?ci_sign=b40706946f99bbe0e7b0512c740cc99a0530a4b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74E2F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7737l2.pdf?ci_sign=988a0605716b6ae68df67a927a25574adeb3e3ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7739L2TR AUIRF7739L2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7739l2.pdf?ci_sign=763f17a5c4d0c90cf8f3a4c554ade81af3e0c685 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8405 AUIRFB8405 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBC936327F5EA&compId=AUIRFB8405.pdf?ci_sign=7b480d6d4381ed9eff5cd4a93dd04a3a2f195ed0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
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AUIRFB8407 AUIRFB8407 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBEF63752B5EA&compId=AUIRFB8407.pdf?ci_sign=77c7432b80b269846f5e47385d4aa9b20e3cd3ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8409 AUIRFB8409 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBC0B3419C15EA&compId=AUIRFB8409.pdf?ci_sign=7f12e48652dc15e699fd5e099a6f836db55a2bbf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AUIRFN7107TR INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirfn7107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b15a931436 AUIRFN7107TR SMD N channel transistors
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AUIRFN8459TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444 AUIRFN8459TR SMD N channel transistors
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AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540D61F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr024n.pdf?ci_sign=ad8d4298fb54861854d9871cb66091ace3859e24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFR3504Z.pdf AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
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AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4105ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540E09F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr4105.pdf?ci_sign=6b0de7a9edec38bdda26e5eb1b5e027f4166a6da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AIKQ120N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA7DB6BC51B820&compId=AIKQ120N60CT.pdf?ci_sign=b3d260d053566763d4d058bcc2c0c4e1c33ab1e5
AIKQ120N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Anzahl je Verpackung: 240 Stücke
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AIKW20N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA837B61DA3820&compId=AIKW20N60CT.pdf?ci_sign=bc5c3a55a4b42dfdc8268e530996ecdd9600c065
AIKW20N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW30N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA88A350E5F820&compId=AIKW30N60CT.pdf?ci_sign=6968bf3033f29af22d372328b518782c7464a095
AIKW30N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW40N65DF5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA8ECB779AF820&compId=AIKW40N65DF5.pdf?ci_sign=30e5760d338ea5f7c09287ec1f507604de3d7c43
AIKW40N65DF5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW40N65DH5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA097324C1820&compId=AIKW40N65DH5.pdf?ci_sign=eb08576828ba5aea9692fc921bdf5039bc724b57
AIKW40N65DH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7
AIKW50N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DF5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA679466D1820&compId=AIKW50N65DF5.pdf?ci_sign=97e27e3a2e7352d95a29911a7e8d059db1bf6cc4
AIKW50N65DF5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW50N65DH5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC3370BE19F8BF&compId=AIKW50N65DH5XKSA1.pdf?ci_sign=bcc286be62106bf26a5c396e0d7ffde52e3a8210
AIKW50N65DH5XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIKW75N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40
AIKW75N60CTXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 69ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AIMW120R045M1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD099C05C2A047E20E1&compId=AIMW120R045M1.pdf?ci_sign=eb65a8a826fd80ca86266faf7df04256ef0a5a60
AIMW120R045M1XKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 114W
Case: TO247
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AUIPS2051LTR Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
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AUIPS2052GTR Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
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AUIPS6031RTRL auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
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AUIPS7091GTR auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322
AUIPS7091GTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AUIPS7111STRL auips7111s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c94e1326
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
Kind of package: reel
Operating temperature: -40...150°C
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: D2PAK-5
On-state resistance: 7.5mΩ
Output current: 10A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.5W
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIPS71451GTR auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS71451GTR Power switches - integrated circuits
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AUIR2085STR auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR2085STR MOSFET/IGBT drivers
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AUIR3240STR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBF3AAF61BAF8BF&compId=AUIR3240S.pdf?ci_sign=7576fdee7207b3be02f35991f19453ba01efc0d4
AUIR3240STR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.3A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4...36V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3241STR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFCCE9664BFD3D1&compId=AUIR3241STR.pdf?ci_sign=ab8f41b566193fceae01564ad4999679f389eec2
AUIR3241STR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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AUIR3242SXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBF3D7C4CCD58BF&compId=AUIR3242S.pdf?ci_sign=d75be44e9e78f376970f436c3ecddc58d6354d5a
AUIR3242SXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Output current: 0.2A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Voltage class: 40V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIR3314STRL auir3314.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a846b8134a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 18A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
On-state resistance: 12mΩ
Output current: 18A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Application: automotive industry
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Case: D2PAK-5
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1010ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4853697639C4A16&compId=auirf1010z.pdf?ci_sign=dd32231763cd3a6e3872bd436d500a04346ee82c
AUIRF1010ZSTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1324S-7P auirf1324s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8ba81136e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1324STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3A3FAA0BC9C7969E4&compId=AUIRF1324STRL.pdf?ci_sign=27b5c15d4666262949c44068c31395577e196a0d
AUIRF1324STRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1324WL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F46DF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1324wl.pdf?ci_sign=ee1cb2e176d095f29d80ce110d4f3ed9bce65211
AUIRF1324WL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1404S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1404STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404STRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af
AUIRF1404ZSTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2804L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04DFEC1617BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804.pdf?ci_sign=1a9d3c5de401577578ccc09d152c5c33c6d2dbde
AUIRF2804L
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF2804STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51A6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf2804.pdf?ci_sign=48273ccb52c8944e4920d69227ea85c7a621f551
AUIRF2804STRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3205Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96
AUIRF3205Z
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3710ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed
AUIRF3710ZSTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF3805S-7P auirf3805s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355aca8a713b3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4104STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5255F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf4104.pdf?ci_sign=925a57986ee2188c36cc97181d621bea692e9156
AUIRF4104STRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF4905S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E897E706B82C143&compId=auirf4905s.pdf?ci_sign=b0e4517baaab923e6fdcc43192bce8335138272b
AUIRF4905S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF540Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5278F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf540z.pdf?ci_sign=dcd4031d8e0c9a9a6e63edd15265d106dcb29c64
AUIRF540Z
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7103QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2
AUIRF7103QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.2Ω
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7309QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476
AUIRF7309QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7316QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D742CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7316q.pdf?ci_sign=af9bd21a38321e4c969ec22e73714e95cc759dd5
AUIRF7316QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0
AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7342QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69
AUIRF7342QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7456F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7343q.pdf?ci_sign=5951c580d1ae312f0ff808d6dd1ff22fd4d1e9c4
AUIRF7343QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7379QTR auirf7379q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad4d7713e2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF7379QTR Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7640S2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7480F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7640s2.pdf?ci_sign=d080479f8227fc8010aaf755fcbe73634e14b94a
AUIRF7640S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7647S2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D748EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7647s2.pdf?ci_sign=a5ade660db264cb9e00cb8ccb2dffd04e4723d6b
AUIRF7647S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7648M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D749CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7648m2.pdf?ci_sign=ebc60ccc8adf31a6563568cfeee5902d69161772
AUIRF7648M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7665S2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7665s2.pdf?ci_sign=2dfdc926c8068713a22a7ec5c3a3577b51d331dc
AUIRF7665S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7669L2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74B8F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7669l2.pdf?ci_sign=dbff2b847d938d04165ecc80e0288b271c038e6f
AUIRF7669L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7675M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7675m2.pdf?ci_sign=6f2fdedd9b7a7dd5fc79b040865f7cc6be687d64
AUIRF7675M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 45W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7736M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7736m2.pdf?ci_sign=b40706946f99bbe0e7b0512c740cc99a0530a4b5
AUIRF7736M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7737L2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74E2F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7737l2.pdf?ci_sign=988a0605716b6ae68df67a927a25574adeb3e3ad
AUIRF7737L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7739L2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7739l2.pdf?ci_sign=763f17a5c4d0c90cf8f3a4c554ade81af3e0c685
AUIRF7739L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8405 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBC936327F5EA&compId=AUIRFB8405.pdf?ci_sign=7b480d6d4381ed9eff5cd4a93dd04a3a2f195ed0
AUIRFB8405
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8407 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBEF63752B5EA&compId=AUIRFB8407.pdf?ci_sign=77c7432b80b269846f5e47385d4aa9b20e3cd3ad
AUIRFB8407
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8409 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBC0B3419C15EA&compId=AUIRFB8409.pdf?ci_sign=7f12e48652dc15e699fd5e099a6f836db55a2bbf
AUIRFB8409
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN7107TR INFN-S-A0002298754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirfn7107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b15a931436
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFN7107TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN8459TR auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFN8459TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540D61F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr024n.pdf?ci_sign=ad8d4298fb54861854d9871cb66091ace3859e24
AUIRFR024N
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4105ZTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540E09F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr4105.pdf?ci_sign=6b0de7a9edec38bdda26e5eb1b5e027f4166a6da
AUIRFR4105ZTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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