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AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D742CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7316q.pdf?ci_sign=af9bd21a38321e4c969ec22e73714e95cc759dd5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7456F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7343q.pdf?ci_sign=5951c580d1ae312f0ff808d6dd1ff22fd4d1e9c4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7379QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7379q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad4d7713e2 AUIRF7379QTR Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7480F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7640s2.pdf?ci_sign=d080479f8227fc8010aaf755fcbe73634e14b94a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D748EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7647s2.pdf?ci_sign=a5ade660db264cb9e00cb8ccb2dffd04e4723d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Power dissipation: 41W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7648M2TR AUIRF7648M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D749CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7648m2.pdf?ci_sign=ebc60ccc8adf31a6563568cfeee5902d69161772 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7665S2TR AUIRF7665S2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7665s2.pdf?ci_sign=2dfdc926c8068713a22a7ec5c3a3577b51d331dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74B8F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7669l2.pdf?ci_sign=dbff2b847d938d04165ecc80e0288b271c038e6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Power dissipation: 100W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7675m2.pdf?ci_sign=6f2fdedd9b7a7dd5fc79b040865f7cc6be687d64 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7736m2.pdf?ci_sign=b40706946f99bbe0e7b0512c740cc99a0530a4b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74E2F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7737l2.pdf?ci_sign=988a0605716b6ae68df67a927a25574adeb3e3ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7739L2TR AUIRF7739L2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7739l2.pdf?ci_sign=763f17a5c4d0c90cf8f3a4c554ade81af3e0c685 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8405 AUIRFB8405 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBC936327F5EA&compId=AUIRFB8405.pdf?ci_sign=7b480d6d4381ed9eff5cd4a93dd04a3a2f195ed0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.09 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8407 AUIRFB8407 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBEF63752B5EA&compId=AUIRFB8407.pdf?ci_sign=77c7432b80b269846f5e47385d4aa9b20e3cd3ad Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8409 AUIRFB8409 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBC0B3419C15EA&compId=AUIRFB8409.pdf?ci_sign=7f12e48652dc15e699fd5e099a6f836db55a2bbf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN7107TR INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirfn7107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b15a931436 AUIRFN7107TR SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN8459TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444 AUIRFN8459TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540D61F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr024n.pdf?ci_sign=ad8d4298fb54861854d9871cb66091ace3859e24 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFR3504Z.pdf AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4105ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540E09F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr4105.pdf?ci_sign=6b0de7a9edec38bdda26e5eb1b5e027f4166a6da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR8405TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR9024NTRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8403 INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS18668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRFSL8403 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBE382C02195EA&compId=AUIRFSL8407.pdf?ci_sign=4c0550a9897f895e27738a49f082a991e26f4267 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO262
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44VZS INFINEON TECHNOLOGIES auirfz44vzs.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f03f1507 AUIRFZ44VZS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 227nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC7325BAA9773D7&compId=AUIRGP35B60PD.pdf?ci_sign=a814561838fdc4c27889b131942746e92013c0b3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP4062D AUIRGP4062D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC726401B1413D7&compId=AUIRGP4062D.pdf?ci_sign=abe2566713006bbfdcfca57c4d542d338b09fdab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC70CD4AEA7F3D7&compId=AUIRGP4066D1.pdf?ci_sign=a6e21b67e99cfb2f834c00fbb992bb554353f8e5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 90A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AUIRGSL4062D1 AUIRGSL4062D1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC4A423E6C873D7&compId=AUIRGx4062D1.pdf?ci_sign=af7171373d8d0f811877b4635ab8c5c885c6ede0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Mounting: THT
Turn-on time: 35ns
Gate charge: 77nC
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 72A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Case: TO262
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
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AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E85F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl1404s.pdf?ci_sign=b327d0b23e37d769d8b62015833a0041e3f77431 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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AUIRL7732S2TR AUIRL7732S2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045A07B793EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl7732s2.pdf?ci_sign=ddf47b1ea64ae3b106eec640a657904cc40ff659 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045A07B794CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl7736m2.pdf?ci_sign=396d2e157a61a6f71b207c711048dbabfc61ef07 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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AUIRL7766M2TR AUIRL7766M2TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045A07B795AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl7766m2.pdf?ci_sign=4c325d859c0e4ada8427c9bfb0a836e4c3900005 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 62.5W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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AUIRLR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLR2905Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19250-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRLS3034.pdf AUIRLS3034 SMD N channel transistors
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BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
485+0.15 EUR
515+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
485+0.15 EUR
515+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
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BA885E6327 BA885E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999BC51ABD17E27&compId=BAx95-DTE.pdf?ci_sign=2fc9f1d8e133c7a4c3202608515580a89c97324a Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 0.19...0.45pF
Leakage current: 20nA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1064+0.067 EUR
1087+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 1064
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BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Mounting: SMD
Case: SC79
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: switching
Capacitance: 0.6...1.4pF
Leakage current: 20nA
Reverse recovery time: 120ns
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
582+0.12 EUR
962+0.074 EUR
1260+0.057 EUR
1713+0.042 EUR
1812+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 582
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BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SC79
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
271+0.26 EUR
339+0.21 EUR
543+0.13 EUR
1011+0.071 EUR
1069+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
379+0.19 EUR
428+0.17 EUR
500+0.14 EUR
618+0.12 EUR
820+0.087 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 313
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BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
658+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT323; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
291+0.25 EUR
315+0.23 EUR
353+0.2 EUR
368+0.19 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
658+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209
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BAR6403WE6327HTSA1 BAR6403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
618+0.12 EUR
667+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 334
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BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
296+0.24 EUR
384+0.19 EUR
573+0.12 EUR
884+0.081 EUR
935+0.077 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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BAR6502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Leakage current: 20nA
Load current: 0.1A
Capacitance: 0.5pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 30V
Case: SC79
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
295+0.24 EUR
329+0.22 EUR
385+0.19 EUR
404+0.18 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 239
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BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
177+0.41 EUR
199+0.36 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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BAS116E6327HTSA1 BAS116E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1473 Stücke:
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334+0.21 EUR
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BAS116E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bas116series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141c76732b0451 BAS116E6433 SMD universal diodes
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BAS12504WH6327XTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. off-state voltage: 25V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BAS12507WH6327XTSA1 BAS12507WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF27ED36718469&compId=BAS140WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=b32bb421919227b430b9bf5b53efb00a9a0502fa Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6255 Stücke:
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186+0.39 EUR
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BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7CC646E270469&compId=BAS1602VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9415141bb43cbdd448b57243d992c4e3a4580712 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Max. off-state voltage: 85V
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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AUIRF7316QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D742CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7316q.pdf?ci_sign=af9bd21a38321e4c969ec22e73714e95cc759dd5
AUIRF7316QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7341QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0
AUIRF7341QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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AUIRF7342QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69
AUIRF7342QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.17Ω
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7343QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7456F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7343q.pdf?ci_sign=5951c580d1ae312f0ff808d6dd1ff22fd4d1e9c4
AUIRF7343QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7379QTR auirf7379q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad4d7713e2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF7379QTR Multi channel transistors
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AUIRF7640S2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7480F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7640s2.pdf?ci_sign=d080479f8227fc8010aaf755fcbe73634e14b94a
AUIRF7640S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7647S2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D748EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7647s2.pdf?ci_sign=a5ade660db264cb9e00cb8ccb2dffd04e4723d6b
AUIRF7647S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Power dissipation: 41W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7648M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D749CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7648m2.pdf?ci_sign=ebc60ccc8adf31a6563568cfeee5902d69161772
AUIRF7648M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Power dissipation: 63W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7665S2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7665s2.pdf?ci_sign=2dfdc926c8068713a22a7ec5c3a3577b51d331dc
AUIRF7665S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7669L2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74B8F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7669l2.pdf?ci_sign=dbff2b847d938d04165ecc80e0288b271c038e6f
AUIRF7669L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Power dissipation: 100W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7675M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7675m2.pdf?ci_sign=6f2fdedd9b7a7dd5fc79b040865f7cc6be687d64
AUIRF7675M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7736M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7736m2.pdf?ci_sign=b40706946f99bbe0e7b0512c740cc99a0530a4b5
AUIRF7736M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7737L2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74E2F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7737l2.pdf?ci_sign=988a0605716b6ae68df67a927a25574adeb3e3ad
AUIRF7737L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7739L2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D74FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7739l2.pdf?ci_sign=763f17a5c4d0c90cf8f3a4c554ade81af3e0c685
AUIRF7739L2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8405 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBC936327F5EA&compId=AUIRFB8405.pdf?ci_sign=7b480d6d4381ed9eff5cd4a93dd04a3a2f195ed0
AUIRFB8405
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.09 EUR
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8407 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBBEF63752B5EA&compId=AUIRFB8407.pdf?ci_sign=77c7432b80b269846f5e47385d4aa9b20e3cd3ad
AUIRFB8407
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFB8409 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBC0B3419C15EA&compId=AUIRFB8409.pdf?ci_sign=7f12e48652dc15e699fd5e099a6f836db55a2bbf
AUIRFB8409
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN7107TR INFN-S-A0002298754-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirfn7107.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b15a931436
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFN7107TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFN8459TR auirfn8459.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b189201444
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFN8459TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR024N pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540D61F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr024n.pdf?ci_sign=ad8d4298fb54861854d9871cb66091ace3859e24
AUIRFR024N
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR4105ZTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04594540E09F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr4105.pdf?ci_sign=6b0de7a9edec38bdda26e5eb1b5e027f4166a6da
AUIRFR4105ZTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2
AUIRFR5305TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR8405TRL auirfr8405.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b6216514a5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFR9024NTRL INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8403 IRSDS18668-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFSL8403 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFSL8407 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBE382C02195EA&compId=AUIRFSL8407.pdf?ci_sign=4c0550a9897f895e27738a49f082a991e26f4267
AUIRFSL8407
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO262
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFZ44VZS auirfz44vzs.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f03f1507
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFZ44VZS SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRG4PH50S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB96F76D7618FA40C7&compId=auirg4ph50s.pdf?ci_sign=06bd4ffeec9e52c7556a5dcb27d76d7567cc3019
AUIRG4PH50S
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 227nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP35B60PD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC7325BAA9773D7&compId=AUIRGP35B60PD.pdf?ci_sign=a814561838fdc4c27889b131942746e92013c0b3
AUIRGP35B60PD
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP4062D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC726401B1413D7&compId=AUIRGP4062D.pdf?ci_sign=abe2566713006bbfdcfca57c4d542d338b09fdab
AUIRGP4062D
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGP4066D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC70CD4AEA7F3D7&compId=AUIRGP4066D1.pdf?ci_sign=a6e21b67e99cfb2f834c00fbb992bb554353f8e5
AUIRGP4066D1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 90A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Gate charge: 225nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRGSL4062D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC4A423E6C873D7&compId=AUIRGx4062D1.pdf?ci_sign=af7171373d8d0f811877b4635ab8c5c885c6ede0
AUIRGSL4062D1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Mounting: THT
Turn-on time: 35ns
Gate charge: 77nC
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 72A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Case: TO262
Technology: Trench
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.3 EUR
10+7.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E85F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl1404s.pdf?ci_sign=b327d0b23e37d769d8b62015833a0041e3f77431
AUIRL1404ZSTRL
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7732S2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045A07B793EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl7732s2.pdf?ci_sign=ddf47b1ea64ae3b106eec640a657904cc40ff659
AUIRL7732S2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7736M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045A07B794CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl7736m2.pdf?ci_sign=396d2e157a61a6f71b207c711048dbabfc61ef07
AUIRL7736M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRL7766M2TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045A07B795AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirl7766m2.pdf?ci_sign=4c325d859c0e4ada8427c9bfb0a836e4c3900005
AUIRL7766M2TR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 62.5W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905Z.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRLS3034 IRSDS19250-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRLS3034.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRLS3034 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA592E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA592E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
485+0.15 EUR
515+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA592E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA592E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
335+0.21 EUR
375+0.19 EUR
425+0.17 EUR
485+0.15 EUR
515+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 335
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA885E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999BC51ABD17E27&compId=BAx95-DTE.pdf?ci_sign=2fc9f1d8e133c7a4c3202608515580a89c97324a
BA885E6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Capacitance: 0.19...0.45pF
Leakage current: 20nA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1213 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1064+0.067 EUR
1087+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 1064
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BA89202VH6127XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA89202VH6127XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Mounting: SMD
Case: SC79
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: switching
Capacitance: 0.6...1.4pF
Leakage current: 20nA
Reverse recovery time: 120ns
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2272 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
582+0.12 EUR
962+0.074 EUR
1260+0.057 EUR
1713+0.042 EUR
1812+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 582
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6302VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6302VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SC79
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
271+0.26 EUR
339+0.21 EUR
543+0.13 EUR
1011+0.071 EUR
1069+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6303WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6303WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
379+0.19 EUR
428+0.17 EUR
500+0.14 EUR
618+0.12 EUR
820+0.087 EUR
878+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6402VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
658+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6405WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6405WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT323; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4115 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
291+0.25 EUR
315+0.23 EUR
353+0.2 EUR
368+0.19 EUR
521+0.14 EUR
550+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6402VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6402VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
334+0.21 EUR
556+0.13 EUR
658+0.11 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6403WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6403WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
618+0.12 EUR
667+0.11 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6404E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1
BAR6404E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
296+0.24 EUR
384+0.19 EUR
573+0.12 EUR
884+0.081 EUR
935+0.077 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR6502VH6327XTSA1 bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Leakage current: 20nA
Load current: 0.1A
Capacitance: 0.5pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 30V
Case: SC79
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR66E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38
BAR66E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 150V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4510 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
295+0.24 EUR
329+0.22 EUR
385+0.19 EUR
404+0.18 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAR81WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755
BAR81WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
177+0.41 EUR
199+0.36 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS116E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2B7A6EC270469&compId=BAS116E6327.pdf?ci_sign=da85b30432eb7633a403c2115188b9581afb3d70
BAS116E6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 0.6us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 0.6µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
447+0.16 EUR
556+0.13 EUR
794+0.09 EUR
1374+0.052 EUR
1454+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS116E6433HTMA1 bas116series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141c76732b0451
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS116E6433 SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS12504WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00
BAS12504WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. off-state voltage: 25V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
82+0.87 EUR
94+0.77 EUR
135+0.53 EUR
223+0.32 EUR
235+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS12507WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00
BAS12507WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 25V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 0.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS140WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF27ED36718469&compId=BAS140WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=b32bb421919227b430b9bf5b53efb00a9a0502fa
BAS140WE6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6255 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
274+0.26 EUR
438+0.16 EUR
1137+0.063 EUR
1202+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BAS1602VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7CC646E270469&compId=BAS1602VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9415141bb43cbdd448b57243d992c4e3a4580712
BAS1602VH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Max. off-state voltage: 85V
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
625+0.11 EUR
807+0.089 EUR
893+0.08 EUR
1064+0.067 EUR
1183+0.06 EUR
1303+0.055 EUR
1378+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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