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BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 911 Stücke:
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BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE506FFFB611C&compId=BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf?ci_sign=2eb03ffea6713708ea6c2abffa5148b9ce7c1547 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE9C65B11E11C&compId=BSZ018NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=54744ff0f6629e3500246fd292657e4cc93101aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
77+0.93 EUR
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81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DEF45337FA11C&compId=BSZ018NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=acae32995b5cdedb2f43968670a8e2ecbaebfed6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF2B639A8A11C&compId=BSZ019N03LS-DTE.pdf?ci_sign=b52c6b23a22669ecf0dae412af6ec741297d374d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF4E393A0611C&compId=BSZ025N04LS-DTE.pdf?ci_sign=c7e189cc621b48c52fd66a8f0c37be3c84d10bf3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E01A11A90811C&compId=BSZ035N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=1ba0e64cdb87ea26d109828d06c283da8c193db1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E03DB8287811C&compId=BSZ035N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=b98e83f28ac710aa5ceb6da5acbd2868155cc714 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF54612E1A811C&compId=BSZ036NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=8d8eb52afd67cfbc94e617d39c7e69ebd12fdb56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
92+0.78 EUR
98+0.74 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ042N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0506NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0C9155E0211C&compId=BSZ0506NS-DTE.pdf?ci_sign=732a43a878218d794f7544f1ee6aa17909633f10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ058N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1A9561A7011C&compId=BSZ067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=0f04b9701f32def11c7d73775dd03f2c23e8ccdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1C1ABF3B811C&compId=BSZ068N06NS-DTE.pdf?ci_sign=fa3ecd472cbb88f8d166e7c20f1c2f8d458bfbec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E29716F90411C&compId=BSZ0901NS-DTE.pdf?ci_sign=4bc2b68b35a4fb79500662ffa0065d74a8cb87c4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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BSZ100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb132c97000a BSZ100N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D887E788EC143&compId=BSZ105N04NSG.pdf?ci_sign=f7af05d5643b125769d0c3f54426bbc9fc8e81a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
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BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ12DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E467F845CC11C&compId=BSZ130N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=4efa016b36e3e919650f3576dd46577ae855e941 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E48AE7C69A11C&compId=BSZ130N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=f9ca3856ae6190f72d64bb628930d1076a5f9175 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C0BF1F03B6E469&compId=BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf?ci_sign=f83c7fa189c244298cf4be3af785f8d1245c2942 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ180P03NS3EGATMA BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A7635D7851CC&compId=BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=971d97016924af893a513ca586abb1484fedd47a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A83237A3D1CC&compId=BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf?ci_sign=304a2011c07782bc019c3f0265e7929ef67a4796 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
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BSZ22DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ240N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4064592BE11C&compId=BSZ240N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=8bc4c4584b83edfdf3c81c1c22139f55c4acf4d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
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BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ340N08NS3G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501206626660b6c72 BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ42DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA51E41005A11C&compId=BSZ440N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=346209358a53e8d09666903e8b3a2cdcaef96bb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
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BSS87H6327FTSA1 Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
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BSV236SPH6327XTSA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSZ014NE2LS5IFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE506FFFB611C&compId=BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf?ci_sign=2eb03ffea6713708ea6c2abffa5148b9ce7c1547
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE9C65B11E11C&compId=BSZ018NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=54744ff0f6629e3500246fd292657e4cc93101aa
BSZ018NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4971 Stücke:
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76+0.94 EUR
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100+0.86 EUR
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BSZ018NE2LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DEF45337FA11C&compId=BSZ018NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=acae32995b5cdedb2f43968670a8e2ecbaebfed6
BSZ018NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ019N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF2B639A8A11C&compId=BSZ019N03LS-DTE.pdf?ci_sign=b52c6b23a22669ecf0dae412af6ec741297d374d
BSZ019N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ025N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF4E393A0611C&compId=BSZ025N04LS-DTE.pdf?ci_sign=c7e189cc621b48c52fd66a8f0c37be3c84d10bf3
BSZ025N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ028N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471
BSZ028N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307
BSZ034N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ035N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E01A11A90811C&compId=BSZ035N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=1ba0e64cdb87ea26d109828d06c283da8c193db1
BSZ035N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ035N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E03DB8287811C&compId=BSZ035N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=b98e83f28ac710aa5ceb6da5acbd2868155cc714
BSZ035N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ036NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF54612E1A811C&compId=BSZ036NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=8d8eb52afd67cfbc94e617d39c7e69ebd12fdb56
BSZ036NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ040N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2
BSZ040N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1947 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.33 EUR
65+1.1 EUR
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BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0506NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0C9155E0211C&compId=BSZ0506NS-DTE.pdf?ci_sign=732a43a878218d794f7544f1ee6aa17909633f10
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8
BSZ050N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9
BSZ050N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ065N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870
BSZ065N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ067N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1A9561A7011C&compId=BSZ067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=0f04b9701f32def11c7d73775dd03f2c23e8ccdf
BSZ067N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ068N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1C1ABF3B811C&compId=BSZ068N06NS-DTE.pdf?ci_sign=fa3ecd472cbb88f8d166e7c20f1c2f8d458bfbec
BSZ068N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ084N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410
BSZ086P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7
BSZ086P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a
BSZ088N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995
BSZ088N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E29716F90411C&compId=BSZ0901NS-DTE.pdf?ci_sign=4bc2b68b35a4fb79500662ffa0065d74a8cb87c4
BSZ0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSZ0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSZ0902NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF69D07F63811C&compId=BSZ0902NSI-DTE.PDF?ci_sign=0b340f540cb129b8c2140f98ebd831c45eb7e963
BSZ0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0909NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E2F5FD44F811C&compId=BSZ0909NS-DTE.pdf?ci_sign=2f08ddbecbf859e189004fb9543e95868a6b9f65
BSZ0909NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3171A02F811C&compId=BSZ097N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=96a9ba60dce4f0333f590b7f58775de33fdfe021
BSZ097N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0994NSATMA1 Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0994NS SMD N channel transistors
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BSZ099N06LS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D63D1CCEA8143&compId=BSZ099N06LS5.pdf?ci_sign=b11d7fa82b54145d44aecd821201c4ee5bf74603
BSZ099N06LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E361D77DC011C&compId=BSZ100N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=0aeb2ea04dbf0d85a37550526f88d1a53c2c8176
BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8
BSZ100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb132c97000a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ100N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E418FECF9E11C&compId=BSZ100N06NS-DTE.pdf?ci_sign=2c2fadeec5f1af9aa66da941965b2afe221347ae
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ105N04NSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D887E788EC143&compId=BSZ105N04NSG.pdf?ci_sign=f7af05d5643b125769d0c3f54426bbc9fc8e81a5
BSZ105N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ110N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0
BSZ110N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452
BSZ123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ130N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E467F845CC11C&compId=BSZ130N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=4efa016b36e3e919650f3576dd46577ae855e941
BSZ130N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ130N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E48AE7C69A11C&compId=BSZ130N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=f9ca3856ae6190f72d64bb628930d1076a5f9175
BSZ130N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ150N10LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857
BSZ150N10LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ15DC02KDHXTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C0BF1F03B6E469&compId=BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf?ci_sign=f83c7fa189c244298cf4be3af785f8d1245c2942
BSZ15DC02KDHXTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.1/-3.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ160N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4C62B0C9011C&compId=BSZ160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=2e6ee9257ae56d215ef4850cabfc0283f7a1cc95
BSZ160N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15a835541a6b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A7635D7851CC&compId=BSZ180P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=971d97016924af893a513ca586abb1484fedd47a
BSZ180P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92A83237A3D1CC&compId=BSZ180P03NS3GATMA1-DTE.pdf?ci_sign=304a2011c07782bc019c3f0265e7929ef67a4796
BSZ180P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ240N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4064592BE11C&compId=BSZ240N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=8bc4c4584b83edfdf3c81c1c22139f55c4acf4d1
BSZ240N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
On-state resistance: 24mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon-BSZ340N08NS3G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501206626660b6c72
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15e5a93b1a8b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA51E41005A11C&compId=BSZ440N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=346209358a53e8d09666903e8b3a2cdcaef96bb8
BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
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Anzahl Preis
39+1.84 EUR
68+1.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 39
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