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DSL70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dsl70.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114927dbe551006&fileId=db3a30431441fb5d0114927e397f1007 DSL70E6327HTSA1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.11 EUR
48+1.49 EUR
132+0.54 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ435N40K INFINEON TECHNOLOGIES DZ435N40K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ540N22K DZ540N22K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N22K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 540A
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 0.78V
Semiconductor structure: single diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ540N26K DZ540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N26K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 540A
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.64V
Semiconductor structure: single diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N08K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N08K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+206.09 EUR
6+205.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N12K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N12K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+315.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N16K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N16K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N18K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ950N44K INFINEON TECHNOLOGIES DZ950N44K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: TSSLP-2-4
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Breakdown voltage: 6.1V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 30W
Leakage current: 20nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
323+0.22 EUR
404+0.18 EUR
575+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
1300+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD24VS2UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD24VS2U-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043340fff53013413a2249d2ff3 ESD24VS2UE6327 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
147+0.49 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Max. forward voltage: 1.73V
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: BG-PB60ECO-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Load current: 542A
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418 ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD630N18P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ETT630N18P60-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017931ecaa3c3c8f ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418 ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
 		EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Kit contents: prototype board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+109.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
 		EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L300R07PE4 INFINEON TECHNOLOGIES F3L300R07PE4 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F4150R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES F4150R12KS4BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8 F475R06W1E3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES F4-75R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FB30R06W1E3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD1000R33HE3KBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266 FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD300R06KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7 FD300R06KE3 IGBT modules
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FD300R12KE3HOSA1 FD300R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FD300R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Application: Inverter
Power dissipation: 1.47kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF100R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+158.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KE4P.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT3EHOSA1 FF200R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KT3E.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+140.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018 FF200R17KE4 IGBT modules
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+239.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R06KE3 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R06KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KE3 INFINEON TECHNOLOGIES description FF300R12KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KS4 FF300R12KS4 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KS4-dte.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+262.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KT3E.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R17ME4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R17ME4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R06ME3 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R06ME3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R12KE4-DTE.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF450R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 FF450R33T3E3B5BPSA IGBT modules
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FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
10+66.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF500R17KE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF500R17KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12IE4 INFINEON TECHNOLOGIES FF900R12IE4 IGBT modules
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FF900R12ME7B11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-ECONOD-5
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 6 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1620 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L04B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DSL70E6327HTSA1 dsl70.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114927dbe551006&fileId=db3a30431441fb5d0114927e397f1007
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DSL70E6327HTSA1 Protection diodes - arrays
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.11 EUR
48+1.49 EUR
132+0.54 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N18K DZ1070N28K.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N22K DZ1070N28K.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N26K DZ1070N28K.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ1070N28K DZ1070N28K.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ435N40K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ435N40K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ540N22K DZ540N22K.pdf
DZ540N22K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.2kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 540A
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 0.78V
Semiconductor structure: single diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ540N26K DZ540N26K.pdf
DZ540N26K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 540A; BG-PB501-1; screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 540A
Case: BG-PB501-1
Max. forward impulse current: 16.5kA
Max. forward voltage: 1.64V
Semiconductor structure: single diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Anzahl je Verpackung: 3 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N08K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N08K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+206.09 EUR
6+205.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N12K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N12K Diode modules
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+315.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N16K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N16K Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ600N18K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N18K Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DZ950N44K
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ950N44K Diode modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf
ESD101B102ELSE6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Mounting: SMD
Case: TSSLP-2-4
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Breakdown voltage: 6.1V
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 30W
Leakage current: 20nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
323+0.22 EUR
404+0.18 EUR
575+0.12 EUR
725+0.10 EUR
770+0.09 EUR
1300+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ESD24VS2UE6327HTSA1 Infineon-ESD24VS2U-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043340fff53013413a2249d2ff3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ESD24VS2UE6327 Unidirectional TVS SMD diodes
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.49 EUR
491+0.15 EUR
521+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD540N22P60HPSA1 ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Max. forward voltage: 1.73V
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: BG-PB60ECO-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Load current: 542A
Type of module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD580N16P60HPSA1 Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD630N16P60HPSA1 Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETD630N18P60HPSA1 Infineon-ETT630N18P60-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017931ecaa3c3c8f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT540N22P60HPSA1 Infineon-DS_eTT540N22P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670d4da56a366a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT580N16P60HPSA1 Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ETT630N16P60HPSA1 Infineon-DS_eTT630N16P60-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01668579447e6418
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Kit contents: prototype board
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+109.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F3L300R07PE4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
F3L300R07PE4 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R06W1E3BOMA1 Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
F475R06W1E3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
F475R12KS4BOSA1 F4-75R12KS4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3.pdf
FB30R06W1E3BOMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD300R06KE3HOSA1 Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FD300R06KE3 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FD300R12KE3HOSA1 FD300R12KE3.pdf
FD300R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Application: Inverter
Power dissipation: 1.47kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF100R12RT4HOSA1 Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3.pdf
FF200R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+158.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4P.pdf
FF200R12KE4PHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT3EHOSA1 FF200R12KT3E.pdf
FF200R12KT3EHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4.pdf
FF200R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
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Anzahl Preis
1+140.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF200R17KE4HOSA1 Infineon-FF200R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043293a15c401293a9dbf5e0018
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF200R17KE4 IGBT modules
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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FF300R06KE3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R06KE3 IGBT modules
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FF300R12KE3 description
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R12KE3 IGBT modules
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FF300R12KS4 FF300R12KS4-dte.pdf
FF300R12KS4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+262.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3E.pdf
FF300R12KT3EHOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4.pdf
FF300R12KT4HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF300R17ME4BOSA1 FF300R17ME4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FF450R06ME3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF450R06ME3 IGBT modules
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FF450R12KE4HOSA1 FF450R12KE4-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12KT4HOSA1 FF450R12KT4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF450R33T3E3B5BPSA IGBT modules
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FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
10+66.47 EUR
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FF500R17KE4BOSA1 FF500R17KE4.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF900R12IE4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FF900R12IE4 IGBT modules
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FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-ECONOD-5
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 6 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DG Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Anzahl je Verpackung: 1620 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL16B-DGTR Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM24CL64B-DGTR Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25CL64B-DGTR Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L04B-DGTR Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 4kb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 512x8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 20MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L16B-DG Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L16B-DGTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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