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BSB014N04LX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB014N04LX3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a02c6c737a9b BSB014N04LX3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB015N04NX3GXUMA1 BSB015N04NX3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2093198D6C11C&compId=BSB015N04NX3G-DTE.pdf?ci_sign=b7867ebe58cbd3b3d3056e88f49c277850dedf12 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C21169B999611C&compId=BSB028N06NN3G-DTE.pdf?ci_sign=9f74ee56527681bf6720ac86acff4685671d1a87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 78W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB044N08NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4 BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB056N10NN3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459 BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB104N08NP3GXUSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSB104N08NP3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
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BSB165N15NZ3GXUMA1 BSB165N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB14E6620611C&compId=BSB165N15NZ3G-DTE.pdf?ci_sign=dd418a760ded1deee6217633abfb617c5e3612cb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB280N15NZ3GXUMA1 BSB280N15NZ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB055809EC11C&compId=BSB280N15NZ3G-DTE.pdf?ci_sign=9edfd8e4d09931dafcfcdb3961b4bb1c7e9b77ff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC007N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815 BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5IATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e BSC009NE2LS5IATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d BSC009NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818 BSC010N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 BSC010N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc BSC010N04LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b BSC010NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de BSC010NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 BSC014N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N04LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 BSC014N04LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25F431FB8811C&compId=BSC014N06NS-DTE.pdf?ci_sign=89be9cef3c84b02cc52bd76782f1cbbbafd2f7d6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC014NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1 BSC014NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b BSC016N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC016N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4a19bb0334 BSC016N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC017N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236 BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC018N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808 BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N02KSGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N02KS+G+Rev1.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c0dc9c0001&fileId=db3a3043163797a6011637c16cdf0002 BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4 BSC019N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832 BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC022N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd1094dc481b BSC022N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 BSC022N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC024NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b BSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC025N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N02KSGAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC026N02KS+G+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a3043163797a6011637c2a4280019 BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d BSC026N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026NE2LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3 BSC026NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c BSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC027N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6 BSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC028N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 BSC028N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 BSC030N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359 BSC030N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837 BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf BSC030N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 BSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BEAF574D611C&compId=BSC035N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=362cdea342ed5ee53ab6926db371ba9e4688fe6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC035N10NS5ATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC036NE7NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105 BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E0B3F440811C&compId=BSC037N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=068004eaadd07b73cbe8cb48d01465db41fd351d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC039N06NS BSC039N06NS INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E2FB308FA11C&compId=BSC039N06NS-DTE.pdf?ci_sign=e8ff53d8e981086458ea46f47acf12b3c94b9cae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3_G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a02c6c737a9b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB014N04LX3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB015N04NX3GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2093198D6C11C&compId=BSB015N04NX3G-DTE.pdf?ci_sign=b7867ebe58cbd3b3d3056e88f49c277850dedf12
BSB015N04NX3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C21169B999611C&compId=BSB028N06NN3G-DTE.pdf?ci_sign=9f74ee56527681bf6720ac86acff4685671d1a87
BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 78W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSB044N08NN3GXUMA1 BSB044N08NN3+G_Rev+1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30435819ae2e012e385cde7b70d4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB056N10NN3GXUMA1 BSB056N10NN3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30442e152e91012e390b9a631459
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSB104N08NP3GXUSA1 Infineon-BSB104N08NP3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304341e0aed00141efc548ca1b2b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
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BSB165N15NZ3GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB14E6620611C&compId=BSB165N15NZ3G-DTE.pdf?ci_sign=dd418a760ded1deee6217633abfb617c5e3612cb
BSB165N15NZ3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSB280N15NZ3GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBB055809EC11C&compId=BSB280N15NZ3G-DTE.pdf?ci_sign=9edfd8e4d09931dafcfcdb3961b4bb1c7e9b77ff
BSB280N15NZ3GXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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BSC007N04LS6ATMA1 Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c09a38586234e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5IATMA1 SMD N channel transistors
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BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332d040720132dd4232240e1d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010N04LS6ATMA1 Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC010N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC010N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC010N04LSIATMA1 SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC010NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308d8d1cdf33de
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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BSC011N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C250285237211C&compId=BSC011N03LS-DTE.pdf?ci_sign=8507a022bc1117b9821b6b91046b3e0aa399e520
BSC011N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC011N03LSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d
BSC011N03LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC014N03LSGATMA1 BSC014N03LS_rev1.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a30431be39b97011c23384f5d77fb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N04LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC014N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C25F431FB8811C&compId=BSC014N06NS-DTE.pdf?ci_sign=89be9cef3c84b02cc52bd76782f1cbbbafd2f7d6
BSC014N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093b0024571b1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC016N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N03MSGATMA1 Infineon-BSC016N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4a19bb0334
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC016N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC016N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C26917EEFD011C&compId=BSC016N06NS-DTE.pdf?ci_sign=f270d603e1689ebd89b70b26697c16daf5a93586
BSC016N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC017N04NSGATMA1 BSC017N04NSG_rev1.24.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304318a6cd680118efe5d5a60236
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC019N04LSATMA1 Infineon-BSC019N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424b8aca0c6fc4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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BSC019N04NSGATMA1 Infineon-BSC019N04NSG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c45be78a0832
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BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LS6ATMA1 Infineon-BSC022N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd1094dc481b
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BSC022N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9
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BSC022N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC024NE2LSATMA1 BSC024NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca76f4fe52f6b
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BSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LS_rev1.6.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4274ff53bff
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BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N02KS+G+Rev1.05.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637c252b10018&fileId=db3a3043163797a6011637c2a4280019
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BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N04LSATMA1 Infineon-BSC026N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043410d6ee40141127f49e92b5d
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BSC026N04LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026N08NS5ATMA1 Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0
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BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC026NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c0950eede22f3
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BSC026NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4323646080c
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BSC027N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC027N06LS5ATMA1 Infineon-BSC027N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596e1c881234d6
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BSC027N06LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebafa4c607f8c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9
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22+3.33 EUR
41+1.77 EUR
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BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23
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BSC030N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N03MSGATMA1 Infineon-BSC030N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de605dea0359
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BSC030N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c45f30440837
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BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030N08NS5ATMA1 Infineon-BSC030N08NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014aed52f4210acf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3097 Stücke:
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21+3.5 EUR
46+1.59 EUR
48+1.5 EUR
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BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebaff49fa7fa6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC031N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC032N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1179 Stücke:
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46+1.59 EUR
55+1.32 EUR
73+0.99 EUR
76+0.94 EUR
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC032NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
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BSC034N03LSGATMA1 BSC034N03LS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ed1d7b2011f3ba01de246ef
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSC034N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BC83A04D211C&compId=BSC034N06NS-DTE.pdf?ci_sign=deea794976e163886639f6f5a7407e4daef5c7e1
BSC034N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC035N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BEAF574D611C&compId=BSC035N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=362cdea342ed5ee53ab6926db371ba9e4688fe6e
BSC035N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 92A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 92A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC035N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2C1BE091BC11C&compId=BSC035N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=589da9a4f76ac36f6caf01e2ad3007e47efb0526
BSC035N10NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC036NE7NS3GATMA1 BSC036NE7NS3G_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304332fc1ee7013316e0d2607105
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC037N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E0B3F440811C&compId=BSC037N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=068004eaadd07b73cbe8cb48d01465db41fd351d
BSC037N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC039N06NS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E2FB308FA11C&compId=BSC039N06NS-DTE.pdf?ci_sign=e8ff53d8e981086458ea46f47acf12b3c94b9cae
BSC039N06NS
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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