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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7DD62C61DB10B&compId=BSS225H6327FTSA1.pdf?ci_sign=d1dd1bf6451e98d1f321df5d8a294dd402ce6bc6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
122+0.59 EUR
138+0.52 EUR
145+0.49 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
75000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
147+0.49 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
191+0.37 EUR
911+0.079 EUR
964+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 191
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
217+0.33 EUR
382+0.19 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
603+0.12 EUR
826+0.087 EUR
937+0.076 EUR
1092+0.065 EUR
1475+0.048 EUR
1558+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
191+0.37 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A82953A1E7110B&compId=BSS670S2LH6327XTSA.pdf?ci_sign=2c6f1d2f4b0a50a6adc3480e956cf1183118c3f9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
578+0.12 EUR
673+0.11 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
439+0.16 EUR
933+0.077 EUR
989+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
236+0.3 EUR
278+0.26 EUR
408+0.18 EUR
479+0.15 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
239+0.3 EUR
414+0.17 EUR
675+0.11 EUR
1174+0.061 EUR
1241+0.058 EUR
12000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3059 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
410+0.17 EUR
554+0.13 EUR
626+0.11 EUR
731+0.098 EUR
1211+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
240+0.3 EUR
626+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Gate charge: 0.37nC
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Kind of package: reel
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.29 EUR
348+0.21 EUR
447+0.16 EUR
684+0.1 EUR
916+0.078 EUR
1153+0.062 EUR
1367+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
930+0.077 EUR
1027+0.07 EUR
1534+0.047 EUR
1624+0.044 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
108+0.67 EUR
266+0.27 EUR
283+0.25 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 108
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE506FFFB611C&compId=BSZ014NE2LS5IF-DTE.pdf?ci_sign=2eb03ffea6713708ea6c2abffa5148b9ce7c1547 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DE9C65B11E11C&compId=BSZ018NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=54744ff0f6629e3500246fd292657e4cc93101aa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4971 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
81+0.89 EUR
100+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DEF45337FA11C&compId=BSZ018NE2LSI-DTE.pdf?ci_sign=acae32995b5cdedb2f43968670a8e2ecbaebfed6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF2B639A8A11C&compId=BSZ019N03LS-DTE.pdf?ci_sign=b52c6b23a22669ecf0dae412af6ec741297d374d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF4E393A0611C&compId=BSZ025N04LS-DTE.pdf?ci_sign=c7e189cc621b48c52fd66a8f0c37be3c84d10bf3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E01A11A90811C&compId=BSZ035N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=1ba0e64cdb87ea26d109828d06c283da8c193db1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E03DB8287811C&compId=BSZ035N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=b98e83f28ac710aa5ceb6da5acbd2868155cc714 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF54612E1A811C&compId=BSZ036NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=8d8eb52afd67cfbc94e617d39c7e69ebd12fdb56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ042N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0506NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0C9155E0211C&compId=BSZ0506NS-DTE.pdf?ci_sign=732a43a878218d794f7544f1ee6aa17909633f10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ058N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1A9561A7011C&compId=BSZ067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=0f04b9701f32def11c7d73775dd03f2c23e8ccdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1C1ABF3B811C&compId=BSZ068N06NS-DTE.pdf?ci_sign=fa3ecd472cbb88f8d166e7c20f1c2f8d458bfbec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E29716F90411C&compId=BSZ0901NS-DTE.pdf?ci_sign=4bc2b68b35a4fb79500662ffa0065d74a8cb87c4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E2DE92F81211C&compId=BSZ0901NSI-DTE.pdf?ci_sign=23d3cb631bece38d0324598114c97e0e2008bee0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF64ACBBD5E11C&compId=BSZ0902NS-DTE.pdf?ci_sign=e3f4d546ef7f5a8a7c5a699e1250a82958641a81 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF69D07F63811C&compId=BSZ0902NSI-DTE.PDF?ci_sign=0b340f540cb129b8c2140f98ebd831c45eb7e963 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E2F5FD44F811C&compId=BSZ0909NS-DTE.pdf?ci_sign=2f08ddbecbf859e189004fb9543e95868a6b9f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ096N10LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3171A02F811C&compId=BSZ097N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=96a9ba60dce4f0333f590b7f58775de33fdfe021 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0994NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9 BSZ0994NS SMD N channel transistors
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BSZ099N06LS5ATMA1 BSZ099N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D63D1CCEA8143&compId=BSZ099N06LS5.pdf?ci_sign=b11d7fa82b54145d44aecd821201c4ee5bf74603 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E361D77DC011C&compId=BSZ100N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=0aeb2ea04dbf0d85a37550526f88d1a53c2c8176 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3DAAD43E211C&compId=BSZ100N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=4f5c55c03ed9fd06aee860c65e9b034596f8d145 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E418FECF9E11C&compId=BSZ100N06NS-DTE.pdf?ci_sign=2c2fadeec5f1af9aa66da941965b2afe221347ae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D887E788EC143&compId=BSZ105N04NSG.pdf?ci_sign=f7af05d5643b125769d0c3f54426bbc9fc8e81a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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BSS225H6327FTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7DD62C61DB10B&compId=BSS225H6327FTSA1.pdf?ci_sign=d1dd1bf6451e98d1f321df5d8a294dd402ce6bc6
BSS225H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
138+0.52 EUR
145+0.49 EUR
209+0.34 EUR
221+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
75000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 5645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
147+0.49 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 147
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 8017 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
191+0.37 EUR
911+0.079 EUR
964+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 191
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BSS315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
188+0.38 EUR
217+0.33 EUR
382+0.19 EUR
770+0.093 EUR
820+0.087 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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BSS316NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4873 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
603+0.12 EUR
826+0.087 EUR
937+0.076 EUR
1092+0.065 EUR
1475+0.048 EUR
1558+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BSS606NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
191+0.37 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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BSS670S2LH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A82953A1E7110B&compId=BSS670S2LH6327XTSA.pdf?ci_sign=2c6f1d2f4b0a50a6adc3480e956cf1183118c3f9
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
400+0.18 EUR
578+0.12 EUR
673+0.11 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
439+0.16 EUR
933+0.077 EUR
989+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7301 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
236+0.3 EUR
278+0.26 EUR
408+0.18 EUR
479+0.15 EUR
910+0.079 EUR
962+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
239+0.3 EUR
414+0.17 EUR
675+0.11 EUR
1174+0.061 EUR
1241+0.058 EUR
12000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3059 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
410+0.17 EUR
554+0.13 EUR
626+0.11 EUR
731+0.098 EUR
1211+0.059 EUR
1283+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241
BSS83PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
240+0.3 EUR
626+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Gate charge: 0.37nC
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Kind of package: reel
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11445 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
348+0.21 EUR
447+0.16 EUR
684+0.1 EUR
916+0.078 EUR
1153+0.062 EUR
1367+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90
BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5592 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
930+0.077 EUR
1027+0.07 EUR
1534+0.047 EUR
1624+0.044 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1 Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
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BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
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BSZ018NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSZ018NE2LSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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BSZ019N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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BSZ025N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ028N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471
BSZ028N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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BSZ034N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307
BSZ034N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
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BSZ035N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E01A11A90811C&compId=BSZ035N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=1ba0e64cdb87ea26d109828d06c283da8c193db1
BSZ035N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
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On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
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BSZ035N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E03DB8287811C&compId=BSZ035N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=b98e83f28ac710aa5ceb6da5acbd2868155cc714
BSZ035N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
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On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
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BSZ036NE2LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF54612E1A811C&compId=BSZ036NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=8d8eb52afd67cfbc94e617d39c7e69ebd12fdb56
BSZ036NE2LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 37W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ040N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2
BSZ040N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
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BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TSDSON-8
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On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ050N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0EB1F2E8A11C&compId=BSZ050N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=9f16a7c062b56041a9272d38bed4641b6e009ba8
BSZ050N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ050N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E131A2C06811C&compId=BSZ050N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=2cf09708082e3be57659c3c3e831485885c116b9
BSZ050N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ065N03LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E18BF866E611C&compId=BSZ065N03LS-DTE.pdf?ci_sign=75cbba94d172cc4e8a4d3474d69165678811b870
BSZ065N03LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ067N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1A9561A7011C&compId=BSZ067N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=0f04b9701f32def11c7d73775dd03f2c23e8ccdf
BSZ067N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ068N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1C1ABF3B811C&compId=BSZ068N06NS-DTE.pdf?ci_sign=fa3ecd472cbb88f8d166e7c20f1c2f8d458bfbec
BSZ068N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 46W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ084N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410
BSZ086P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7
BSZ086P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a
BSZ088N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995
BSZ088N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E29716F90411C&compId=BSZ0901NS-DTE.pdf?ci_sign=4bc2b68b35a4fb79500662ffa0065d74a8cb87c4
BSZ0901NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSZ0901NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E2DE92F81211C&compId=BSZ0901NSI-DTE.pdf?ci_sign=23d3cb631bece38d0324598114c97e0e2008bee0
BSZ0901NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF64ACBBD5E11C&compId=BSZ0902NS-DTE.pdf?ci_sign=e3f4d546ef7f5a8a7c5a699e1250a82958641a81
BSZ0902NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DF69D07F63811C&compId=BSZ0902NSI-DTE.PDF?ci_sign=0b340f540cb129b8c2140f98ebd831c45eb7e963
BSZ0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ0909NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E2F5FD44F811C&compId=BSZ0909NS-DTE.pdf?ci_sign=2f08ddbecbf859e189004fb9543e95868a6b9f65
BSZ0909NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 32A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3171A02F811C&compId=BSZ097N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=96a9ba60dce4f0333f590b7f58775de33fdfe021
BSZ097N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
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BSZ0994NSATMA1 Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0994NS SMD N channel transistors
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BSZ099N06LS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D63D1CCEA8143&compId=BSZ099N06LS5.pdf?ci_sign=b11d7fa82b54145d44aecd821201c4ee5bf74603
BSZ099N06LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.9nC
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BSZ100N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E361D77DC011C&compId=BSZ100N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=0aeb2ea04dbf0d85a37550526f88d1a53c2c8176
BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8
BSZ100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3DAAD43E211C&compId=BSZ100N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=4f5c55c03ed9fd06aee860c65e9b034596f8d145
BSZ100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E418FECF9E11C&compId=BSZ100N06NS-DTE.pdf?ci_sign=2c2fadeec5f1af9aa66da941965b2afe221347ae
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ105N04NSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D887E788EC143&compId=BSZ105N04NSG.pdf?ci_sign=f7af05d5643b125769d0c3f54426bbc9fc8e81a5
BSZ105N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ110N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0
BSZ110N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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