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BSC0902NSATMA1 BSC0902NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
81+0.89 EUR
95+0.76 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
120+0.6 EUR
156+0.46 EUR
172+0.42 EUR
174+0.41 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
73+0.99 EUR
100+0.72 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875FD67236411C&compId=BSC090N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=ea99c605e8422443863bc8a357a12a0d7e06b5ce Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0911NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0923NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6 BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0924NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5 BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0925NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
116+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387970BDE37411C&compId=BSC097N06NS-DTE.pdf?ci_sign=c5a024af0890efb681719e6169d21bdfa1fda0cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38C25CDBE7C611C&compId=BSC100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=d3a515f2e8fe5598d360f552b9155b246cfe36f8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D78CCFF2B411C&compId=BSC105N10LSFG-DTE.pdf?ci_sign=32f6b127d23e115ccf0cd1ecc059a3e7f4f9f4b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D950ECCBD011C&compId=BSC109N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=73b03e08e383856ad99c6b662e0bfa1e3d0a5de9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D96AA8069611C&compId=BSC110N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=00f412b49613db1927099a64c96e7667ef282ced Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 304A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9A69886D211C&compId=BSC117N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=23efda944c0554f017e600157a0f280e1d331efa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.7mΩ
Drain current: 49A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9DCDB846011C&compId=BSC118N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=677f6c93c2498a7ba9596957c0f0ef730c263662 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.8mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA054235A211C&compId=BSC120N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=946238703efb8cfb797f73bad01e4f824095455e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA2C2B695E11C&compId=BSC120N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=1534942e68b54aa8c7996b16f304df746fc732c3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA96CD3C5811C&compId=BSC123N10LSG-DTE.pdf?ci_sign=502e468ba211a3d90ef62890cb82e0b16657e541 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6CDBBD7E411C&compId=BSC12DN20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=a25373e9ee75a46b52f6339ff91ce7cebfbad060 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAF9708D3411C&compId=BSC160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=40b99f03d0385a774315a98299c6b275c55d6333 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6DE8A553411C&compId=BSC16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=da8a4c7c5c75536fe143cf3873658d8ba84f863b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC63B17224A11C&compId=BSC190N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=350ea8f47ffd494294b14350634a85a9fee75355 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Drain-source voltage: 120V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
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BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB2068F3D811C&compId=BSC196N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=da8b6e507176b595fdb7cb5dc1e045ec2ef98bb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19.6mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
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BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122eee57d9b21a4 BSC520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC676E823AC11C&compId=BSC600N25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=586e61468ef9e8c313700749d2475982e9c3a33e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA912F8CFA5C11CC&compId=BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=7da60d03f8b4e52d7093e7914fc63ed040d189c3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
404+0.18 EUR
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511+0.14 EUR
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705+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
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BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 BSD235CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
554+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
231+0.31 EUR
329+0.22 EUR
385+0.19 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DD43E8B0B611C&compId=BSF030NE2LQ-DTE.pdf?ci_sign=83d617e18df81d97996f9a89515ba09e8545e192 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSF035NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
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BSF134N10NJ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834 BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
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BSF450NE7NH3XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSF450NE7NH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a687e2ae403da BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
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BSG0811NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
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BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
119+0.6 EUR
217+0.33 EUR
230+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL214N.pdf BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
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BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SN.pdf BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
136+0.53 EUR
178+0.4 EUR
327+0.22 EUR
348+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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BSC0902NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875541E9DFA11C&compId=BSC0902NS-DTE.pdf?ci_sign=203977e4a66c3f26c2bd7c796245641d42955b1d
BSC0902NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 91A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 91A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38756DA3E34011C&compId=BSC0902NSI-DTE.pdf?ci_sign=63f92bce853f2e97e3e40f57262a8a89d6710ac4
BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4535 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
73+0.98 EUR
81+0.89 EUR
95+0.76 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0904NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38758E954B4211C&compId=BSC0904NSI-DTE.pdf?ci_sign=e9c94f7c05748051f1ed689d5cad20d2a4808e92
BSC0904NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
120+0.6 EUR
156+0.46 EUR
172+0.42 EUR
174+0.41 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348
BSC0909NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
100+0.72 EUR
227+0.32 EUR
240+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC090N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875FD67236411C&compId=BSC090N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=ea99c605e8422443863bc8a357a12a0d7e06b5ce
BSC090N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0911NDATMA1 Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0923NDIATMA1 Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0924NDIATMA1 Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0925NDATMA1 Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e
BSC093N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
116+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC097N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387970BDE37411C&compId=BSC097N06NS-DTE.pdf?ci_sign=c5a024af0890efb681719e6169d21bdfa1fda0cf
BSC097N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38C25CDBE7C611C&compId=BSC100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=d3a515f2e8fe5598d360f552b9155b246cfe36f8
BSC100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3630 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
167+0.43 EUR
176+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC105N10LSFGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D78CCFF2B411C&compId=BSC105N10LSFG-DTE.pdf?ci_sign=32f6b127d23e115ccf0cd1ecc059a3e7f4f9f4b8
BSC105N10LSFGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC109N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D950ECCBD011C&compId=BSC109N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=73b03e08e383856ad99c6b662e0bfa1e3d0a5de9
BSC109N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 10.9mΩ
Drain current: 63A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N06NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D96AA8069611C&compId=BSC110N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=00f412b49613db1927099a64c96e7667ef282ced
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Drain current: 48A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 304A
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC117N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9A69886D211C&compId=BSC117N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=23efda944c0554f017e600157a0f280e1d331efa
BSC117N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.7mΩ
Drain current: 49A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC118N10NSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9DCDB846011C&compId=BSC118N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=677f6c93c2498a7ba9596957c0f0ef730c263662
BSC118N10NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11.8mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA054235A211C&compId=BSC120N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=946238703efb8cfb797f73bad01e4f824095455e
BSC120N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 33A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC120N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA2C2B695E11C&compId=BSC120N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=1534942e68b54aa8c7996b16f304df746fc732c3
BSC120N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e
BSC123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N10LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA96CD3C5811C&compId=BSC123N10LSG-DTE.pdf?ci_sign=502e468ba211a3d90ef62890cb82e0b16657e541
BSC123N10LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 71A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 114W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC12DN20NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6CDBBD7E411C&compId=BSC12DN20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=a25373e9ee75a46b52f6339ff91ce7cebfbad060
BSC12DN20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC160N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAF9708D3411C&compId=BSC160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=40b99f03d0385a774315a98299c6b275c55d6333
BSC160N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC16DN25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6DE8A553411C&compId=BSC16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=da8a4c7c5c75536fe143cf3873658d8ba84f863b
BSC16DN25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC63B17224A11C&compId=BSC190N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=350ea8f47ffd494294b14350634a85a9fee75355
BSC190N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 69W
Drain-source voltage: 120V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86
BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1739 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC196N10NSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB2068F3D811C&compId=BSC196N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=da8b6e507176b595fdb7cb5dc1e045ec2ef98bb3
BSC196N10NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19.6mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 78W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC66C4BACBC11C&compId=BSC320N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=e94621bff73781cfbc11529d93a3f916a241adb4
BSC320N20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
93+0.77 EUR
118+0.61 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929
BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122eee57d9b21a4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC600N25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC676E823AC11C&compId=BSC600N25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=586e61468ef9e8c313700749d2475982e9c3a33e
BSC600N25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD214SNH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564
BSD214SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA912F8CFA5C11CC&compId=BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=7da60d03f8b4e52d7093e7914fc63ed040d189c3
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
511+0.14 EUR
658+0.11 EUR
705+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD235CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1
BSD235NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
554+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
231+0.31 EUR
329+0.22 EUR
385+0.19 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF030NE2LQXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DD43E8B0B611C&compId=BSF030NE2LQ-DTE.pdf?ci_sign=83d617e18df81d97996f9a89515ba09e8545e192
BSF030NE2LQXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF035NE2LQXUMA1 Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 Infineon-BSF450NE7NH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a687e2ae403da
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363
BSL207SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
119+0.6 EUR
217+0.33 EUR
230+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL214NH6327XTSA1 BSL214N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SN.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
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