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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.5 EUR
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 BSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.4 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC080N03MSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
144+0.5 EUR
155+0.46 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 BSC0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
120+0.6 EUR
156+0.46 EUR
174+0.41 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.05 EUR
226+0.32 EUR
240+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
128+0.56 EUR
132+0.54 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
76+0.94 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
250+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
122+0.59 EUR
131+0.55 EUR
139+0.51 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
150+0.48 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
296+0.24 EUR
428+0.17 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
204+0.35 EUR
236+0.3 EUR
348+0.21 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
329+0.22 EUR
400+0.18 EUR
454+0.16 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
305+0.23 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
618+0.12 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
194+0.37 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C25C1489EFE469&compId=BSL215CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a00f3acfd22f79b2d11b8c2d73959540f65466f Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
201+0.36 EUR
207+0.35 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
197+0.36 EUR
250+0.32 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
137+0.52 EUR
194+0.37 EUR
223+0.32 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.6 EUR
172+0.42 EUR
211+0.34 EUR
400+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
385+0.19 EUR
407+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
98+0.74 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
88+0.82 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO207PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
114+0.63 EUR
147+0.49 EUR
164+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
200+0.66 EUR
250+0.64 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
200+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
128+0.56 EUR
145+0.5 EUR
200+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.19 EUR
119+0.6 EUR
155+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
93+0.77 EUR
130+0.55 EUR
150+0.48 EUR
157+0.46 EUR
200+0.42 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
268+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
136+0.53 EUR
200+0.46 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
182+0.39 EUR
205+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
229+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9219ACB51A51CC&compId=BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=a936721dcc5d1bbb427c56fd5eca3034a2449eee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
118+0.61 EUR
131+0.55 EUR
148+0.48 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP324H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
141+0.51 EUR
159+0.45 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.17 EUR
186+0.39 EUR
197+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
115+0.63 EUR
124+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES BSP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
28+2.6 EUR
100+2.04 EUR
250+1.84 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.13 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
100+1.57 EUR
250+1.4 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.5 EUR
250+1.33 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 52V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
100+1.83 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
28+2.62 EUR
100+2.04 EUR
250+1.83 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
100+2.27 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.29 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
35+2.1 EUR
38+1.9 EUR
100+1.62 EUR
250+1.43 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
184+0.39 EUR
212+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
397+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
134+0.54 EUR
187+0.38 EUR
216+0.33 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
194+0.37 EUR
244+0.29 EUR
272+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1 BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
123+0.58 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
87+0.83 EUR
336+0.21 EUR
355+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
291+0.25 EUR
705+0.1 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 291
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC028N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C290BBFAA9011C&compId=BSC028N06NS-DTE.pdf?ci_sign=9bc8eb8beb6cd7c1675a2c5290d0356c5055d7c0
BSC028N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2099 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
29+2.5 EUR
41+1.74 EUR
50+1.43 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030P03NS3GAUMA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
67+1.07 EUR
71+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC032N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed
BSC032N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
61+1.19 EUR
69+1.04 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC080N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A387420481F9A11C&compId=BSC080N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=67d4652ce5e7611550106b6c964b5ad6af114d39
BSC080N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
144+0.5 EUR
155+0.46 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
95+0.76 EUR
100+0.72 EUR
103+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0906NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719
BSC0906NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
120+0.6 EUR
156+0.46 EUR
174+0.41 EUR
190+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.05 EUR
226+0.32 EUR
240+0.3 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3712 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
128+0.56 EUR
132+0.54 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3G.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2231 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
76+0.94 EUR
87+0.83 EUR
106+0.68 EUR
250+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e
BSC123N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
122+0.59 EUR
131+0.55 EUR
139+0.51 EUR
250+0.48 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC190N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86
BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1688 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458
BSC340N08NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
112+0.64 EUR
150+0.48 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
296+0.24 EUR
428+0.17 EUR
506+0.14 EUR
603+0.12 EUR
695+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
204+0.35 EUR
236+0.3 EUR
348+0.21 EUR
410+0.17 EUR
589+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1
BSD235NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
329+0.22 EUR
400+0.18 EUR
454+0.16 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
305+0.23 EUR
435+0.16 EUR
506+0.14 EUR
618+0.12 EUR
705+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
194+0.37 EUR
250+0.32 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE594C25C1489EFE469&compId=BSL215CH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a00f3acfd22f79b2d11b8c2d73959540f65466f
BSL215CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
152+0.47 EUR
201+0.36 EUR
207+0.35 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1081 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
144+0.5 EUR
197+0.36 EUR
250+0.32 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
87+0.83 EUR
137+0.52 EUR
194+0.37 EUR
223+0.32 EUR
262+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794
BSL308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
172+0.42 EUR
211+0.34 EUR
400+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
385+0.19 EUR
407+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
98+0.74 EUR
244+0.29 EUR
260+0.28 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
88+0.82 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 88
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1-dte.pdf
BSO207PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
225+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
114+0.63 EUR
147+0.49 EUR
164+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
120+0.6 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 105
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
77+0.93 EUR
92+0.78 EUR
100+0.72 EUR
200+0.66 EUR
250+0.64 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 794 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
107+0.67 EUR
200+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1442 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
94+0.76 EUR
128+0.56 EUR
145+0.5 EUR
200+0.44 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.19 EUR
119+0.6 EUR
155+0.46 EUR
250+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104
BSP295H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 786 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
69+1.04 EUR
93+0.77 EUR
130+0.55 EUR
150+0.48 EUR
157+0.46 EUR
200+0.42 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
268+0.27 EUR
277+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7214F38BEF10B&compId=BSP297H6327XTSA1.pdf?ci_sign=23b9a20498581d88c935bfc368a9b586ce7536a7
BSP297H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
96+0.75 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
136+0.53 EUR
200+0.46 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
131+0.55 EUR
164+0.44 EUR
182+0.39 EUR
205+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
229+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP317PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9219ACB51A51CC&compId=BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=a936721dcc5d1bbb427c56fd5eca3034a2449eee
BSP317PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2429 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
95+0.76 EUR
140+0.51 EUR
250+0.44 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP322PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3
BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
71+1.02 EUR
118+0.61 EUR
131+0.55 EUR
148+0.48 EUR
250+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 71
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1.pdf
BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
106+0.68 EUR
141+0.51 EUR
159+0.45 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 851 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.17 EUR
186+0.39 EUR
197+0.36 EUR
2000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f
BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1919 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
104+0.69 EUR
115+0.63 EUR
124+0.58 EUR
250+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 BSP452.pdf
BSP452
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2233 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
28+2.6 EUR
100+2.04 EUR
250+1.84 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c
BSP742R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
100+1.57 EUR
250+1.4 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de
BSP742T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.5 EUR
250+1.33 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5
BSP752R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 52V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
100+1.83 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T BSP762T.pdf
BSP762T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
28+2.62 EUR
100+2.04 EUR
250+1.83 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4
BSP76E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f
BSP772T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
100+2.27 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79
BSP77E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.29 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
35+2.1 EUR
38+1.9 EUR
100+1.62 EUR
250+1.43 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
184+0.39 EUR
212+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
397+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
134+0.54 EUR
187+0.38 EUR
216+0.33 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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BSR316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
194+0.37 EUR
244+0.29 EUR
272+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2346 Stücke:
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Anzahl Preis
123+0.58 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 123
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 478 Stücke:
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87+0.83 EUR
336+0.21 EUR
355+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 87
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3807 Stücke:
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291+0.25 EUR
705+0.1 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
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