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BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1DB36696E11C&compId=BSZ075N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=ea14860559aa7e61c2d27222f8be8bf43b4b6c42 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f20f7321863dd BSZ0901NSATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0901NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f2550ff441cf9 BSZ0901NSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0902NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0902NSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308e38cc9c33f9 BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408 BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ096N10LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0994NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9 BSZ0994NS SMD N channel transistors
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BSZ099N06LS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ099N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e5d71c9f4f8e BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
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BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E361D77DC011C&compId=BSZ100N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=0aeb2ea04dbf0d85a37550526f88d1a53c2c8176 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3DAAD43E211C&compId=BSZ100N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=4f5c55c03ed9fd06aee860c65e9b034596f8d145 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E418FECF9E11C&compId=BSZ100N06NS-DTE.pdf?ci_sign=2c2fadeec5f1af9aa66da941965b2afe221347ae Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ105N04NSGATMA1 BSZ105N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D887E788EC143&compId=BSZ105N04NSG.pdf?ci_sign=f7af05d5643b125769d0c3f54426bbc9fc8e81a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ123N08NS3G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e5ec96fdc0a00 BSZ123N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ12DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ130N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc BSZ130N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ130N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321 BSZ130N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370 BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4361A78EA11C&compId=BSZ16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1725697285a132145f60b7ce4ef14c6e8c925a67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES BSZ180P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ180P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1 BSZ180P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ22DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ240N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4064592BE11C&compId=BSZ240N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=8bc4c4584b83edfdf3c81c1c22139f55c4acf4d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ340N08NS3G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501206626660b6c72 BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC5D8650BC411C&compId=BSZ42DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=d9b9070310c5f75946aca5576d4f831b39aa87a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.425Ω
Power dissipation: 33.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA51E41005A11C&compId=BSZ440N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=346209358a53e8d09666903e8b3a2cdcaef96bb8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
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39+1.84 EUR
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BSZ520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0dd612226c BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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55+1.32 EUR
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BTF3035EJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTF3035EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01659e9ffc560e7d BTF3035EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
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BTF3050EJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTF3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01659ea007020e80 BTF3050EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
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BTF3080EJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BEF76602B68740C4&compId=BTF3080EJ.pdf?ci_sign=4917fbb88a9b9364cdde55b74718b3188d1ca5f3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Mounting: SMD
Case: PG-TDSO-8-31
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
On-state resistance: 71mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Power dissipation: 1.44W
Output current: 3A
Supply voltage: 3...5.5V DC
Kind of output: N-Channel
Output voltage: 40V
Kind of integrated circuit: low-side
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BTF3125EJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTF3125EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01659eb23ff20e86 BTF3125EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
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BTF50060-1TEA INFINEON TECHNOLOGIES BTF50060-1TEA Power switches - integrated circuits
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BTN8962TAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t BTN8962TAAUMA1 Motor and PWM drivers
auf Bestellung 624 Stücke:
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12+6.21 EUR
16+4.56 EUR
17+4.3 EUR
200+4.26 EUR
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BTS117BKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc BTS117BKSA1 Power switches - integrated circuits
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BTS118D BTS118D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FF4787C35DE4745&compId=BTS118D.pdf?ci_sign=9b9db2d4e2b7ee7d791f6da8d36a09917897c1ff Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 21W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BTS133BKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS133-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa335436b0fae BTS133BKSA1 Power switches - integrated circuits
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BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697B83D3C892469&compId=BTS134D.pdf?ci_sign=279382de0641561c09d83bf152f00a64c4ac44ed Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.93 EUR
28+2.59 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BTS142D BTS142D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697BAA6861D4469&compId=BTS142D.pdf?ci_sign=18ccc82bc95d63c9b532c3b881e9cfeaef927a86 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Mounting: SMD
Case: TO252-3
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 59W
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
On-state resistance: 23mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 4.6A
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.97 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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BTS244ZE3043AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BTS244Z Power switches - integrated circuits
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BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BDBC4CB4FAEB3D7&compId=BTS282Z.pdf?ci_sign=79ed465bde4ec9f1be59da5cdcf7bae313c59062 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...175°C
Number of channels: 1
Output current: 36A
Output voltage: 49V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.11 EUR
13+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BDBC4CB4FAEB3D7&compId=BTS282Z.pdf?ci_sign=79ed465bde4ec9f1be59da5cdcf7bae313c59062 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
On-state resistance: 6.5mΩ
Output current: 36A
Number of channels: 1
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.02 EUR
12+6.22 EUR
13+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BTS3035EJ BTS3035EJ INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB541665492749&compId=BTS3035EJ.pdf?ci_sign=eb8aa60fb56b1ae50c345cbfb20b45b1de9f9ace Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3035TF BTS3035TF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AC27C82481C749&compId=BTS3035TF.pdf?ci_sign=b9e50ab739c8031922b9b9606b4a7ab5f5a679d1 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
36+2.03 EUR
39+1.86 EUR
41+1.74 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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BTS3050EJ BTS3050EJ INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB99598EF12749&compId=BTS3050EJ.pdf?ci_sign=89d5832899019faccad3ed7558afa1e764f18f05 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3050TF INFINEON TECHNOLOGIES BTS3050TF Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ075N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1DB36696E11C&compId=BSZ075N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=ea14860559aa7e61c2d27222f8be8bf43b4b6c42
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ084N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E1FC933E9011C&compId=BSZ084N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=3fec2ef640d7d5459287142b23f75e308e399b08
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3EGATMA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9292ADCD3BB1CC&compId=BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf?ci_sign=69c493c9f9525a42e6ae68c562c52c19e9d62410
BSZ086P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ086P03NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9293DA246CB1CC&compId=BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf?ci_sign=d98c1dc5ac6383467a461262b29e3d9e0acd7ad7
BSZ086P03NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E269AB1C6011C&compId=BSZ088N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=3b3d13f98dd8170a53c03e2f4d12325b92340d2a
BSZ088N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ088N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E28059699C11C&compId=BSZ088N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=11629a90dffdab400bce748e67528423bd3ce995
BSZ088N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f20f7321863dd
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0901NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSI_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f2550ff441cf9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0901NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSATMA1 BSZ0902NS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f0d175c012f25d963971d2f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0902NSIATMA1 BSZ0902NSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308e38cc9c33f9
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ0909NSATMA1 BSZ0909NS_rev3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128827726205408
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ0994NSATMA1 Infineon-BSZ0994NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d0251aa5fa9
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BSZ0994NS SMD N channel transistors
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BSZ099N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ099N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e5d71c9f4f8e
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BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
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BSZ100N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E361D77DC011C&compId=BSZ100N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=0aeb2ea04dbf0d85a37550526f88d1a53c2c8176
BSZ100N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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BSZ100N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8
BSZ100N03MSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSZ100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3DAAD43E211C&compId=BSZ100N06LS3G-DTE.pdf?ci_sign=4f5c55c03ed9fd06aee860c65e9b034596f8d145
BSZ100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
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BSZ100N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E418FECF9E11C&compId=BSZ100N06NS-DTE.pdf?ci_sign=2c2fadeec5f1af9aa66da941965b2afe221347ae
BSZ100N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ105N04NSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8D887E788EC143&compId=BSZ105N04NSG.pdf?ci_sign=f7af05d5643b125769d0c3f54426bbc9fc8e81a5
BSZ105N04NSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
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BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 80A
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ110N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E42CFD251E11C&compId=BSZ110N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=f275ad3f127399cd10fc2d635f9bdc2dfb4fa4d0
BSZ110N08NS5ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 50W
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
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BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
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BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3G_rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e5ec96fdc0a00
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ123N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a
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BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ130N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ130N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ150N10LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E4A106E0F411C&compId=BSZ150N10LS3G-DTE.pdf?ci_sign=2fde45fc4d6ab9a87f8206295ac3e685a3111857
BSZ150N10LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDH_Rev2.3_1-17-19.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
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BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10N3SG_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320896aa20120c3365eef2370
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ16DN25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4361A78EA11C&compId=BSZ16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1725697285a132145f60b7ce4ef14c6e8c925a67
BSZ16DN25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSZ180P03NS3EGATMA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ180P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
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BSZ180P03NS3GATMA1 Infineon-BSZ180P03NS3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271f04398f4ec1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ180P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
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BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15ceb1741a7c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ240N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC4064592BE11C&compId=BSZ240N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=8bc4c4584b83edfdf3c81c1c22139f55c4acf4d1
BSZ240N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 37A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 37A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ340N08NS3GATMA1 Infineon-BSZ340N08NS3G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501206626660b6c72
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ42DN25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC5D8650BC411C&compId=BSZ42DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=d9b9070310c5f75946aca5576d4f831b39aa87a8
BSZ42DN25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.425Ω
Power dissipation: 33.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA51E41005A11C&compId=BSZ440N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=346209358a53e8d09666903e8b3a2cdcaef96bb8
BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
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Anzahl Preis
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BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432662379201266a0dd612226c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3066 Stücke:
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BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 975 Stücke:
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BTF3035EJXUMA1 Infineon-BTF3035EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01659e9ffc560e7d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3035EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
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BTF3050EJXUMA1 Infineon-BTF3050EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01659ea007020e80
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3050EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
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BTF3080EJXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BEF76602B68740C4&compId=BTF3080EJ.pdf?ci_sign=4917fbb88a9b9364cdde55b74718b3188d1ca5f3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Mounting: SMD
Case: PG-TDSO-8-31
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
On-state resistance: 71mΩ
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Power dissipation: 1.44W
Output current: 3A
Supply voltage: 3...5.5V DC
Kind of output: N-Channel
Output voltage: 40V
Kind of integrated circuit: low-side
Technology: HITFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BTF3125EJXUMA1 Infineon-BTF3125EJ-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01659eb23ff20e86
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3125EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
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BTF50060-1TEA
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF50060-1TEA Power switches - integrated circuits
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BTN8962TAAUMA1 BTN8962TA-Data-Sheet-rev10-Infineon.pdf?folderId=db3a30431ff98815012060aedcd46179&fileId=db3a30433fa9412f013fbe2d247a7bf5&ack=t
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTN8962TAAUMA1 Motor and PWM drivers
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BTS117BKSA1 Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS117BKSA1 Power switches - integrated circuits
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BTS118D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FF4787C35DE4745&compId=BTS118D.pdf?ci_sign=9b9db2d4e2b7ee7d791f6da8d36a09917897c1ff
BTS118D
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 21W
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BTS133BKSA1 Infineon-BTS133-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa335436b0fae
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS133BKSA1 Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS134D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697B83D3C892469&compId=BTS134D.pdf?ci_sign=279382de0641561c09d83bf152f00a64c4ac44ed
BTS134D
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.93 EUR
28+2.59 EUR
44+1.66 EUR
46+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS142D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697BAA6861D4469&compId=BTS142D.pdf?ci_sign=18ccc82bc95d63c9b532c3b881e9cfeaef927a86
BTS142D
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Mounting: SMD
Case: TO252-3
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 59W
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
On-state resistance: 23mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 4.6A
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.97 EUR
38+1.89 EUR
40+1.79 EUR
250+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS244ZE3043AKSA2 INFNS27930-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS244Z Power switches - integrated circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3180AATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BDBC4CB4FAEB3D7&compId=BTS282Z.pdf?ci_sign=79ed465bde4ec9f1be59da5cdcf7bae313c59062
BTS282ZE3180AATMA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7-1
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TEMPFET®
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...175°C
Number of channels: 1
Output current: 36A
Output voltage: 49V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.11 EUR
13+5.59 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS282ZE3230AKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BDBC4CB4FAEB3D7&compId=BTS282Z.pdf?ci_sign=79ed465bde4ec9f1be59da5cdcf7bae313c59062
BTS282ZE3230AKSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; THT; tube; 300W
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-12
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: tube
Technology: TEMPFET®
Operating temperature: -40...175°C
On-state resistance: 6.5mΩ
Output current: 36A
Number of channels: 1
Output voltage: 49V
Power dissipation: 300W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.02 EUR
12+6.22 EUR
13+5.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3035EJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB541665492749&compId=BTS3035EJ.pdf?ci_sign=eb8aa60fb56b1ae50c345cbfb20b45b1de9f9ace
BTS3035EJ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
43+1.67 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3035TF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AC27C82481C749&compId=BTS3035TF.pdf?ci_sign=b9e50ab739c8031922b9b9606b4a7ab5f5a679d1
BTS3035TF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 70mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1139 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+2.03 EUR
39+1.86 EUR
41+1.74 EUR
62+1.16 EUR
65+1.1 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS3050EJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3AB99598EF12749&compId=BTS3050EJ.pdf?ci_sign=89d5832899019faccad3ed7558afa1e764f18f05
BTS3050EJ
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
On-state resistance: 0.1Ω
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-off time: 210µs
Turn-on time: 115µs
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
44+1.63 EUR
49+1.47 EUR
85+0.84 EUR
90+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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BTS3050TF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS3050TF Power switches - integrated circuits
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