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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122eee57d9b21a4 BSC520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC676E823AC11C&compId=BSC600N25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=586e61468ef9e8c313700749d2475982e9c3a33e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA912F8CFA5C11CC&compId=BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=7da60d03f8b4e52d7093e7914fc63ed040d189c3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
511+0.14 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 BSD235CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
117+0.61 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
554+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
231+0.31 EUR
329+0.22 EUR
385+0.19 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DD43E8B0B611C&compId=BSF030NE2LQ-DTE.pdf?ci_sign=83d617e18df81d97996f9a89515ba09e8545e192 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF035NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834 BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSF450NE7NH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a687e2ae403da BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
119+0.6 EUR
217+0.33 EUR
230+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL214N.pdf BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SN.pdf BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
93+0.77 EUR
136+0.53 EUR
178+0.4 EUR
327+0.22 EUR
348+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
85+0.84 EUR
277+0.26 EUR
293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
98+0.73 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
102+0.71 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL372SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A64F3AE83B110B&compId=BSL606SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ff3e05d9020426993f44e3de18cad12bcdd9a49e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
122+0.59 EUR
136+0.53 EUR
178+0.4 EUR
247+0.29 EUR
261+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL802SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL802SN.pdf BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GB60DLC INFINEON TECHNOLOGIES BSM200GB60DLC IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO033N03MSGXUMA1 BSO033N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F1D7BEDEADE11C&compId=BSO033N03MSG-dte.pdf?ci_sign=5e1efb88a7677ffd6bc07010da9d28e08bc4dde9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 BSO080P03SHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA914D705F5351CC&compId=BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF?ci_sign=070dfb264d8f488a2ab88956d2ea39533118f6c5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 1.79W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
111+0.64 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF58F3DF29DF1CC&compId=BSO201SPH-DTE.pdf?ci_sign=bd493f72922d454f140551e0cbd8277f6d58d784 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203PHXUMA1 BSO203PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA915F81DAB191CC&compId=BSO203PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=38ed271d24bb707e96be43cb3cb20d02f55b30a9 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BSO203SPHXUMA1 BSO203SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91611F5B4851CC&compId=BSO203SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=f36b40706fda76bb40b78ac4bb21317193f2aadb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
222+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 218
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BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
205+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 173
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BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 1.79W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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BSO303SPHXUMA1 BSO303SPHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9209F3CB13F1CC&compId=BSO303SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=81198fd7aed0081e5b6b98687ef88223814de38a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSO613SPVGXUMA1 BSO613SPVGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSO613SPVG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae038440c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain current: -3.44A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSP125H6327XTSA1 BSP125H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
99+0.73 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
116+0.62 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
200+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BSP129H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f BSP129H6906XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
109+0.66 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
52+1.4 EUR
71+1.01 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 52
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BSP149H6327XTSA1 BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.49 EUR
66+1.1 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 49
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BSP149H6906XTSA1 BSP149H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Case: SOT223
Technology: SIPMOS®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
92+0.78 EUR
120+0.6 EUR
235+0.3 EUR
248+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 61
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BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
95+0.76 EUR
110+0.65 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 1.8A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
63+1.14 EUR
84+0.85 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
205+0.35 EUR
224+0.32 EUR
240+0.3 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.7 EUR
145+0.5 EUR
182+0.39 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
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BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
186+0.39 EUR
211+0.34 EUR
223+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP317P-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b604df1d959f2 BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921AA3AD6611CC&compId=BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=c8cce04bab6e5a8cf722ea0efeae955fac952ad3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.1 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A74D812321710B&compId=BSP324H6327XTSA1.pdf?ci_sign=c1f612262ab63ea6875c5b9430c8c7fc911dbdb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+0.96 EUR
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BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 521 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1920 Stücke:
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46+1.56 EUR
97+0.74 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929
BSC500N20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122eee57d9b21a4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC600N25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC676E823AC11C&compId=BSC600N25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=586e61468ef9e8c313700749d2475982e9c3a33e
BSC600N25NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD214SNH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D01CD314510B&compId=BSD214SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=e140dc0bc8f7dd5d6a5e9b2c21760d382e9e0564
BSD214SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA912F8CFA5C11CC&compId=BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=7da60d03f8b4e52d7093e7914fc63ed040d189c3
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
404+0.18 EUR
477+0.15 EUR
511+0.14 EUR
667+0.11 EUR
705+0.1 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD235CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
747+0.096 EUR
782+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 117
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5D9351407710B&compId=BSD235NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a8d66b3001a4107b60a345b215d15bbd6fd4e9b1
BSD235NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
554+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5EF6CF788910B&compId=BSD840NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5b04d5f43bcba673eb33cf4377e0362af3f23a9e
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Gate-source voltage: ±8V
Technology: OptiMOS™ 2
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
231+0.31 EUR
329+0.22 EUR
385+0.19 EUR
794+0.09 EUR
834+0.086 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF030NE2LQXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DD43E8B0B611C&compId=BSF030NE2LQ-DTE.pdf?ci_sign=83d617e18df81d97996f9a89515ba09e8545e192
BSF030NE2LQXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF035NE2LQXUMA1 Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSF450NE7NH3XUMA1 Infineon-BSF450NE7NH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a687e2ae403da
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL207SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363
BSL207SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
119+0.6 EUR
217+0.33 EUR
230+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL214NH6327XTSA1 BSL214N.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
201+0.36 EUR
213+0.34 EUR
250+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SN.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL307SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913A60E70031CC&compId=BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2d3b12b41a36cdb437bb34b01f41939f35a02b37
BSL307SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1691 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
93+0.77 EUR
136+0.53 EUR
178+0.4 EUR
327+0.22 EUR
348+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308CH6327XTSA1 Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
85+0.84 EUR
277+0.26 EUR
293+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 85
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
98+0.73 EUR
226+0.32 EUR
239+0.3 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 98
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+0.71 EUR
388+0.18 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL372SNH6327XTSA1 INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL606SNH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A64F3AE83B110B&compId=BSL606SNH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ff3e05d9020426993f44e3de18cad12bcdd9a49e
BSL606SNH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 4.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
122+0.59 EUR
136+0.53 EUR
178+0.4 EUR
247+0.29 EUR
261+0.27 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSL802SNH6327XTSA1 BSL802SN.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSM200GB60DLC
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSM200GB60DLC IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO033N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F1D7BEDEADE11C&compId=BSO033N03MSG-dte.pdf?ci_sign=5e1efb88a7677ffd6bc07010da9d28e08bc4dde9
BSO033N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO080P03SHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA914D705F5351CC&compId=BSO080P03SHXUMA1-DTE.PDF?ci_sign=070dfb264d8f488a2ab88956d2ea39533118f6c5
BSO080P03SHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 1.79W
Gate-source voltage: ±25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO110N03MSGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F211A43A7CC11C&compId=BSO110N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=e98e6964477fdd36746c158d1337fff9d86b6934
BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
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BSO150N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797
BSO150N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO201SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF58F3DF29DF1CC&compId=BSO201SPH-DTE.pdf?ci_sign=bd493f72922d454f140551e0cbd8277f6d58d784
BSO201SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA915F81DAB191CC&compId=BSO203PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=38ed271d24bb707e96be43cb3cb20d02f55b30a9
BSO203PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO203SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA91611F5B4851CC&compId=BSO203SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=f36b40706fda76bb40b78ac4bb21317193f2aadb
BSO203SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO207PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9201B98D6931CC&compId=BSO207PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=2811562156a4c4d38b1a34d9d8a1b5a7805321a2
BSO207PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2211 Stücke:
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218+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO211PHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9204080D26B1CC&compId=BSO211PHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=da04bb6283d5de44bff6ec37f2de7d95f13433e2
BSO211PHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
190+0.38 EUR
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224+0.32 EUR
237+0.3 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO220N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F219EF8F79E11C&compId=BSO220N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=8f5103fd85f4c1519886753b9a4e03a2291b13e8
BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO301SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA920504157491CC&compId=BSO301SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=ed7f73f3f0a6fd6bfeee1d5c5065c9159df1b205
BSO301SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 1.79W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO303SPHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9209F3CB13F1CC&compId=BSO303SPHXUMA1-dte.pdf?ci_sign=81198fd7aed0081e5b6b98687ef88223814de38a
BSO303SPHXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ P
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSO613SPVGXUMA1 Infineon-BSO613SPVG-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae038440c
BSO613SPVGXUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain current: -3.44A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP125H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A70B1D8F42B10B&compId=BSP125H6327XTSA1.pdf?ci_sign=8a5ccf72a5d3019ef8a407058267491d6698e74a
BSP125H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
99+0.73 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
200+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b
BSP129H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
116+0.62 EUR
147+0.49 EUR
155+0.46 EUR
200+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP129H6906XTSA1 Infineon-BSP129-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fc296d2395f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP129H6906XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
109+0.66 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP135H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089
BSP135H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
52+1.4 EUR
71+1.01 EUR
117+0.61 EUR
124+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B764EFF996611C&compId=BSP149H6327XTSA1.pdf?ci_sign=2e341726376cd098a1dd94399f757045beabb8c7
BSP149H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.49 EUR
66+1.1 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP149H6906XTSA1 Infineon-BSP149-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433c1a8752013c1fcbb815397c
BSP149H6906XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Case: SOT223
Technology: SIPMOS®
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP170PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d
BSP170PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
92+0.78 EUR
120+0.6 EUR
235+0.3 EUR
248+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP171PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f
BSP171PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+0.96 EUR
95+0.76 EUR
110+0.65 EUR
197+0.36 EUR
209+0.34 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP295H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A711EB905DB10B&compId=BSP295H6327XTSA1.pdf?ci_sign=12d54ca60e42968960e2526667870bf482146104
BSP295H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 1.8A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
63+1.14 EUR
84+0.85 EUR
176+0.41 EUR
186+0.38 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP296NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A71BCC5D0C110B&compId=BSP296NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=62688a05fa70037902c602082913e2323a4fa340
BSP296NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
205+0.35 EUR
224+0.32 EUR
240+0.3 EUR
252+0.28 EUR
266+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP297H6327XTSA1 Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 793 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92148C01BBD1CC&compId=BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=d16382970b6d0f196c8c2dc24b5aae9857640e5b
BSP315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.7 EUR
145+0.5 EUR
182+0.39 EUR
280+0.26 EUR
296+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9216BA914DB1CC&compId=BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=24f11e30d9b56cd6b2e9295c8abcb5ffab3097fa
BSP316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 730 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
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211+0.34 EUR
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Mindestbestellmenge: 136
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
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BSP322PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.1 EUR
109+0.66 EUR
121+0.59 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
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BSP324H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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164+0.44 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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141+0.51 EUR
148+0.48 EUR
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BSP373NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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139+0.52 EUR
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5000+0.48 EUR
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