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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
28+2.6 EUR
100+2.04 EUR
250+1.84 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.13 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
100+1.57 EUR
250+1.4 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.5 EUR
250+1.33 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 52V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
100+1.83 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697AB1C4CDAC469&compId=BSP762T.pdf?ci_sign=3e6d8828cac9092b5936c4f21f2326965e7952af Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 2A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.9 EUR
28+2.62 EUR
100+2.04 EUR
250+1.83 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
100+2.27 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.29 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Output current: 3A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 35mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.22 EUR
35+2.1 EUR
38+1.9 EUR
100+1.62 EUR
250+1.43 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
184+0.39 EUR
212+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
397+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB57E0F870745&compId=BSR315PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ae348073efcde58782a96f46a5f058d78900eb40 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
134+0.54 EUR
187+0.38 EUR
216+0.33 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
194+0.37 EUR
244+0.29 EUR
272+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A788FBF58D710B&compId=BSR802NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=4325177a8cf7e43a5625bdaa700cc9b2cc9e9b4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
159+0.45 EUR
173+0.41 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFAC3D69326745&compId=BSR92PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=cfe038ab9d0326d3e3c745cb156f85fa40ca8969 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -110mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
99+0.73 EUR
133+0.54 EUR
182+0.39 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
582+0.12 EUR
658+0.11 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
164+0.43 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
985+0.073 EUR
1097+0.065 EUR
1194+0.06 EUR
1303+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2446 Stücke:
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BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7A747833B910B&compId=BSS131H6327XTSA1.pdf?ci_sign=1a0db14b486c9c03a4ac7e87d14adcf0bc42587e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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264+0.27 EUR
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BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2123 Stücke:
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7469 Stücke:
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3030 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41E3C77CFC469&compId=BSS192PH6327FTSA1.pdf?ci_sign=11076b1b245a34fddb3d33c4ae9cc3628d261909 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7C89A92FB310B&compId=BSS205NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9e21e254c345f4f5bd15a7d2d6784307e5ed3846 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
228+0.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -630mA
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3649 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
544+0.13 EUR
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848+0.084 EUR
1114+0.064 EUR
1177+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7CF1EC57F710B&compId=BSS214NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=3d212ae0b6db65579c46b913210d28885837f077 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3317 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
394+0.18 EUR
569+0.13 EUR
661+0.11 EUR
797+0.09 EUR
908+0.079 EUR
1025+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
582+0.12 EUR
879+0.081 EUR
1013+0.071 EUR
1109+0.064 EUR
1200+0.06 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACD8DA556CD271BF&compId=BSS215PH6327-DTE.pdf?ci_sign=ee721eee10c54738076db65e8af27589a70a24dd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Technology: OptiMOS™ P2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
237+0.3 EUR
350+0.2 EUR
414+0.17 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
472+0.15 EUR
734+0.098 EUR
890+0.08 EUR
1053+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa BSS225H6327FTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
159+0.45 EUR
250+0.29 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E3071C8DD10B&compId=BSS306NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=b57fd6087103aae6c00284217bd6b1dfba4849d0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
414+0.17 EUR
477+0.15 EUR
575+0.12 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.23 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
459+0.16 EUR
593+0.12 EUR
659+0.11 EUR
828+0.086 EUR
1000+0.079 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
214+0.33 EUR
248+0.29 EUR
428+0.17 EUR
610+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
715+0.1 EUR
930+0.077 EUR
1038+0.069 EUR
1188+0.06 EUR
1313+0.054 EUR
1437+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
138+0.52 EUR
194+0.37 EUR
227+0.32 EUR
264+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
439+0.16 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
353+0.2 EUR
414+0.17 EUR
573+0.12 EUR
646+0.11 EUR
812+0.088 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 228
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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
193+0.37 EUR
293+0.24 EUR
419+0.17 EUR
486+0.15 EUR
665+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
334+0.21 EUR
496+0.14 EUR
642+0.11 EUR
722+0.099 EUR
860+0.083 EUR
987+0.073 EUR
1153+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 334
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
236+0.3 EUR
345+0.21 EUR
410+0.17 EUR
506+0.14 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
368+0.19 EUR
472+0.15 EUR
635+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
725+0.099 EUR
977+0.073 EUR
1092+0.065 EUR
1370+0.052 EUR
1484+0.048 EUR
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
140+0.51 EUR
265+0.27 EUR
280+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
76+0.95 EUR
96+0.75 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
140+0.51 EUR
145+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
90+0.8 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.12 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FF185DE8D6A8745&compId=BTN8962TA.pdf?ci_sign=6c5456d10cf0b4baf788f9d1d1f4df19bed07ba9 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 14.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Technology: NovalithIC™
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Application: DC motors
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...150°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.52 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697B83D3C892469&compId=BTS134D.pdf?ci_sign=279382de0641561c09d83bf152f00a64c4ac44ed Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 35mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.63 EUR
30+2.4 EUR
33+2.19 EUR
100+1.87 EUR
250+1.67 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP452 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7
BSP452
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2239 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
28+2.6 EUR
100+2.04 EUR
250+1.84 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP613PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA921C2619F071CC&compId=BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=723408d9febe3aa5b901341db3481f207e9054ff
BSP613PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.8 EUR
78+0.92 EUR
88+0.82 EUR
100+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869764CDAC0A6469&compId=BSP742R.pdf?ci_sign=d73026d39c5d188555036d786d3243364a24976c
BSP742R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.13 EUR
35+2.04 EUR
40+1.83 EUR
100+1.57 EUR
250+1.4 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP742T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869766A91DFD2469&compId=BSP742T.pdf?ci_sign=e6e8ebf8ffc3284c7138eee105ccea59d6a3f9de
BSP742T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1554 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
41+1.76 EUR
100+1.5 EUR
250+1.33 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP752R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697694FF64B4469&compId=BSP752R.pdf?ci_sign=120788f34bf08562a5f2c30c36ca2a03be1718c5
BSP752R
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 52V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.58 EUR
31+2.36 EUR
34+2.14 EUR
100+1.83 EUR
250+1.64 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP762T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697AB1C4CDAC469&compId=BSP762T.pdf?ci_sign=3e6d8828cac9092b5936c4f21f2326965e7952af
BSP762T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 2A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2432 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.9 EUR
28+2.62 EUR
100+2.04 EUR
250+1.83 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP76E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975D357543C469&compId=BSP76E6433.pdf?ci_sign=ee41e26ebfd9d7f22ffc4ce630ef54f3ab400fc4
BSP76E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
67+1.07 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP772T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697ACDC9066A469&compId=BSP772T.pdf?ci_sign=30fabbcc8cb7dfd515be88603b5898f2678b306f
BSP772T
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+4.2 EUR
25+2.87 EUR
100+2.27 EUR
250+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP77E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79
BSP77E6433
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
37+1.94 EUR
42+1.73 EUR
100+1.46 EUR
250+1.29 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP78 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869760D127D74469&compId=BSP78.pdf?ci_sign=a617bc4d5560c9afc8f0038f14af5aa2e51746cb
BSP78
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Output current: 3A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 35mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.22 EUR
35+2.1 EUR
38+1.9 EUR
100+1.62 EUR
250+1.43 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+1.07 EUR
132+0.54 EUR
250+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP89H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A76F50D5BC510B&compId=BSP89H6327XTSA1.pdf?ci_sign=7971c84e5dd572ba81dd29f18b275092ee4394af
BSP89H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
152+0.47 EUR
184+0.39 EUR
212+0.34 EUR
214+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
397+0.18 EUR
417+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB57E0F870745&compId=BSR315PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=ae348073efcde58782a96f46a5f058d78900eb40
BSR315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
134+0.54 EUR
187+0.38 EUR
216+0.33 EUR
261+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR316PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFB0E568564745&compId=BSR316PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=00502fbe6cd0200668e7560cc4589d7a1438ad5e
BSR316PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
194+0.37 EUR
244+0.29 EUR
272+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR802NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A788FBF58D710B&compId=BSR802NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=4325177a8cf7e43a5625bdaa700cc9b2cc9e9b4a
BSR802NL6327HTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
129+0.56 EUR
159+0.45 EUR
173+0.41 EUR
332+0.22 EUR
350+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSR92PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFAC3D69326745&compId=BSR92PH6327XTSA1.pdf?ci_sign=cfe038ab9d0326d3e3c745cb156f85fa40ca8969
BSR92PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -110mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
99+0.73 EUR
133+0.54 EUR
182+0.39 EUR
336+0.21 EUR
358+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A792634BB8910B&compId=BSS119NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a5f53f11c07260c48f5cedd73fc0842250fc0053
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3607 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
379+0.19 EUR
424+0.17 EUR
582+0.12 EUR
658+0.11 EUR
725+0.099 EUR
770+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
164+0.43 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17789 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
715+0.1 EUR
758+0.094 EUR
985+0.073 EUR
1097+0.065 EUR
1194+0.06 EUR
1303+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
120+0.6 EUR
150+0.48 EUR
172+0.42 EUR
278+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de
BSS127H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3336 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
230+0.31 EUR
281+0.25 EUR
332+0.22 EUR
391+0.18 EUR
562+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7A747833B910B&compId=BSS131H6327XTSA1.pdf?ci_sign=1a0db14b486c9c03a4ac7e87d14adcf0bc42587e
BSS131H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3788 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
447+0.16 EUR
577+0.12 EUR
682+0.1 EUR
789+0.091 EUR
921+0.078 EUR
1009+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d
BSS138NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 18304 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
313+0.23 EUR
410+0.17 EUR
491+0.15 EUR
763+0.094 EUR
905+0.079 EUR
1244+0.057 EUR
1374+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786
BSS138WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2123 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
807+0.089 EUR
910+0.079 EUR
968+0.074 EUR
1053+0.068 EUR
1127+0.063 EUR
1211+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BSS139H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
228+0.31 EUR
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BSS159NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77ADCA613611C&compId=BSS159NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a1987899b02136e077038fc3e5ada84cd40cf250
BSS159NH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1043 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
202+0.35 EUR
257+0.28 EUR
309+0.23 EUR
368+0.19 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
197+0.36 EUR
260+0.28 EUR
295+0.24 EUR
350+0.2 EUR
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1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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BSS192PH6327FTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B41E3C77CFC469&compId=BSS192PH6327FTSA1.pdf?ci_sign=11076b1b245a34fddb3d33c4ae9cc3628d261909
BSS192PH6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7C89A92FB310B&compId=BSS205NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9e21e254c345f4f5bd15a7d2d6784307e5ed3846
BSS205NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
228+0.31 EUR
275+0.26 EUR
379+0.19 EUR
489+0.15 EUR
610+0.12 EUR
910+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -630mA
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3649 Stücke:
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Anzahl Preis
417+0.17 EUR
544+0.13 EUR
745+0.096 EUR
848+0.084 EUR
1114+0.064 EUR
1177+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7CF1EC57F710B&compId=BSS214NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=3d212ae0b6db65579c46b913210d28885837f077
BSS214NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3317 Stücke:
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264+0.27 EUR
394+0.18 EUR
569+0.13 EUR
661+0.11 EUR
797+0.09 EUR
908+0.079 EUR
1025+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS214NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7D848CA9B710B&compId=BSS214NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5c615cce946f0aa6b4aace9b25942d6eab7b2b3c
BSS214NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
582+0.12 EUR
879+0.081 EUR
1013+0.071 EUR
1109+0.064 EUR
1200+0.06 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS215PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACD8DA556CD271BF&compId=BSS215PH6327-DTE.pdf?ci_sign=ee721eee10c54738076db65e8af27589a70a24dd
BSS215PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Technology: OptiMOS™ P2
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
205+0.35 EUR
237+0.3 EUR
350+0.2 EUR
414+0.17 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1265 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
472+0.15 EUR
734+0.098 EUR
890+0.08 EUR
1053+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS225H6327FTSA1 Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS225H6327FTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
159+0.45 EUR
250+0.29 EUR
257+0.28 EUR
271+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 159
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS306NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E3071C8DD10B&compId=BSS306NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=b57fd6087103aae6c00284217bd6b1dfba4849d0
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
414+0.17 EUR
477+0.15 EUR
575+0.12 EUR
650+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+2.23 EUR
50+1.43 EUR
100+0.72 EUR
250+0.29 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4669 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
459+0.16 EUR
593+0.12 EUR
659+0.11 EUR
828+0.086 EUR
1000+0.079 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
214+0.33 EUR
248+0.29 EUR
428+0.17 EUR
610+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19415 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
715+0.1 EUR
930+0.077 EUR
1038+0.069 EUR
1188+0.06 EUR
1313+0.054 EUR
1437+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
138+0.52 EUR
194+0.37 EUR
227+0.32 EUR
264+0.27 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
auf Bestellung 2083 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
1053+0.068 EUR
1114+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
439+0.16 EUR
933+0.077 EUR
987+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 439
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A835FDBDAD310B&compId=BSS806NEH6327XTSA1.pdf?ci_sign=6c6768b26d5644a3eb003bb38a7a7b5d3fc7db0a
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5941 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
353+0.2 EUR
414+0.17 EUR
573+0.12 EUR
646+0.11 EUR
812+0.088 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A83CD3DEEF310B&compId=BSS806NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0a43cefa63a012994060e8c30caf4f990ca0f5cc
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6303 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
193+0.37 EUR
293+0.24 EUR
419+0.17 EUR
486+0.15 EUR
665+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
496+0.14 EUR
642+0.11 EUR
722+0.099 EUR
860+0.083 EUR
987+0.073 EUR
1153+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241
BSS83PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25102 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
236+0.3 EUR
345+0.21 EUR
410+0.17 EUR
506+0.14 EUR
596+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
368+0.19 EUR
472+0.15 EUR
635+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90
BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
725+0.099 EUR
977+0.073 EUR
1092+0.065 EUR
1370+0.052 EUR
1484+0.048 EUR
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS87H6327FTSA1 Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
140+0.51 EUR
265+0.27 EUR
280+0.26 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
75+0.96 EUR
80+0.9 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ040N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E052B42C0811C&compId=BSZ040N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=086584638ccfdd5ed44256d041035edc91b171d2
BSZ040N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
76+0.95 EUR
96+0.75 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 4913 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
140+0.51 EUR
145+0.49 EUR
154+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 140
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
90+0.8 EUR
91+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a304326623792012669f7decc224c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 3006 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
99+0.72 EUR
105+0.68 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15f1be561a9b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.12 EUR
55+1.32 EUR
58+1.24 EUR
59+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTN8962TAAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FF185DE8D6A8745&compId=BTN8962TA.pdf?ci_sign=6c5456d10cf0b4baf788f9d1d1f4df19bed07ba9
BTN8962TAAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 14.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Technology: NovalithIC™
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Application: DC motors
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...150°C
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 597 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.52 EUR
18+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BTS134D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697B83D3C892469&compId=BTS134D.pdf?ci_sign=279382de0641561c09d83bf152f00a64c4ac44ed
BTS134D
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 35mΩ
Number of channels: 1
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.63 EUR
30+2.4 EUR
33+2.19 EUR
100+1.87 EUR
250+1.67 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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