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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FM25L16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25L16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V05-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 512kb FRAM
Case: SOIC8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25V10-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Memory: 1Mb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 370 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25VN10-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files FM25VN10-GTR FRAM memories - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8B20C73D5053D7&compId=FP06R12W1T4B3.pdf?ci_sign=b0d07d5c11c3511c198ac0969a13834d175d08d9 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R12KT4B11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP10R12W1T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D84C0AEB33F8BF&compId=FP10R12W1T7B11.pdf?ci_sign=f22158e9fd40755a352e4e202ff2f4db12e763f8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP20R06W1E3B11BOMA1 FP20R06W1E3B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E55D7107CA0469&compId=FP20R06W1E3B11.pdf?ci_sign=69ad90c278e3c2bf446e00a2bb3a887e5cb3f63e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Application: Inverter
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12W1T7B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP25R12W1T7_B11.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP30R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP30R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43328f05a7f FP30R06KE3BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7D4FE1A26C0C4&compId=FP40R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=0aa9bc43484615c4a3a0a984a8b9b20af98dcae6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R06W2E3B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C42033D8F33D7&compId=FP50R06W2E3B11.pdf?ci_sign=ab545f48734c8f494374c3f6db59595ffa32c7ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 2B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7E5DA4B53C0C4&compId=FP50R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=e5bfa2ac21af8ba4412256f70bb668388033ff0a Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP75R12KT4 FP75R12KT4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3979250FD616749&compId=FP75R12KT4.pdf?ci_sign=0a787b86b74eb0847aa8fc8fe9a9278194481dfb Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Application: Inverter
Power dissipation: 385W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+278.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS10R12VT3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C676DF9BDB3D7&compId=FS10R12VT3.pdf?ci_sign=23a7050ec5881090dc6b45a7b7948f24badf5c4e Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 64W
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY750-1
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C87F547E493D7&compId=FS150R12KT4.pdf?ci_sign=b9e2fda300a75c51352ce08e24e35235e6476809 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R17PE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS150R17PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124d8a320187393 FS150R17PE4 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS15R12VT3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS15R12VT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431446153f7 FS15R12VT3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS200R12KT4RB11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS50R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R12W2T4B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120b40c2da2770f Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R17KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS820R08A6P2LBBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS820R08A6P2LB-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fe7bf83492945 FS820R08A6P2LB IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1000R33HE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ1000R33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d760f30227290 FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1400R33HE4BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0 FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ2000R33HE4-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed15a9df22af8 FZ2000R33HE4BOSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ400R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABBD2E6ABB71060C7&compId=FZ400R12KS4.pdf?ci_sign=38ee09c54c6e231e906f63e53875a0cb78b3b52e Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.5kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ400R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043294a3558012959e289a07c53 FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B429DD0D2FC469&compId=FZ600R12KE3.pdf?ci_sign=868834a23490657b7f01821c752b76da3c7c6933 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.8kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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FZ900R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8B88F18F860860D5&compId=FZ900R12KE4.pdf?ci_sign=23fa0b5b27e80ccd677c32a3a61818263e8ce358 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 4.3kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IAUA170N10S5N031AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32 IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
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IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N04S5N012-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20182c67740 IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors
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IAUA180N08S5N026AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUA200N04S5N010AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA200N04S5N010-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462647040d101647051b3671ed1 IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
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IAUA210N10S5N024AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IAUA220N08S5N021AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N005AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38 IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N007EAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29 IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N008AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
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IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41 IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
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IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N08S5N034ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N10S5L040ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542 IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors
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IAUC100N10S5L054ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5L054-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd429850211 IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors
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IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 IAUC100N10S5N040 SMD N channel transistors
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IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 1550A
Power dissipation: 187W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1 IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDA13A543838BF&compId=IAUC120N04S6L008.pdf?ci_sign=bdab0025d6d4f979e10d9a77ea4ed33ea87d6919 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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FM25L16B-DG Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 81 Stücke
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FM25L16B-DGTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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FM25V05-GTR Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 512kb FRAM
Case: SOIC8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FM25V10-DG Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Memory: 1Mb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Anzahl je Verpackung: 370 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FM25VN10-GTR Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FM25VN10-GTR FRAM memories - integrated circuits
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FP06R12W1T4B3BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8B20C73D5053D7&compId=FP06R12W1T4B3.pdf?ci_sign=b0d07d5c11c3511c198ac0969a13834d175d08d9
FP06R12W1T4B3BOMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP10R12W1T7B11BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D84C0AEB33F8BF&compId=FP10R12W1T7B11.pdf?ci_sign=f22158e9fd40755a352e4e202ff2f4db12e763f8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP15R12W1T4_B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608
FP15R12W1T4_B3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP20R06W1E3B11BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E55D7107CA0469&compId=FP20R06W1E3B11.pdf?ci_sign=69ad90c278e3c2bf446e00a2bb3a887e5cb3f63e
FP20R06W1E3B11BOMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Application: Inverter
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7_B11.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP30R06KE3BPSA1 Infineon-FP30R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43328f05a7f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FP30R06KE3BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP40R12KT3BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7D4FE1A26C0C4&compId=FP40R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=0aa9bc43484615c4a3a0a984a8b9b20af98dcae6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R06W2E3B11BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C42033D8F33D7&compId=FP50R06W2E3B11.pdf?ci_sign=ab545f48734c8f494374c3f6db59595ffa32c7ba
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 175W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 2B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT3BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7E5DA4B53C0C4&compId=FP50R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=e5bfa2ac21af8ba4412256f70bb668388033ff0a
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP75R12KT4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3979250FD616749&compId=FP75R12KT4.pdf?ci_sign=0a787b86b74eb0847aa8fc8fe9a9278194481dfb
FP75R12KT4
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Application: Inverter
Power dissipation: 385W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+278.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS10R12VT3BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C676DF9BDB3D7&compId=FS10R12VT3.pdf?ci_sign=23a7050ec5881090dc6b45a7b7948f24badf5c4e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 64W
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY750-1
Anzahl je Verpackung: 40 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R12KT4BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C87F547E493D7&compId=FS150R12KT4.pdf?ci_sign=b9e2fda300a75c51352ce08e24e35235e6476809
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS150R17PE4BOSA1 Infineon-FS150R17PE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043243b5f170124d8a320187393
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS150R17PE4 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS15R12VT3BOMA1 Infineon-FS15R12VT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431446153f7
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS15R12VT3 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS200R12KT4RB11BOSA1 Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS50R12KE3BPSA1 Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; AG-ECONO2B; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 270W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO2B
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R12W2T4B11BOMA1 Infineon-FS75R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120b40c2da2770f
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY2B-2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 15 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS75R17KE3BOSA1 Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon-FS820R08A6P2LB-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fe7bf83492945
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FS820R08A6P2LB IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon-FZ1000R33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d760f30227290
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ1400R33HE4BPSA1 Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ2000R33HE4BOSA1 Infineon-FZ2000R33HE4-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed15a9df22af8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ2000R33HE4BOSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ400R12KS4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABBD2E6ABB71060C7&compId=FZ400R12KS4.pdf?ci_sign=38ee09c54c6e231e906f63e53875a0cb78b3b52e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.5kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ400R17KE4HOSA1 Infineon-FZ400R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043294a3558012959e289a07c53
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ600R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B429DD0D2FC469&compId=FZ600R12KE3.pdf?ci_sign=868834a23490657b7f01821c752b76da3c7c6933
FZ600R12KE3HOSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.8kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FZ900R12KE4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8B88F18F860860D5&compId=FZ900R12KE4.pdf?ci_sign=23fa0b5b27e80ccd677c32a3a61818263e8ce358
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 4.3kW
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon-IAUA180N04S5N012-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20182c67740
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N04S5N012 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon-IAUA200N04S5N010-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462647040d101647051b3671ed1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 26A; Idm: 674A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 674A
Power dissipation: 238W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 119nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA220N08S5N021AUMA1 Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA250N04S6N005AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N006AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N007AUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
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IAUA250N04S6N007EAUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
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IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
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IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N034ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N10S5L040 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L054ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L054-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd429850211
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N10S5L054 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N10S5N040 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 60A; Idm: 1550A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 1550A
Power dissipation: 187W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBDA13A543838BF&compId=IAUC120N04S6L008.pdf?ci_sign=bdab0025d6d4f979e10d9a77ea4ed33ea87d6919
IAUC120N04S6L008ATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L009ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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